Böblingen, 13. Oktober 2026 – Keysight Technologies hat in Zusammenarbeit mit der Universität Glasgow, dem National Physical Laboratory (NPL) und der MPI Corporation einen neuen Ansatz zur Breitbandcharakterisierung von Halbleiter-Bauelementen der nächsten Generation im Sub-Terahertz-Bereich (Sub-THz) entwickelt. Gemeinsam demonstrierten die Organisationen die kontinuierliche On-Wafer-Charakterisierung von InP-HEMTs (Indiumphosphid-Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) von nahezu Gleichstrom bis 250 GHz in einem einzigen Durchlauf, wodurch Breitbandmessungen für die fortschrittliche Halbleiterforschung und -entwicklung vereinfacht werden.
Böblingen, 13. Oktober 2026 – Keysight Technologies hat in Zusammenarbeit mit der Universität Glasgow, dem National Physical Laboratory (NPL) und der MPI Corporation einen neuen Ansatz zur Breitbandcharakterisierung von Halbleiter-Bauelementen der nächsten Generation im Sub-Terahertz-Bereich (Sub-THz) entwickelt. Gemeinsam demonstrierten die Organisationen die kontinuierliche On-Wafer-Charakterisierung von InP-HEMTs (Indiumphosphid-Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) von nahezu Gleichstrom bis 250 GHz in einem einzigen Durchlauf, wodurch Breitbandmessungen für die fortschrittliche Halbleiterforschung und -entwicklung vereinfacht werden. 