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| 13.04.2022 12:45 |
Infineon erweitert CoolSiC™ Technologieportfolio um 1200-V-SiC-MOSFETs M1H mit verbesserten Eigenschaften für höchste Systemeffizienz |
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München – 13. April 2022 – Die Infineon Technologies AG stellt eine neue CoolSiC™-Technologie vor: den CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H. Der verbesserte Siliziumkarbid-(SiC)-Chip wird in einem stark erweiterten Portfolio eingesetzt, das sowohl die erfolgreiche Easy-Modul-Familie umfasst wie auch diskrete Gehäuse mit .XT-Verbindungstechnologie. Der Chip bietet eine hohe Flexibilität und eignet sich für Solarenergiewandlersysteme, wie beispielsweise Wechselrichter, die Spitzenbedarf abdecken müssen. Darüber hinaus ist der Chip ideal für Anwendungen wie schnelles Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeichersysteme und andere industrielle Anwendungen. |
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| 12.04.2022 10:45 |
Infineon erweitert Backend-Fertigung in Indonesien |
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München, Deutschland, und Batam, Indonesien – 12. April 2022 – Die Infineon Technologies AG baut den Backend-Fertigungsstandort in Indonesien weiter aus: PT Infineon Technologies Batam wird hierfür Werksgebäude von PT Unisem kaufen, einem Unternehmen der Unisem Group. Das Gelände liegt nahe der bestehenden Backend-Fertigungsstätte von Infineon in Batam. Voll ausgebaut, werden die Gebäude die Produktionsfläche am Standort verdoppeln. Im Zuge dieser Expansion wird das Werk in Batam einen noch stärkeren Fokus auf Montage und Test von Chips für die Automobilindustrie setzen. |
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| 04.04.2022 09:15 |
Hyundai Motor Group ehrt Infineon für Lieferkompetenz und strategische Zusammenarbeit bei Elektroautos |
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München, Deutschland, und Seoul, Südkorea – 4. April 2022 – Die Hyundai Motor Group (HMG) hat die Infineon Technologies AG als „Partner des Jahres 2021“ ausgezeichnet. Mit diesem „Special Award for Supply Competence“ würdigt einer der weltweit führenden Automobilhersteller den Einsatz von Infineon, unsichere Lieferketten angesichts der Herausforderungen wie Covid-19 und globaler Halbleiterknappheit zu stabilisieren. |
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| 31.03.2022 11:15 |
Power-Management-Komplettlösungen für nächste Generation der Intel-Xeon-Prozessoren verbessern Leistung und Energieeffizienz von Rechenzentren |
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München – 31. März 2022 – Die Infineon Technologies AG stellt ein vollständiges Power-Management-Angebot für Computer-Server vor, die auf den Sapphire Rapids Compute Processing Units (CPU) von Intel basieren. Diese „Pick-and-place“-Lösung nutzt verschiedene Power-Management-Bauteile und -Technologien von Infineon, um optimale Energieeffizienz und Leistung zu erzielen – darunter XDP™ Digital Multiphase Controller, OptiMOS™ Integrated Power Stages und OptiMOS IPOL-Spannungsregler. Das Angebot hilft dabei, das grüne Potenzial von Rechenzentren zu heben. |
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| 21.03.2022 10:15 |
Optimierte CoolSiC™ MOSFETs 650 V im D²PAK-Gehäuse reduzieren Verluste in der Anwendung und erhöhen die Zuverlässigkeit im Betrieb |
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München – 21. März 2022 – Megatrends wie die Digitalisierung, Urbanisierung und Elektromobilität führen zu einem erhöhten Energiebedarf. Gleichzeitig gewinnt die Energieeffizienz immer mehr an Bedeutung. Die Infineon Technologies AG reagiert auf diese Megatrends und die daraus resultierenden Anforderungen und bringt die neue Produktfamilie CoolSiC™ 650 V MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC) auf den Markt. Sie zeichnet sich durch zuverlässige, einfach zu handhabende und kostengünstige Spitzenleistung aus. Die Bauteile basieren auf der hochmodernen SiC-Trench-Technologie von Infineon und werden in einem kompakten D²PAK SMD 7-Pin-Gehäuse mit .XT-Verbindungstechnologie geliefert. Sie eignen sich für Hochleistungsanwendungen wie Server, Telekommunikation, Industrie-SMPS, schnelles Laden von Elektrofahrzeugen, Motorantriebe, Solarenergiesysteme, Energiespeichersysteme und Batterieformation. |
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| 18.03.2022 10:15 |
Die neuen EiceDRIVER™ 2EDN-Gate-Treiber-ICs setzen neue Maßstäbe hinsichtlich Formfaktor, UVLO-Reaktion und aktiver Ausgangsklemmung |
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München – 18. März 2022 – Die Infineon Technologies AG bringt eine neue EiceDRIVER™ 2EDN-Produktfamilie auf den Markt. Ausgerichtet auf platzbegrenzte Designs, ergänzen die Bauteile der nächsten Generation die bestehenden 2EDN-Treiber-ICs. Dabei bieten sie eine höhere Effizienz auf Systemebene, eine ausgezeichnete Leistungsdichte und eine konsistente Systemrobustheit mit weniger externen Komponenten. Mit dieser Erweiterung ist die 2EDN-Familie nun in der Lage, die Leistungsschaltung zu verbessern in Anwendungen wie Servern, Telekommunikation, DC-DC-Wandlern, industriellen Stromversorgungen, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, Motorsteuerungen, Elektrofahrzeugen mit geringer Geschwindigkeit, Akku-Werkzeuge, LED-Beleuchtung und Solarenergiesystemen. |
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