17.07.2006 08:00 |
Infineon liefert Multimedia-Plattform für EDGE-Mobiltelefone an LGE |
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München - 17. Juli 2006 - Infineon Technologies AG (FSE/NYSE: IFX) hat bekannt gegeben, dass der koreanische Elektronikkonzern LG Electronics (LGE) von Infineon Plattformen für seine neuen EDGE-Mobiltelefone (EDGE – Enhanced Data Rates for GSM Evolution) beziehen wird. Die kürzlich von LGE, ... |
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15.07.2006 14:00 |
Tag der offenen Tür bei Infineon - Offizielle Einweihung des neuen Firmensitzes |
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München/Neubiberg, 17. Juli 2006 - Infineon feierte am Samstag die offizielle Einweihung der neuen Firmenzentrale "Campeon" in Neubiberg bei München. Nachdem der eigentliche Einzug bereits Ende Januar abgeschlossen wurde, lud der größte europäische Halbleiterhersteller nun seine Mitarbeiter und ... |
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28.06.2006 09:00 |
Infineon-Automobilelektronik wächst schneller als der Markt - Weltweite Marktposition 2 weiter ausgebaut |
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München, 28. Juni 2006 - Nach der neuesten Studie des amerikanischen Marktforschungsinstituts Strategy Analytics, Boston, sind Infineons Halbleiterprodukte für die Automobilelektronik in 2005 mit einem Umsatzplus von 11,9 % erneut deutlich schneller gewachsen als der Weltmarkt, der um 7,5 % auf 16,4 Milliarden US-Dollar zulegte... |
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22.06.2006 09:00 |
Infineon integriert RF- und IF-Funktionen in Single-Chip TV-Tuner-IC: Geringe Leistungsaufnahme, halb so große Platinenfläche, überragendes Kosten/ Nutzen-Verhältnis |
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München - 22. Juni 2006 - Infineon Technologies AG, ein führender Anbieter von TV-Tuner-ICs, hat heute den Strom sparenden Tuner-Chip Taifun TUA6039 vorgestellt. Der TUA6039 integriert die komplette RF(Radio Frequency)- und IF(Intermedia Frequency, Zwischenfrequenz)-Funktionalität auf einem Chip und ... |
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12.06.2006 15:00 |
Infineon reduziert Produktionskosten und Größe von 3G-Mobiltelefonen durch Einführung von BAW-Filtern mit Wafer-Level Packaging |
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San Francisco - 12. Juni 2006 - Infineon Technologies AG, ein führender Anbieter von integrierten Schaltkreisen für Kommunikationsapplikationen, stellte heute auf dem MTT International Microwave Symposium in San Francisco zwei neue BAW-Filter (BAW - Bulk Acoustic Wave) für UMTS-/W-CDMA-Mobiltelefone... |
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12.06.2006 15:00 |
Infineon’s LDMOS-Technologie der nächsten Generation für Leistungsverstärker in Mobilfunknetzen bringt 25 Prozent höhere Leistungsdichte, setzt Hochleistungs-Plastic Packaging-Technologie ein |
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San Francisco - 12. Juni 2006 - Infineon Technologies hat heute auf dem MTT International Microwave Symposium die nächste Generation seiner LDMOS-Technologie (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor) vorgestellt. Diese Technologie wird zur Herstellung hochleistungsfähiger RF-Transistoren ... |
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