München, 03. November 2026 – Die Infineon Technologies AG bringt ihr schaltoptimiertes OptiMOS™ 7 40 V Leistungs-MOSFET-Portfolio für KI-Server, Rechenzentren und Telekommunikationsinfrastruktur auf den Markt. Die für die hochfrequente DC-DC-Wandlung ausgelegten Bauelemente helfen Entwicklern, Effizienz und Leistungsdichte in platzbeschränkten Systemen zu verbessern. Zielanwendungen sind niederspannungsseitige Sekundärstufen von Hochvolt-Zwischenkreiswandlern (Intermediate Bus Converter, IBC) in entstehenden 800-V-DC-Architekturen sowie IBCs in 48-V-Stromversorgungsarchitekturen. In geeigneten Topologien werden Schaltfrequenzen jenseits von 1 MHz unterstützt.
