- Strahlungsgehärtete Halbleiter von Infineon unterstützen über zehn Tage im Weltraum das elektronische Rückgrat der NASA-Artemis-II-Orion-Kapsel.
- Seit den 1970er-Jahren hat sich die strahlungsgehärtete Technologie von Infineon in Hunderten von Weltraummissionen bewährt.
- Erster JANS-qualifizierter und intern produzierter GaN-Transistor mit Strahlungshärte von Infineon setzt Maßstab für Weltraum-Halbleiter.
München, Deutschland – 15 April 2026 – Die NASA-Artemis-II-Mission ist nach zehn Tagen im Weltraum, der Näherung an den Mond und der weitesten Entfernung der bemannten Raumfahrt von der Erde erfolgreich zurückgekehrt. Vier Astronaut*innen sind sicher auf der Erde gelandet und mit ihnen der erneute Beweis, dass die strahlungsgehärteten Halbleiterlösungen der Infineon Technologies AG auch unter den extremen Bedingungen des Weltraums zuverlässig funktionieren. Von der kritischen Energieversorgung über Steuerungssysteme bis hin zur Datenkommunikation leisten strahlungsgehärtete Technologien von Infineon aus der IR HiRel (High Reliability)-Division einen wichtigen Beitrag zum elektronischen Rückgrat im Innern der Orion-Kapsel.
