12.03.2014 10:15 |
Infineon führt OptiMOS™ Fast Diode (FD)-Leistungsbauelemente mit 200V und 250V ein – optimiert für harte Kommutierungen der Body Diode |
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Neubiberg, 12. März 2014 – Infineon Technologies komplettiert mit den neuen OptiMOS™ FD 200V und 250V Komponenten sein Portfolio im mittleren Spannungsbereich. Die neueste Generation der Leistungs-MOSFETs ist für harte Kommutierungen der leitenden Body Diode optimiert und ermöglicht eine höhere Robu... |
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11.03.2014 14:15 |
Präzise Strommessung mit TLI4970 Miniatursensor von Infineon |
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Neubiberg, 11. März 2014 – Infineon Technologies bringt mit dem TLI4970 einen hochpräzisen Stromsensor auf den Markt, der nur ein Sechstel der Leiterplatten-fläche heutiger Stromsensoren einnimmt. Mit dem TLI4970 lassen sich Wechsel-ströme und Gleichströme bis zu +/- 50 A messen. Der Sensor kommt ... |
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25.02.2014 09:30 |
Leichter Umstieg von 8-Bit auf 32-Bit mit Infineon: Start der XMC1000-Volumenproduktion; Angebot neuer, kleiner Gehäusevarianten und eines kostenlosen ARM® MDK-Entwicklungstools für XMC1000 |
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München und Nürnberg, 25. Februar 2014 – Zur Konferenzmesse „Embedded World“ startet Infineon Technologies die Volumenproduktion seiner XMC1000-Mikrocontroller, die 32-Bit Leistung zu 8-Bit Preisen bieten und den ARM Cortex-M0 Prozessor verwenden. Zu XMC1000 stellt Infineon zudem neue, sehr ... |
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24.02.2014 10:15 |
Infineon stellt neue Generation von Reverse Conducting IGBTs vor –optimiert für Anwendungen im Bereich Induktionskochen |
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Neubiberg – 24. Februar 2014 – Die Infineon Technologies AG komplettiert das Angebot an RC (Reverse Conducting)-IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) für resonante Applikationen mit der Einführung eines 1350-V-Bausteins mit monolithisch integrierter 20 A RC-Diode. Die neuen 20 A RC-H5-Bausteine... |
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19.02.2014 11:15 |
Für kleine und leichte Endgeräte: Neue TVS-Dioden von Infineon schützen schnelle Daten-Schnittstellen noch besser vor elektrostatischer Entladung |
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Neubiberg, 19. Februar 2014 - Infineon Technologies präsentiert eine neue Serie von TVS (Transient Voltage Suppression)-Bauelementen zum Schutz schneller Daten-Schnittstellen vor elektrostatischen Entladungen (ESD). Die Serie ESD105 verfügt über sehr geringe Eigenkapazitäten und bietet besonders ... |
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13.02.2014 16:30 |
Aufsichtsrat verlängert Vorstandsvertrag von Arunjai Mittal |
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Neubiberg und München, 13. Februar 2014 – Der Aufsichtsrat der Infineon Technologies AG hat den Vertrag für das Vorstandsmitglied Arunjai Mittal verlängert. Die Laufzeit beträgt fünf Jahre, sie endet somit am 31. Dezember 2019. Die Vertragsverlängerung wurde vom Aufsichtsrat in seiner Sitzung im ... |
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