| 29.05.2013 10:10 |
Klein und clever: Neue 3D-Bildsensorchips von Infineon ermöglichen die berührungslose Gestensteuerung für Computer und Elektronikgeräte |
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Neubiberg und Siegen, 29. Mai 2013 - Heute gab Infineon Technologies die Einführung einer Familie von 3D-Bildsensorchips für die berührungslose Gestenerkennung bekannt. Die Chips wurden in Kooperation mit der pmdtechnologies GmbH entwickelt. ... |
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| 23.05.2013 13:40 |
Infineon liefert Sicherheitschips für elektronischen Reisepass in Taiwan |
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Neubiberg, 23. Mai 2013 - Die Infineon Technologies AG liefert Sicherheitschips für den elektronischen Reisepass in Taiwan. Infineon ist der einzige Lieferant und hat bereits damit angefangen, Sicherheitscontroller der SLE78 Produktfamilie mit der digitalen Sicherheitstechnologie "Integrity Guard" ... |
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| 23.05.2013 13:10 |
Infineon stellt leistungsfähigen LNA für GNSS-Anwendungen vor; BGA825L6S erhöht Nutzerqualität für Smartphone-Anwender |
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Neubiberg, 23. Mai 2013 - Infineon Technologies präsentiert mit dem BGA825L6S einen kostengünstigen Low Noise Amplifier (LNA) für Global Navigation Satellite System-Applikationen (GNSS). Er bietet eine extrem niedrige Rauschzahl, hohe Linearität, .... |
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| 22.05.2013 10:10 |
Mit den neuen IGBT-Treibern EiceDRIVER™ SIL und EiceDRIVER™ Boost unterstützt Infineon schnelle und kosteneffiziente ASIL C/D-Designs für Hybrid- und Elektrofahrzeuge; Erste Entwicklungsmuster sind erhältlich |
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Neubiberg, 22. Mai 2013 - Für Antriebsumrichter von Hybrid- und Elektrofahrzeugen (HEV) bringt Infineon Technologies neue Hochspannungs-IGBT-Gate-Treiber auf den Markt. Mit den neuen Ansteuerbausteinen, dem EiceDRIVER™ SIL und dem EiceDRIVER™ Boost, können Hersteller von Automobilsystemen ihre HEV-Antriebssubsysteme gemäß der ASIL C/D-Anforderungen für die Funktionale Sicherheit (ISO 26262) schneller und kosteneffizienter als bisher entwickeln. ... |
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| 14.05.2013 10:10 |
Infineon stellt neues TO-Leadless-Gehäuse vor – entwickelt für Hochstrom-Anwendungen bis zu 300 A |
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Neubiberg, 14. Mai 2013 – Infineon Technologies hat heute ein neues TO-Leadless-Gehäuse vorgestellt, das neben einem reduzierten Package-Widerstand signifikant geringere Abmessungen und ein verbessertes EMV-Verhalten bietet. In dem Gehäuse verbirgt sich die neueste OptiMOS MOSFET-Generation für Anwendungen... |
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| 14.05.2013 10:10 |
Infineon präsentiert 650-V-TRENCHSTOP™ 5 – IGBTs mit höchster Performance in ihrer Klasse erfüllen anspruchsvollste Kundenvorgaben |
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Neubiberg – 14. Mai 2013 – Die Infineon Technologies AG präsentiert auf der PCIM 2013 in Nürnberg die 650-V-TRENCHSTOP™ 5-Technologie. Seit Einführung der neuesten Dünnwafer-IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)-Generation im Herbst 2012 erfreut sich TRENCHSTOP™ 5 einer hohen Marktakzeptanz und wird... |
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