Presse-Informationen 1339 bis 1344 von 1665
25.06.2009 15:45 Infineon hebt den Ausblick für die Geschäftsentwicklung des dritten Quartals an
Neubiberg, 25. Juni 2009 - Die Infineon Technologies AG hat heute ihre Prognose für die Geschäftsentwicklung im dritten Quartal des Geschäftsjahres 2009 angehoben. Das Segmentergebnis in Summe wird sich im laufenden Quartal voraussichtlich in Richtung Gewinnschwelle bewegen. Für das dritte Quartal ...
19.06.2009 14:15 Infineon bietet OptiMOS 3 75 V-MOSFET-Familie mit idealen Schaltcharakteristika für energieeffiziente Leistungswandlung
Neubiberg und Shenzhen, China - 19. Juni 2009 - Auf der China Power Show in Shenzhen hat Infineon Technologies heute seine neuen OptiMOS™ 3 Leistungs-MOSFETs mit einer Sperrspannung von 75 Volt vorgestellt. Die OptiMOS 3 75V-Leistungsbauelemente bieten das industrieweit beste Schaltverhalten mit ...
19.06.2009 14:00 Infineon kombiniert mit neuer Generation von CoolMOS MOSFETs die Vorteile der Superjunction-Technologie mit den Stärken traditioneller Hochvolt-Bauelemente
Neubiberg und Shenzhen, China - 19. Juni 2009 - Auf der China Power Show in Shenzhen hat Infineon Technologies heute mit der CoolMOS™ C6-Familie seine nächste CoolMOS-Generation und erste Produkte mit einer Sperrspannung von 600 Volt vorgestellt. Mit der neuen 600 V CoolMOS C6-Serie lassen sich ...
09.06.2009 15:00 Neue LDMOS-Leistungstransistoren von Infineon mit hoher Ausgangsleistung und Bandbreiten-Performance für Mobilfunk-Basisstationen der nächsten Generation
Neubiberg und Boston, USA, 9. Juni 2009 - Auf dem IEEE MTT-S International Microwave Symposium hat die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) heute eine neue Familie LDMOS-Leistungstransistoren für den Einsatz in Mobilfunk-Basisstationen für Breitbandübertragungen präsentiert. ...
09.06.2009 15:00 Infineon präsentiert die ersten integrierten Dual LDMOS-Leistungsverstärker; Ideal geeignet für Doherty-Architektur und kompakte Verstärker in Mobilfunk-Applikationen
Neubiberg und Boston, USA, 9. Juni 2009. Auf dem IEEE MTT-S International Microwave Symposium in Boston hat die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) heute die erste Baureihe mit integrierten Dual LDMOS-Leistungsverstärkern für Basisstationen von Mobilfunknetzen vorgestellt. ...
09.06.2009 09:40 Infineon und LS Industrial Systems erschließen Märkte für Weiße Ware in Korea und Asien; Joint Venture beschleunigt Marktzugang für Leistungsmodule
Seoul, Korea und Neubiberg, 9. Juni 2009 - Das koreanische Unternehmen LS Industrial Systems und Infineon Technologies gaben heute die Gründung eines Joint Ventures bekannt, mit dem sie ihr Geschäft bei Leistungsmodulen für Weiße Ware in Korea und Asien ausbauen wollen. ...
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