Infineons neue HF-Transistoren auf Basis von Silizium-Germanium-Kohlenstoff bieten weltweit niedrigste Rauschwerte für vielfältige drahtlose Applikationen

München, 31. August 2005 – Auf Basis seiner neuen Silizium-Germanium-Kohlenstoff-(SiGe:C) Prozesstechnologie bietet die neueste Generation der Heterojunction-Bipolar-Transistoren (HBTs) von Infineon Technologies AG derzeit die weltweit geringsten Rauschwerte für Silizium-basierte diskrete Transistoren. Die Transistoren der HBT-Familie mit der Bezeichnung BFP740 bieten Rauschwerte von nur 0,75 dB bei 6 GHz und hohe Verstärkung bis zu 19 dB bei 6 GHz. Infineons SiGe:C-Technologie ist für kosteneffektive und leistungsfähige Hochfrequenz (HF)-Halbleiter ausgelegt. Transistoren mit vergleichbaren HF-Parametern waren hierfür bisher nur in teurerer Gallium-Arsenid- (GaAs) Technologie verfügbar. Die neuen SiGe:C-Transistoren eignen sich für den Einsatz in einer Vielzahl von HF- und drahtlosen Applikationen bis über 10 GHz hinaus. Zu den potenziellen Anwendungen zählen rauscharme Verstärker (LNAs), Mikrowellen-Oszillatoren und Verstärker für Standards wie GPS, WLAN (802.11a, b, g), WiMAX, drahtlose Telefone, UWB (Ultra Wide Band), Satelliten-TV-LNBs (Low Noise Blocks) und Satelliten-basierte Dienste wie zum Beispiel XM Radio, Sirius und DAB (Digital Audio Broadcasting). „Die Einführung der Serie BFP740 ist ein weiterer bedeutender Schritt zur konsequenten Erweiterung unseres Portfolios an HF-Transistoren. Unsere neuen HBTs ermöglichen Entwicklern eine deutliche Leistungssteigerung, wobei Vorteile wie geringe Kosten oder Platz sparende SMT-Gehäuse erhalten bleiben“, sagte Michael Mauer, Leiter des Produktmarketing für Diskrete Siliziumbausteine bei Infineon Technologies. „Wir erfüllen die speziellen Anforderungen von Frontend-Anwendungen wie niedrige Rauschwerte und hohe Verstärkung. Deshalb sind unsere neuen HF-Bausteine die ideale Lösung für moderne drahtlose Applikationen bis zu 10 GHz und darüber.“ Die neuen HF-Transistoren von Infineon haben eine Transitfrequenz von 42 GHz und bieten derzeit die niedrigsten Rauschwerte im SiGe:C-Markt: 0,5 dB bei 1,8 GHz bzw. 0,75 dB bei 6 GHz. Mit einer hohen maximalen Verstärkung von Gms = 28 dB bei 1,8 GHz bis zu 19 dB bei 6 GHz und ihrer geringen Stromaufnahme sind die neuen diskreten HF-Bauelemente ideal für vielfältige HF- und drahtlose Applikationen, speziell WLAN. Infineon’s HBTs-Chips sind mit Gold metallisiert und daher extrem zuverlässig. Der Silizium-Germanium-Kohlenstoff-Prozess Ein besonderes Merkmal von Infineons Silizium-Germanium-Kohlenstoff-Prozesses ist der beträchtlich reduzierte Basis-Widerstand, der in den derzeit geringsten Rauschwerten für Silizium-basierte diskrete Transistoren resultiert. Darüber hinaus hat Infineon ein neues Verfahren zur drastischen Reduzierung der parasitären Masse-Induktivität entwickelt. Dieses neue Masse-Konzept ermöglicht hohe Verstärkungen bei höheren Frequenzen, wobei weiterhin bewährte und preiswerte Standard-Kunststoffgehäuse genutzt werden können. Verfügbarkeit und Gehäuse Die HBT-Serie BFP740 wird im Hochvolumen produziert und ist in folgenden Gehäusevarianten verfügbar: Standard-SOT343 (BFP740), Flatlead-TSFP-4 (BFP740F) und in einem besonders kleinen Leadless-TSLP-3 (BFR740L3), dessen Abmessungen nur 1,0 mm x 0,6 mm x 0,4 mm betragen. Weitere Informationen unter: http://www.infineon.com/bfp740

Über Infineon Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Automobil-, Industrieelektronik und Multimarket, für Anwendungen in der Kommunikation sowie Speicherprodukte. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten über Landesgesellschaften in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 35.600 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2004 (Ende September) einen Umsatz von 7,19 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter http://www.infineon.com