| 21.02.2025 10:15 |
Mit CoolGaN™-Leistungstransistoren von Infineon erreicht SounDigital höhere Klangtreue in kompakteren Verstärkern |
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München, 21. Februar 2025 – Hersteller moderner Audiosysteme sind ständig bemüht, die Klangqualität zu verbessern und gleichzeitig die wachsende Nachfrage nach kompakten, leichten, stärker integrierten und energieeffizienten Designs zu erfüllen. Gleichzeitig müssen sie für nahtlose Konnektivität, Kosteneffizienz und benutzerfreundliche Handhabung sorgen, was die Entwicklung von Audioprodukten komplexer denn je macht. Um diese Herausforderungen zu bewältigen, setzt SounDigital in seinem neuen 1500-W-Verstärker der Klasse D mit 800 kHz Schaltfrequenz und fünf Kanälen auf CoolGaN™-Transistoren der Infineon Technologies AG. Mithilfe der fortschrittlichen GaN-Technologie von Infineon konnte die Energieeffizienz des Verstärkers um fünf Prozent verbessert und der Energieverlust um 60 Prozent reduziert werden. |
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| 20.02.2025 15:56 |
Infineon-Hauptversammlung beschließt stabile Dividende von 0,35 Euro je Aktie; kommende Hauptversammlung in Präsenz geplant |
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München – 20. Februar 2025 – Die Infineon Technologies AG hat die 25. Ordentliche Hauptversammlung als virtuelle Veranstaltung durchgeführt. |
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| 20.02.2025 09:50 |
Infineon erhält Genehmigung für Förderung durch EU Chips Act – IPCEI-Förderung treibt Innovationsprojekte in Europa voran |
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München – 20. Februar 2025 – Die Europäische Kommission hat heute die Genehmigung für eine Förderung der Smart Power Fab der Infineon Technologies AG in Dresden im Rahmen des European Chips Acts erteilt. Die offizielle Förderzusage seitens des Bundesministeriums für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK), das für die Auszahlung der EU-Chips-Act-Förderung zuständig ist, steht noch aus und wird in den nächsten Monaten erwartet. Die Smart Power Fab wird bereits auch im Rahmen des Innovationsprogramms IPCEI ME/CT („Important Project of Common European Interest on Microelectronics and Communication Technologies“) gefördert. Die Gesamtförderung für den Standort Dresden beträgt rund eine Milliarde Euro. Die Bauarbeiten hatten bereits im März 2023 begonnen und schreiten erfolgreich voran. Die Eröffnung ist weiterhin für 2026 geplant. |
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| 18.02.2025 10:15 |
CoolGaN™ G3-Transistor in neuen Gehäusen mit Silizium-Footprint treibt industrieweite Standardisierung voran |
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München, 18. Februar 2025 – Für die Leistungselektronik spielt die Galliumnitrid-Technologie (GaN) eine entscheidende Rolle, um höchste Leistungsniveaus zu erreichen. Bisher haben die GaN-Lieferanten jedoch unterschiedliche Ansätze bei den Gehäusetypen und -größen verfolgt, was zu einer Fragmentierung auf dem Markt und einem Mangel an Footprint-kompatiblen Alternativen für Kunden geführt hat. Um diese Herausforderung zu bewältigen, präsentiert die Infineon Technologies AG den leistungsstarken Galliumnitrid-Transistor CoolGaN™ G3 mit 100 V im RQFN-5x6-Gehäuse (IGD015S10S1) und 80 V im RQFN-3,3x3,3-Gehäuse (IGE033S08S1). |
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| 14.02.2025 14:15 |
Projekt „GENIAL!“: Gemeinsame Elektronik-Roadmap für Innovationen der automobilen Wertschöpfungskette |
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München – 14. Februar 2025 – Die Automobilindustrie steht vor enormen technologischen Herausforderungen bei der Entwicklung neuer und innovativer Funktionen und Dienste. Automobilhersteller müssen schon bei der Produktdefinition künftige technische Entwicklungen der mikroelektronischen Plattformen, Sensoren und Halbleitertechnologien antizipieren. Gleichzeitig benötigen Zulieferer und Halbleiterhersteller möglichst frühzeitig Kenntnisse über die Anforderungen zukünftiger Funktionen und Dienste, um auf einer verlässlichen Basis in die Technologieentwicklung investieren zu können. |
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| 13.02.2025 10:00 |
Infineon erreicht nächsten Meilenstein auf der Roadmap für 200-mm-Siliziumkarbid (SiC): Produktauslieferung an Kunden startet |
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München, 13. Februar 2025 – Die Infineon Technologies AG hat bei der Umsetzung der 200-mm-Siliziumkarbid (SiC)-Strategie entscheidende Fortschritte erzielt. Das Unternehmen wird bereits im ersten Quartal 2025 die ersten Produkte, die auf der fortschrittlichen 200-mm-SiC-Technologie basieren, an Kunden ausliefern. Die in Villach, Österreich, gefertigten Produkte bieten erstklassige SiC-Power-Technologie für Hochspannungsanwendungen, darunter erneuerbare Energien, Elektrofahrzeuge, Schnellladestationen und Züge. Auch die Umstellung des Infineon-Produktionsstandorts in Kulim, Malaysia, von 150-mm-Wafern auf die größeren und effizienteren 200-mm-Wafer verläuft nach Plan. Das neu errichtete Modul 3 wird die Hochvolumenfertigung im Einklang mit den Marktbedingungen aufnehmen. |
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