http://www.presseagentur.com/ Aktuelle Presse-Informationen von Infineon Technologies (Bereitgestellt von MEXPERTS AG) de-DE Infineon Technologies MEXPERTS AG (info@mexperts.de) Copyright 2010 MEXPERTS AG 2026-06-09T06:51+01:00 http://www.presseagentur.com/ http://www.presseagentur.com/pics/rdf_logo.gif https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infgip202606-107 –    Infineon und Siemens arbeiten gemeinsam an der Weiterentwicklung von Halbleiter-Leistungsschalter-Technologie für Rechenzentren, Produktionsanlagen und Batteriespeichersysteme –    Semiconductor-Circuit-Breaker sind schnell schaltende, halbleiterbasierte Leistungsschalter, die Stromkreise und elektrische Bauteile vor Schäden durch Kurzschlüsse oder Überlast schützen –    Siliziumkarbid‑Leistungsmodule von Infineon verbessern Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit des Leistungsschalters von Siemens München, Deutschland – 8. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG und die Siemens AG arbeiten zusammen, um den elektrischen Schutz in Rechenzentren, Produktionsanlagen und Batteriespeichersystemen zu verbessern und dort einen zuverlässigen Betrieb sicherzustellen. Im Rahmen der Zusammenarbeit setzt Siemens bei seinem Halbleiter-Leistungsschalter SENTRON 3QD2 auf Siliziumkarbid (SiC)-Leistungsmodule von Infineon. Das steigert die Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit der Siemens-Schutzlösung. 2026-06-08T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/press-release/2026/infxx202606-104 München, 3. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG integriert sein Hardware-Sicherheitsmodul OPTIGA™ TPM SLB 9672 in die Rechenplattformen für Robotik und autonome Systeme Jetson Thor von NVIDIA. Das Modul sichert kryptografische Schlüssel direkt auf Chip-Ebene und schützt so die Systemintegrität gegen Manipulation und unbefugten Zugriff. Das Ergebnis ist eine zertifizierte, quantenresistente Vertrauensbasis, die sogenannte Root of Trust, auf der künftige Physical-AI-Systeme aufgebaut werden können. Da Roboter und autonome Maschinen zunehmend abgeschirmte Industrieumgebungen verlassen und in Fabriken, Logistikzentren und öffentlichen Räumen operieren, steigen nicht nur die Sicherheitsanforderungen, sondern auch die wirtschaftlichen Risiken. Ein Cyberangriff kann Betriebsunterbrechungen und Haftungsansprüche nach sich ziehen, die weit über einen klassischen Datenverlust hinausgehen. Für Hersteller und Betreiber von Robotersystemen ist die Wahl der Sicherheitsarchitektur deshalb keine rein technische Entscheidung. Sie beeinflusst die langfristige Wettbewerbsfähigkeit, die Zulassungsfähigkeit in regulierten Märkten sowie die Gesamtbetriebskosten über den vollständigen Produktlebenszyklus. 2026-06-03T11:15+01:00 https://www.infineon.com/de/market-news/2026/infpss202606-102 München, 02. Juni 2026 – Infineon erweitert sein bewährtes XENSIV™ Magnetsensor-Portfolio um ein umfassendes Angebot an Tunnel-Magnetwiderstand-Sensoren (TMR). Als Ergänzung zu den etablierten Hall-, GMR- und AMR-Sensorlösungen des Unternehmens erschließt die neue TMR-Technologie einzigartige Fähigkeiten in der Magnetsensorik. TMR bietet außergewöhnliche Empfindlichkeit und ein hohes Signal-Rausch-Verhältnis (SNR), das eine präzise Parametererfassung und zuverlässige Messung mit kleineren Magneten ohne Bandbreitenbeschränkungen ermöglicht. Die Leistungsfähigkeit bleibt auch bei größeren Luftspalten und erhöhten mechanischen Toleranzen erhalten. Dies macht TMR-Sensoren ideal für die Positionserfassung mit geringem Stromverbrauch in Gaming- und HMI-Anwendungen (Human-Machine Interface), Gesundheits- und Lifestyle-Wearables sowie für die Positions- und Strommessung in automobilen und industriellen Anwendungen. 2026-06-02T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/market-news/2026/infpss202606-101 München, 02. Juni 2026 – Megatrends wie grüne Mobilität, Robotik und künstliche Intelligenz stellen zunehmend anspruchsvollere Anforderungen an Leistungssysteme hinsichtlich einer zuverlässigen Laststrombewältigung. Um diesen Herausforderungen zu begegnen, stellt die Infineon Technologies AG die OptiMOS™ 8 100-V-MOSFET-Technologie vor, die anwendungsspezifische Optimierungen für RDS(on)-getriebene Anwendungen wie Motorsteuerung und Batteriemanagement bietet. 2026-06-02T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/market-news/2026/infpss202606-100 München, 02. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG stellt drei neue Varianten des CoolSET™ System-in-Package (SiP) vor, den ICE188LM, ICE189LM und ICE180LM, die den unterstützten Ausgangsleistungsbereich erweitern und Herstellern von Haushaltsgeräten helfen, die zunehmend strengeren EU-Vorschriften zu Energieeffizienz und Standby-Leistung einzuhalten. Das CoolSET SiP integriert einen Hochspannungs-MOSFET mit einem PWM-Controller auf der Primärseite, einen Synchrongleichrichter-Controller (SR) auf der Sekundärseite, eine verstärkte galvanische Trennung sowie umfassende Schutzfunktionen in einem einzigen Gehäuse. Dieses Integrationsniveau reduziert Systemverluste, verringert die Anzahl der Bauteile und vereinfacht das Design energieeffizienter Hilfsnetzteile für Haushaltsgeräte bis zu 150 W. 2026-06-02T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/market-news/2026/infpss202606-099 München, 02. Juni 2026 – Architekturen zur Leistungsumwandlung in Automobil- und Industrieanwendungen entwickeln sich rasant weiter und stellen neue Anforderungen an Schalttopologien, Wärmemanagement und Systemintegration. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, stellt die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) das H-DPAK vor – eine neue Ergänzung der oberseitig gekühlten Gehäusefamilie, die integrierte Halbbrückenbauelemente (HB) in der 750V CoolSiC™ G2-Technologie beherbergt. 2026-06-02T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/market-news/2026/infpss202606-098 München, 02. Juni 2026 – Infineon stellt die ersten Siliziumkarbid (SiC) Bidirektionalschalter (BDS) vor, die auf der robusten 750V CoolSiC™ G2-Technologie basieren. Ein vertikal integriertes Dual-Die-Design mit Common-Drain-Konfiguration im oberseitig gekühlten Q-DPAK-Gehäuse vereint zwei Leistungsschalter in einem einzigen Bauelement für vereinfachtes Design und die Grundlage zur Weiterentwicklung bestehender Topologien. Während der verfügbare 650V CoolGaN BDS auf hohe Leistungsdichte bei hohen Frequenzen abzielt, bietet der 750V CoolSiC BDS die Zuverlässigkeitsreserven, die moderne Netze und Energiesysteme fordern – für die niedrigsten Gesamtbetriebskosten über die gesamte Applikationslebensdauer. 2026-06-02T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/market-news/2026/infgip202606-097 München, 2. Juni 2026 – Die Nachfrage nach höheren Leistungsdichten bei gleichzeitig begrenztem Bauraum steigt kontinuierlich, ob in On-Board Chargern für Elektrofahrzeuge oder Stromversorgungen für KI-Rechenzentren. Mit EasyPACK™ S stellt die Infineon Technologies AG auf der PCIM Europe 2026 ein kompaktes Modul- und Gehäusekonzept vor, das gezielt auf diese Anforderungen ausgelegt ist. Mit einer Bauhöhe von lediglich 5,6 mm und einer Grundfläche von etwa 33 x 36 mm² ermöglicht EasyPACK S deutlich kompaktere Designs und sorgt gleichzeitig für eine zuverlässige thermische Leistung sowie reduzierte elektromagnetische Störungen. Die ersten Module im neuen Gehäuse integrieren CoolSiC™ MOSFETs 1200 V G2 sowie die IGBT4- und IGBT7-1200-V-Technologien von Infineon. 2026-06-02T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/market-news/2026/infpss202606-096 München, 02. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG stellt den EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 vor, einen 120-V-Gate-Treiber mit gemeinsamem Footprint, der Silizium- (Si) und Galliumnitrid-Designs (GaN) auf derselben Leiterplatte ermöglicht. Da KI-Rechenzentren auf immer höhere Leistungsdichten skalieren, gewinnt die Fähigkeit, Silizium- und GaN-Lösungen ohne Leiterplattenüberarbeitung zu evaluieren und zwischen diesen zu wechseln, für Ingenieure in der Leistungselektronik zunehmend an Bedeutung. Der 2EDL90xG3 adressiert diesen Bedarf direkt: Er unterstützt 48-V- und Hochspannungs-Zwischenkreiswandler-Anwendungen (HV-IBC) und eliminiert gleichzeitig den Entwicklungsaufwand bei der Technologieevaluierung. Eine einzigartige 5-V-Gate-Clamp-Funktion vereinfacht zusätzlich das Design der Gate-Treiber-Versorgung für GaN und trägt zur Verbesserung des Systemwirkungsgrads bei. 2026-06-02T10:15+01:00 https://www.infineon.com/de/market-news/2026/infgip202606-095 München, 2. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr CoolSiC™ JFET-Portfolio als Antwort auf die wachsende Nachfrage aus KI-Rechenzentren und adressiert damit den Trend hin zu halbleiterbasierten Schutzanwendungen. Mit neuen Bauteilen, Gehäuseoptionen und Konfigurationen unterstützt das Unternehmen leistungsfähige Systeme für Stromverteilung und -schutz. Die ersten 750 V- und 1200 V-CoolSiC JFET-Bauelemente im Q-DPAK-Gehäuse, die im vergangenen Jahr vorgestellt wurden, gehen nun in Serienproduktion. Auf der PCIM Europe 2026 präsentiert Infineon zusätzliche Gehäuseoptionen sowie Normally-Off-Varianten. Das Unternehmen stärkt damit sein Portfolio an diskreten Bauelementen für Anwendungen wie Halbleiter-Leistungsschalter, Batterie-Trennschalter und Stromverteilungsarchitekturen in KI-Rechenzentren, darunter Netzteile, Power-Backup-Units sowie Hot-Swap- und eFuse-Designs für Zwischenbuswandler. 2026-06-02T10:15+01:00