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| Infineon Technologies (09.02.2026 08:15) |
TOYOTA setzt im neuen bZ4X-Modell auf Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter von Infineon
München und Tokio, Japan – 9. Februar 2026 – Die Infineon Technologies AG hat heute bekannt gegeben, dass ihre CoolSiC™-MOSFETs, Leistungs-MOSFETs auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), im neuen bZ4X-Modell von Toyota, dem weltweit größten Automobilhersteller, zum Einsatz kommen. Die SiC-MOSFETs werden im On-Board-Ladegerät (OBC) und dem DC/DC-Wandler eingesetzt und nutzen die Vorteile des Materials wie geringe Verluste, eine hohe thermische Belastbarkeit und eine hohe Spannungsfestigkeit, um die Reichweite zu erhöhen und die Ladezeit zu verkürzen. |
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