| Presse-Informationen 271 bis 276 von 1722 |
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| 10.05.2023 10:15 |
CALYPSO™ move von Infineon ermöglicht leicht interoperable Ticketing-Lösungen und basiert auf offenen Standards |
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München – 10. Mai 2023 – Da die Städte zunehmend wachsen, müssen die Betreiber öffentlicher Verkehrsmittel immer höhere Fahrgastzahlen bewältigen, insbesondere bei Großveranstaltungen wie Fußballspielen und den Olympischen Spielen. Zusammen mit dem Bedürfnis nach Nachhaltigkeit und Komfort entsteht dadurch ein schnell wachsender Markt für digitales Ticketing und intelligente Mobilität. Dazu bedarf es jedoch offener Standards, die gesicherte, komfortable und interoperable Ticketing-Lösungen mit der nötigen Transparenz und dem nötigen Vertrauen ermöglichen. Die Infineon Technologies AG adressiert diese Entwicklung mit CALYPSO™ move, dem ersten gesicherten Speicherchip für einfaches kontaktloses Ticketing auf Basis der Calypso®-Basisspezifikation. Das Produkt ermöglicht den Herstellern, die spezifischen Anforderungen jedes Verkehrsunternehmens und jeder Behörde zu erfüllen, ohne dass Magnetstreifen, Barcodes und proprietäre Tickets verwendet werden müssen. |
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| 09.05.2023 14:15 |
Die nächste Generation der isolierten Zweikanal-Gate-Treiber-ICs von Infineon erweitert die Leistungsgrenzen von SMPS-Designs |
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München – 10 Mai 2023 – Heutige 3,3 kW Schaltnetzteile (SMPS) erreichen durch den Einsatz neuester Technologien Leistungsdichten von 100 W/inch³. Hierzu gehören beispielsweise Superjunction (SJ-Silizium) und Siliziumkarbid-(SiC)-Leistungs-MOSFETs in der Totempol PFC-Stufe sowie Galliumnitrid-(GaN)- Leistungsschalter für den Betrieb der Hochspannungs-DC-DC-Stufe. Die digitale Steuerung der PFC- und DC-DC-Stufen ist entscheidend für maximale Effizienz und Robustheit, ebenso wie der Einsatz optimierter Gate-Drive-Lösungen. Die Infineon Technologies AG stellt daher die nächste Generation der EiceDRIVER™-Produktfamilie von zweikanaligen, galvanisch getrennten Gate-Treiber-ICs vor, die den neuesten Design- und Applikationsanforderungen entsprechen. |
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| 09.05.2023 12:00 |
Infineon und Hon Hai Technology Group (Foxconn) unterzeichnen MoU für Zusammenarbeit bei SiC und Nutzung der jeweiligen Expertise in der EV-Entwicklung |
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München, Deutschland, und Taipeh, Taiwan – 9. Mai 2023 – Die Infineon Technologies AG, führender Anbieter von Automotive-Halbleitern, und die Hon Hai Technology Group („Foxconn“) (TWSE:2317), der weltweit größte Anbieter von Elektronik-Fertigungsdienstleistungen, wollen eine langfristige Partnerschaft im Bereich Elektrofahrzeuge (EV) eingehen. Ziel ist die gemeinsame Entwicklung fortschrittlicher Elektromobilität mit effizienten und intelligenten Funktionen. Das Memorandum of Understanding (MoU) konzentriert sich auf Entwicklungen mit Siliziumkarbid (SiC), wobei sowohl SiC-Innovationen von Infineon im Automotive-Bereich als auch Foxconns Know-how bei Automobilsystemen zum Tragen kommen. |
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| 08.05.2023 10:45 |
Die neuen CoolSiC™ XHP™ 2-Hochleistungsmodule von Infineon ermöglichen energieeffiziente elektrifizierte Züge und beschleunigen die Dekarbonisierung |
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München – 8. Mai 2023 – Damit die globalen Klimaziele erreicht werden können, muss der Verkehr auf umweltfreundlichere Fahrzeuge umgestellt werden, beispielsweise auf energieeffiziente, elektrifizierte Züge. Doch die Lastprofile von Zügen sind anspruchsvoll: Sie müssen häufig beschleunigen und bremsen und gleichzeitig über eine lange Lebensdauer hinweg zuverlässig funktionieren. Daher sind energieeffiziente Traktionsanwendungen mit hoher Leistungsdichte, Zuverlässigkeit und Qualität für die Umsetzung erforderlich. Die Infineon Technologies AG adressiert diese Anforderungen mit zwei neuen Produkten in ihrem CoolSiC™-Leistungsmodul-Portfolio: dem FF2000UXTR33T2M1 und dem FF2600UXTR33T2M1 – beide Leistungsmodule verwenden 3,3 kV CoolSiC-MOSFETs und die .XT-Verbindungstechnologie von Infineon. Die Module sind in einem XHP™2-Gehäuse untergebracht und wurden speziell für Traktionsanwendungen entwickelt. |
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| 05.05.2023 14:15 |
Infineon präsentiert CoolGaN™ 600 V GIT HEMT-Portfolio mit höchster Leistung und Qualität bei umfassender Verfügbarkeit |
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München – 5. Mai 2023 – Die Infineon Technologies AG hat die auf CoolGaN™ basierende 600-V-HD-GIT-Technologie (Hybrid-Drain-Embedded-Gate-Injection-Transistor) erfolgreich in die eigene Fertigung integriert. Das Unternehmen bietet nun das gesamte Portfolio an hochwertigen GaN-Bauelementen für den breiten Markt an. Die Lieferkette von Infineon ermöglicht es, ein umfassendes GaN-Portfolio mit einer breiten Palette an diskreten und voll integrierten GaN-Bauteilen anzubieten, die die Lebensdaueranforderungen der JEDEC weit übertreffen. Die Bauteile sind für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert, von industriellen Server-Stromversorgungen, Telekommunikations- und Solaranwendungen bis hin zu Anwendungen in der Unterhaltungselektronik wie Ladegeräte und Adapter, Motorantriebe, TV-/Monitor- und LED-Beleuchtungssysteme. |
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| 05.05.2023 10:15 |
Neue OptiMOS™ 7 40V MOSFET-Familie für Automotive-Anwendungen verbessert Durchlasswiderstand, Schalteffizienz sowie Design-Robustheit |
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München – 5. Mai 2023 – Die Infineon Technologies AG präsentiert die neue OptiMOS™ 7 40V MOSFET-Familie, die neueste Generation an Leistungs-MOSFETs für Automobilanwendungen, erhältlich in einer Vielzahl von robusten Leistungsgehäusen ohne Bedrahtung. Die neue Familie kombiniert die 300-mm-Dünn-Wafer-Fertigung mit innovativem Packaging und bietet so deutliche Leistungsvorteile in sehr kleinen Gehäusen. Damit eignen sich die MOSFETs ideal für alle aktuellen und zukünftigen 40-V-MOSFET-Automotive-Anwendungen wie beispielsweise elektrische Servolenkung, Bremssysteme, Trennschalter und neue Zonenarchitekturen. Darüber hinaus sind die OptiMOS 7-Produkte ausgelegt für Batteriemanagement, E-Sicherungsboxen sowie DC-DC-Konverter und BLDC-Antriebe in einer Vielzahl von Varianten. |
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