München, 17. Oktober 2025 – Hochleistungsanwendungen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Batterie-Energiespeichersysteme sowie Nutz-, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeuge (CAVs) stellen immer höhere Anforderungen an Leistungsdichte und Effizienz auf Systemebene. Gleichzeitig entstehen neue Herausforderungen im Design: Zuverlässiger Betrieb unter rauen Umgebungsbedingungen, Robustheit gegenüber transienten Überlasten und eine optimierte Systemleistung sind gefragt. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, bringt die Infineon Technologies AG die CoolSiC™ MOSFETs 1400 V G2 im TO-247PLUS-4-Reflow-Gehäuse auf den Markt. Die Bauteile unterstützen höhere Zwischenkreisspannungen und ermöglichen eine verbesserte thermische Leistung, eine geringere Systemgröße sowie eine höhere Zuverlässigkeit.
