| 08.05.2012 09:00 |
Infineon präsentiert die neue, wegweisende Produktfamilie CoolSiC™ 1200V SiC JFET mit Direct Drive-Technologie: Effizienzlevels für Solar-Inverter erreichen neue Dimensionen |
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Nürnberg, 8. Mai 2012 - Infineon Technologies präsentiert auf der PCIM Europe 2012 erstmals die neue Produktfamilie CoolSiC 1200V SiC JFET. Damit unterstreicht Infineon seine Stellung als Marktführer für SiC (Siliciumcarbid) -Produkte. ... |
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| 03.05.2012 07:32 |
Infineon wächst erneut – Ergebnismarge besser als erwartet |
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Neubiberg, 3. Mai 2012 - Die Infineon Technologies AG hat heute das Ergebnis für das am 31. März 2012 abgelaufene zweite Quartal des Geschäftsjahrs 2012 bekannt gegeben. ... |
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| 25.04.2012 11:00 |
Infineon stellt neue Superjunction 500V CoolMOS CE-Produkte für Konsumelektronik- und Beleuchtungs-Anwendungen vor: branchenweit bestes Preis-Leistungs-Verhältnis |
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Neubiberg, 25. April 2012 - Mit dem 500V CoolMOS CE bringt Infineon Technologies eine neue Generation von CoolMOS Superjunction-MOSFETs auf den Markt. Die neuen Produkte sind eine attraktive Alternative zu Standard-MOSFETs für die Stromversorgung in preissensiblen Anwendungen wie Beleuchtung ... |
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| 17.04.2012 10:00 |
Cappuccino und Croissant im Vorbeigehen bezahlen: Sicherheits-Chip von Infineon für Europas größtes Projekt mit kontaktlosen Bankkarten |
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Neubiberg, 17. April 2012 - Langes Warten und lästiges Kramen nach Kleingeld für Kaffee und Zeitung auf dem Weg zur Arbeit? Im Großraum Hannover, Braunschweig und Wolfsburg kann man sich das jetzt ersparen: Heute startet dort das Projekt "girogo" der Deutschen Kreditwirtschaft. ... |
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| 13.04.2012 12:30 |
Hochproduktive Entwicklungsunterstützung für Infineon XMC4000 Mikrocontroller: DAVE 3 Entwicklungsumgebung zum Download verfügbar |
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Neubiberg, 13. April 2012 - Die integrierte Entwicklungs-Plattform DAVE 3 von Infineon Technologies steht zum Download zur Verfügung: Infineon bietet damit eine umfassende und effiziente Entwicklungsunterstützung für die XMC4000 Industrie-Mikrocontroller. ... |
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| 03.04.2012 12:30 |
Fairchild Semiconductor und Infineon Technologies schließen Lizenzabkommen über innovative MOSFET-Gehäusetechnologie H-PSOF TO-Leadless für den Einsatz in der Automobilelektronik; höhere Liefersicherheit |
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Neubiberg und San Jose, Kalifornien, USA, 3. April 2012 - Die Infineon Technologies AG und Fairchild Semiconductor Corp. haben eine Lizenzvereinbarung über die Verwendung von Infineons MOSFET-Gehäusetechnologie H-PSOF (Heatsink Plastic Small Outline Flat Lead) geschlossen, ... |
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