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| 16.09.2024 10:15 |
Der neue XENSIV™ PAS CO2 5V Sensor von Infineon verbessert die Energieeffizienz und Luftqualität in Gebäuden |
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München, 16. September 2024 – Der Gebäudesektor ist maßgeblich am weltweiten Energieverbrauch und den Kohlenstoffemissionen beteiligt. Um die Dekarbonisierung weiter voranzutreiben, ist es daher entscheidend, die Energieeffizienz von Gebäuden zu verbessern. Dies erfordert innovative Lösungen, die den Energiebedarf optimieren und gleichzeitig für ein gesundes Raumklima sorgen. Die Infineon Technologies AG reagiert auf diesen Bedarf mit der Einführung des neuen XENSIV™ PAS CO2 5V Sensors. Der Sensor basiert auf der photoakustischen Spektroskopie (PAS) und verbessert die Energieeffizienz, indem er die Belüftung an die tatsächliche Raumbelegung anpasst und dadurch die CO2-Bilanz von Gebäuden reduziert. Damit eignet sich das Produkt für Anwendungen wie Heizungs-, Lüftungs- und Klimaanlagen (HVAC) sowie für Raumregler und Thermostate in Gewerbe- und Wohngebäuden. Darüber hinaus kann der Sensor für IoT-Geräte und Unterhaltungselektronik wie intelligente Beleuchtung, Luftreiniger, Konferenzsysteme und intelligente Lautsprecher sowie für intelligente Gartenbau- und Kühlgeräte verwendet werden. |
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| 12.09.2024 11:15 |
Infineon erhält ASCM Award of Excellence 2024 |
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München, 12. September 2024 – Die Infineon Technologies AG wurde von der „Association for Supply Chain Management“ (ASCM), der weltweit führenden Organisation für Supply Chain Learning, Transformation, Innovation und Leadership, mit dem „ASCM Award of Excellence - Corporate Transformation“ ausgezeichnet. Die Auszeichnung ist eine Würdigung für die mehrwertschaffende Umgestaltung der Lieferkette mit Hilfe der globalen Standards von ASCM. Infineon wurde für eine Supply-Chain-Initiative ausgezeichnet, die das SCOR-Modell (Supply Chain Operations Reference) der ASCM umsetzt. Durch die Fokussierung auf die Bedürfnisse der Kunden konnte Infineon die Kundenzufriedenheit deutlich verbessern, die Kapazitätsauslastung optimieren und erhebliche Kosteneinsparungen erzielen. |
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| 12.09.2024 10:00 |
Automatisiertes Fahren: ZF und Infineon optimieren mit KI-Algorithmen Software und Steuergeräte für Fahrdynamik |
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Friedrichshafen und München – 12. September 2024 – Wenn Lastwagen im sogenannten „Platooning“ auf der Autobahn automatisiert hintereinander unterwegs sind oder Autos automatisch die Spur wechseln, müssen alle Fahrzeugbewegungen ohne menschlichen Fahrer präzise und schnell berechnet und ausgeführt werden. Dank Software und AI-Algorithmen werden Antrieb, Bremsen, Vorder- und Hinterradlenkung sowie Dämpfungssysteme sicher gesteuert. Je effizienter die KI-Algorithmen sind, desto besser lässt sich die Rechenleistung nutzen. |
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| 11.09.2024 12:30 |
Infineon mit neuartiger Siliziumkarbid-Lösung für Deutschen Zukunftspreis 2024 nominiert |
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München, Deutschland – 11. September 2024 – Die Infineon Technologies AG ist für die Entwicklung eines neuartigen Energiesparchips auf Basis des innovativen Halbleitermaterials Siliziumkarbid (SiC) für den Deutschen Zukunftspreis 2024, den Preis des Bundespräsidenten für Technik und Innovation, nominiert. Die Jury hat die insgesamt drei nominierten Teams heute in München bekanntgegeben. Einem Entwickler-Team von Infineon ist es gemeinsam mit der Technischen Universität Chemnitz gelungen, den weltweit ersten Siliziumkarbid-MOSFET mit vertikalem Kanal (Trench-MOSFET) und innovativer Kupferkontaktierung in der 3300V-Spannungsklasse zu entwickeln. Bei den neuen SiC-Modulen und den darauf basierenden Stromrichtern handelt es sich um einen revolutionären Innovationssprung in der Halbleitertechnologie von herkömmlichen Silizium hin zu energieeffizienterem Siliziumkarbid, durch den sich Schaltverluste bei Hochstromanwendungen um 90 Prozent reduzieren. |
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| 11.09.2024 10:00 |
Infineon präsentiert weltweit erste 300-Millimeter-Galliumnitrid (GaN)-Power-Technologie – ein Meilenstein für die Branche |
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München, Deutschland und Villach, Österreich - 11. September 2024 – Die Infineon Technologies AG gab heute bekannt, dass es dem Unternehmen gelungen ist, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für die Leistungselektronik zu entwickeln. Infineon ist das erste Unternehmen weltweit, das diese bahnbrechende Technologie in einer bestehenden, skalierbaren Hochvolumenfertigung beherrscht. Dieser Durchbruch wird dazu beitragen, den Markt für GaN-basierte Leistungshalbleiter deutlich voranzutreiben. Die Chip-Produktion auf 300-Millimeter-Wafern ist technologisch fortschrittlicher und wesentlich effizienter als auf 200-Millimeter-Wafern, da der größere Wafer-Durchmesser die 2,3-fache Menge an Chips pro Wafer ermöglicht. |
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| 10.09.2024 11:15 |
Infineon kündigt StrongIRFET™ 2 30 V-Leistungs-MOSFET-Portfolio für Massenmarkt-Anwendungen an |
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München, 10. September 2024 – Die Infineon Technologies AG bringt die neuen StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs mit 30 V auf den Markt und erweitert damit die existierende StrongIRFET 2-Familie, um der wachsenden Nachfrage nach 30-V-Lösungen im Massenmarkt zu begegnen. Die neuen Leistungs-MOSFETs wurden für hohe Robustheit und Benutzerfreundlichkeit optimiert. Sie wurden speziell für die Anforderungen eines breiten Anwendungsspektrums entwickelt und ermöglichen so eine hohe Design-Flexibilität. Zu den Anwendungen zählen industrielle Schaltnetzteile (SMPS), Motorantriebe, batteriebetriebene Anwendungen, Batteriemanagementsysteme und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV). |
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