| 04.05.2021 14:30 |
Infineon präsentiert CoolGaN™ IPS-Familie für Anwendungen im unteren und mittleren Leistungsbereich von 30 bis 500 W |
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München – 4. Mai 2021 – Leistungsschalter auf Basis des Wide-Bandgap (WBG) Halbleiters Galliumnitrid (GaN) ermöglichen die Realisierung von Systemen mit hervorragendem Wirkungsgrad und hoher Schaltfrequenz. Damit eröffnet diese Technologie vollkommen neue Möglichkeiten in der Leistungselektronik. Um diese Entwicklung zu unterstützen, erweitert die Infineon Technologies AG ihr umfangreiches Portfolio an WBG-Leistungshalbleitern um die neue CoolGaN™ IPS-Produktfamilie (IPS – integrated power stage). Zu Beginn enthält das IPS-Portfolio sowohl Produkte mit Einzelschaltern als auch solche mit zwei Schaltern in Halbbrückenkonfiguration; Zielanwendungen sind Ladegeräte und Adapter sowie interne und externe Stromversorgungen. |
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| 04.05.2021 07:33 |
Positive Entwicklung bei Umsatz und Ergebnis hält an; starker Free-Cash-Flow; Jahresprognose erneut leicht angehoben |
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Neubiberg, 4. Mai 2021 – Die Infineon Technologies AG gibt heute das Ergebnis für das am 31. März 2021 abgelaufene zweite Quartal des Geschäftsjahres 2021 bekannt. |
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| 03.05.2021 12:15 |
Hybrid-Flyback-Controller XDPS2201 ermöglicht USB-PD-Ladegeräte- und Adapter-Anwendungen mit höchster Leistungsdichte und höchstem Wirkungsgrad |
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München – 3. Mai 2021 – Neue Technologie- und Marktentwicklungen bei Schnellladegeräten und -adaptern stellen Entwickler von Stromversorgungssystemen immer wieder vor Herausforderungen. Um die steigenden Anforderungen an Leistungsdichte und Energieeffizienz zu erfüllen, erweitert die Infineon Technologies AG die XDP™-Familie um das erste anwendungsspezifische Standardprodukt, das auf einer asymmetrischen Halbbrücken-Flyback-Topologie basiert. Der XDPS2201 im DSO-14 SMD-Gehäuse ist eine hochintegrierter, digitaler und konfigurierbarer Hybrid-Flyback-Controller, der auf AC-DC-Stromversorgungen mit hoher Leistungsdichte wie Adapter und USB-PD-Schnellladegeräte abzielt. |
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| 03.05.2021 09:00 |
Industrieweit erstes qualifiziertes Six-Pack-Leistungsmodul mit SiC für Traktionsumrichter in Elektrofahrzeugen – HybridPACK™ Drive CoolSiC™ ermöglicht einfache Leistungssteigerung |
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München – 3. May 2021 – Die Infineon Technologies AG bringt ein neues Leistungsmodul mit CoolSiC™ MOSFET-Technologie für Automotive-Anwendungen auf den Markt. Auf der diesjährigen virtuellen Fachmesse PCIM präsentiert Infineon das neue HybridPACK™ Drive CoolSiC™, ein Vollbrückenmodul mit 1200 V Sperrspannung, das für Traktionsumrichter in Elektrofahrzeugen optimiert ist. Das Leistungsmodul basiert auf der CoolSiC-Trench-MOSFET-Technologie für Automotive-Anwendungen und ermöglicht eine höhere Effizienz, Leistungsdichte und Performance. Damit führt das Modul zu einem höheren Wirkungsgrad in Umrichtern und ermöglicht größere Reichweiten bei niedrigeren Batteriekosten – insbesondere in Fahrzeugen mit 800-V-Batteriesystemen und einer großen Batteriekapazität. |
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| 30.04.2021 11:45 |
2300 V isolierter EiceDRIVER™ 2L-SRC Compact: Optimiert Systemeffizienz und EMI in besonders kompaktem Formfaktor |
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München – 30. April 2021 – Höchste Effizienz ist eine Grundvoraussetzung für die Leistungselektronik von heute. Aus diesem Grund stellt die Infineon Technologies AG die neueste isolierte EiceDRIVER™ 2L-SRC Compact (1ED32xx) Gate-Treiberfamilie in kompakter Bauform vor. Die Gate-Treiberfamilie im 8 mm breiten Gehäuse ermöglicht ein einfaches Design-in und integriert eine zweistufige Steuerung für den Flankenanstieg, wodurch die Systemeffizienz deutlich verbessert wird. Mit ihrer hohen Spannungsfestigkeit und den Sicherheitsfunktionen eignet sich die Produktfamilie für Anwendungen mit anspruchsvollen Isolationsanforderungen. Hierzu gehören industrielle Antriebe mit 1700 V, aber auch Solaranlagen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und das Laden von Elektrofahrzeugen. |
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| 29.04.2021 10:15 |
EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET-Leistungsmodule mit neuem Keramik-Substrat ermöglichen höhere Leistungsdichte und kompaktere Designs |
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München – 29. April 2021 – Ein neues Leistungsmodul mit Keramik-Substrat aus Aluminiumnitrid (AIN) ergänzt die EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET-Familie der Infineon Technologies AG. Die Bauteile sind erhältlich als Halbbrücken-Konfiguration mit einem Durchlasswiderstand (RDS(on)) von 11 mΩ in einem EasyDUAL 1B-Gehäuse sowie mit 6 mΩ in einem EasyDUAL 2B-Gehäuse. Durch die verbesserten Eigenschaften der Hochleistungskeramik eignen sich die 1200-V-Module für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte wie Solaranlagen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Hilfsbetriebeumrichter sowie Energiespeichersysteme und Ladestationen für Elektrofahrzeuge. |
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