| 03.05.2023 09:00 |
Infineon erweitert Lieferantenbasis für Siliziumkarbid; neuer Liefervertrag mit SICC über Wafer und Boules |
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München, 3. Mai 2023 – Die Infineon Technologies AG hat einen Vertrag mit dem chinesischen Siliziumkarbid (SiC)-Lieferanten SICC unterzeichnet, um die SiC-Lieferantenbasis des Unternehmens zu diversifizieren und zusätzliche wichtige SiC-Quellen zu sichern. Im Rahmen der Vereinbarung wird SICC den deutschen Halbleiterhersteller mit wettbewerbsfähigen und qualitativ hochwertigen 150-Millimeter-Wafern und -Boules für die Herstellung von SiC-Halbleitern beliefern und damit langfristig einen zweistelligen prozentualen Anteil der prognostizierten Nachfrage decken. |
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| 02.05.2023 15:48 |
Infineon setzt Spatenstich für neues Werk in Dresden gemeinsam mit EU-Kommissionspräsidentin Ursula von der Leyen, Bundeskanzler Olaf Scholz, Sachsens Ministerpräsident Michael Kretschmer und Dresdens Oberbürgermeister Dirk Hilbert |
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München und Dresden, 2. Mai 2023 – Die Infineon Technologies AG hat gemeinsam mit Spitzenpolitikern aus Brüssel, Berlin und Sachsen den Spatenstich für ein neues Werk in Dresden gesetzt. EU-Kommissionspräsidentin Ursula von der Leyen, Bundeskanzler Olaf Scholz, Sachsens Ministerpräsident Michael Kretschmer und Dresdens Oberbürgermeister Dirk Hilbert starteten gemeinsam mit dem Infineon-Vorstandsvorsitzenden Jochen Hanebeck symbolisch die Bauarbeiten. Das neue Werk ist mit einem Investitionsvolumen von fünf Milliarden Euro die größte Einzelinvestition in der Geschichte von Infineon. |
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| 02.05.2023 08:40 |
Spatenstich Smart Power Fab Dresden (Hinweise) |
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Die Zeremonie kann von allen Interessierten live im Internet verfolgt werden. Direkt im Anschluss erfolgt die Veröffentlichung einer Presseinformation mit aktuellem Bildmaterial. Auf Anfrage bieten wir TV-Stationen Schnittbilder aus der Fertigung. |
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| 28.04.2023 13:15 |
EZ-PD™ USB-C PD-Lösungen von Infineon ermöglichen fortschrittliche Multimedia- und Ladelösungen für Fahrzeuge |
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München – 28. April 2023 – Infineon Technologies AG präsentiert den EZ-PD™ CCG7D, eine Dual-Port-USB-C-Power-Delivery-Lösung (PD) mit integriertem Boost-Controller für Kfz-Ladeanwendungen. Der USB-C PD IC entspricht den neuesten USB Typ-C und PD Spezifikationen (Ver. 3.1) und ist AEC Q-100 qualifiziert. Die PD-Lösung wurde speziell für Fahrzeuganwendungen entwickelt, die den Display Port (DP) im Alternate Mode unterstützen. Diese Lösung wurde in Zusammenarbeit mit Li Auto, einem chinesischen Hersteller von Elektrofahrzeugen, in dessen neuem SUV-Modell L9 implementiert. Sie ermöglicht es, USB-Geräte aufzuladen und gleichzeitig Multimedia-Inhalte mit dem Fahrzeug zu teilen. Damit eignet sich das Gerät besonders für Ladeanwendungen im Fahrzeug, wie beispielsweise Ladegeräte für das Infotainment-System, Rücksitzladegeräte und Font-Entertainment-Systeme. |
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| 28.04.2023 10:15 |
Infineon präsentiert HybridPACK™ Drive G2, ein neues Leistungsmodul für Traktionswechselrichter von Elektrofahrzeugen |
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München, 28. April 2023 – Infineon Technologies AG stellt ein neues Automotive-Leistungsmodul vor: Das HybridPACK™ Drive G2. Es baut auf dem bewährten HybridPACK Drive G1-Konzept eines integrierten B6-Gehäuses auf, bietet Skalierbarkeit bei gleichem Platzbedarf und ermöglicht höhere Leistung und einfachere Bedienung. Das HybridPACK Drive G2 wird in verschiedenen Stromstärken und Spannungsklassen (750 V und 1200 V) erhältlich sein und die Chiptechnologien der kommenden Generation EDT3 (Si IGBT) und CoolSiC™ G2 MOSFET von Infineon enthalten. |
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| 27.04.2023 13:15 |
Neue EiceDRIVER™ 1200-V-Halbbrückentreiber-IC-Familie mit Active Miller Clamp für größere Robustheit in Systemen mit hoher Leistung |
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München – 27. April 2022 – Nach Einführung der 1200 V SOI 3-Phasen-Gate-Treiberfamilie EiceDRIVER™ 6ED223xS12T erweitert die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) das Portfolio nun um die EiceDRIVER 2ED132xS12x-Familie. Die Halbbrücken-Konfiguration der Treiber-ICs ergänzt das bestehende 1200-V-Silicon-on-Isolator-(SOI)-Portfolio und bietet Kunden eine größere Auswahl und Design-Flexibilität. Der erhöhte Ausgangsstrom der Bauteile erweitert die Anwendbarkeit des Portfolios auf höhere Systemleistungen. Sie bieten führende negative VS-Transienten-Immunität, Shoot-Through-Schutz, Unterspannungsabschaltung und schnellen Überstromschutz. Dadurch wird die Materialliste reduziert und ein robusteres Design mit kompaktem Formfaktor ermöglicht. Die Familie eignet sich für Hochleistungsanwendungen wie kommerzielle HLK-Systeme, Wärmepumpen, Servomotoren, industrielle Wechselrichter, Pumpen und Lüfter bis zu 10 kW. |
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