– Infineon und Eaton treiben gemeinsam Solid-State-Transformer (SST)-Technologie voran
– Zusammenarbeit adressiert die Nachfrage nach effizienteren Lösungen zur Stromumwandlung in KI-Rechenzentren
– Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter von Infineon verbessern Effizienz, Leistungsdichte und Systemzuverlässigkeit der SST-Plattform von Eaton
München, 29. September 2026 – Die Infineon Technologies AG liefert Siliziumkarbid (SiC)-Leistungshalbleiter an Eaton, ein Unternehmen für intelligentes Energiemanagement, für dessen Medium-Voltage-Solid-State Transformer (MVSST) 2.0-Plattform. Die Plattform ist für den Einsatz in den Regionen APAC und EMEA ausgelegt. Die Zusammenarbeit soll die Effizienz und Zuverlässigkeit der Energieumwandlung steigern, die für die Anbindung von KI-Rechenzentren an das Stromnetz erforderlich ist. Im Fokus stehen dabei 800-Volt-Gleichstromarchitekturen (VDC) für Rechenzentren.
