| 24.06.2010 11:00 |
Infineon präsentiert neue Leistungstransistoren 650-V-CoolMOS C6/E6 für höchste Effizienz und einfache Kontrolle des Schaltverhaltens in Schaltnetzteilen |
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Neubiberg, 24. Juni 2010 - Die neuen leistungsfähigen 650-V-MOSFETs der CoolMOS™ C6/E6-Serie von Infineon Technologies kombinieren die Vorteile moderner SJ (Superjunction)-Bausteine mit einer einfachen Kontrolle des Schaltverhaltens sowie hoher Robustheit der leitenden Body-Diode. ... |
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| 18.06.2010 15:25 |
Infineon verbreitert Fertigungsbasis für Sicherheits-Chips |
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Neubiberg, 18. Juni 2010 - Infineon Technologies verbreitert seine Fertigungsbasis für Sicherheits-Chips und kann zukünftig auch am Fertigungsstandort von IBM in Burlington im US-Bundesstaat Vermont produzieren. Die dort gefertigten Sicherheits-Chips eignen sich für den Einsatz z. B. in ... |
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| 15.06.2010 11:00 |
Infineon leitet neues Zeitalter bei hardware-basierter Sicherheit ein: BSI bestätigt höchste Sicherheit der SLE 78 Sicherheitscontroller mit revolutionärer "Integrity Guard"-Sicherheitstechnologie |
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Neubiberg, 15. Juni 2010 - Infineons Sicherheitscontroller der SLE 78-Familie haben die Sicherheitszertifizierung für den Einsatz in elektronischen Ausweisdokumenten und Chipkartenanwendungen erhalten. Damit bestätigt das Bundesamt für Sicherheit in der Informationstechnik (BSI) das hohe ... |
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| 20.05.2010 10:00 |
Infineon und Elpida legen Rechtsstreit bei |
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Neubiberg, 20. Mai 2010 - Die Infineon Technologies AG und Elpida Memory Inc. legen ihre Rechtsstreitigkeiten wegen Patentverletzungen bei und ziehen jeweils ihre Klagen zurück. Infineon hatte im Februar 2010 ein Verfahren angestrengt und Klage bei der U.S. International Trade Commission (ITC), ... |
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| 14.05.2010 11:00 |
Infineon von Toyotas Hirose-Werk mit höchstem Qualitätspreis ausgezeichnet |
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Neubiberg und Tokio, Japan, 14. Mai 2010 - Das Hirose-Werk des Automobilherstellers Toyota hat Infineon Technologies mit seinem höchsten Qualitätspreis für außergewöhnlich gute Produktqualität ausgezeichnet. Es ist das erste Mal, dass ein nicht-japanisches Unternehmen diesen Qualitätspreis, ... |
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| 05.05.2010 09:00 |
Infineon bietet 2. Generation der ThinQ! Siliziumkarbid Schottky-Dioden jetzt auch im voll isolierten TO-220 FullPAK-Gehäuse |
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Neubiberg, 5. Mai 2010 - Infineon Technologies kündigte heute die Verfügbarkeit seiner zweiten Generation Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Dioden im TO-220 FullPAK-Gehäuse an. Das neue Produktportfolio im TO220 FullPak kombiniert die ausgezeichneten elektrischen Kennwerte der ThinQ! SiC-Schottky-Dioden ... |
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