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| Infineon Technologies (08.06.2026 10:15) |
Infineon und Siemens setzen auf Siliziumkarbid-Technologie, um elektrischen Schutz in Rechenzentren und Fabriken voranzutreiben
– Infineon und Siemens arbeiten gemeinsam an der Weiterentwicklung von Halbleiter-Leistungsschalter-Technologie für Rechenzentren, Produktionsanlagen und Batteriespeichersysteme
– Semiconductor-Circuit-Breaker sind schnell schaltende, halbleiterbasierte Leistungsschalter, die Stromkreise und elektrische Bauteile vor Schäden durch Kurzschlüsse oder Überlast schützen
– Siliziumkarbid‑Leistungsmodule von Infineon verbessern Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit des Leistungsschalters von Siemens
München, Deutschland – 8. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG und die Siemens AG arbeiten zusammen, um den elektrischen Schutz in Rechenzentren, Produktionsanlagen und Batteriespeichersystemen zu verbessern und dort einen zuverlässigen Betrieb sicherzustellen. Im Rahmen der Zusammenarbeit setzt Siemens bei seinem Halbleiter-Leistungsschalter SENTRON 3QD2 auf Siliziumkarbid (SiC)-Leistungsmodule von Infineon. Das steigert die Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit der Siemens-Schutzlösung. |
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