München – 12. September 2018 - Jedes Mal, wenn ein Leistungs-MOSFET in einem Schaltnetzteil (Switched-Mode Power Supply, SMPS) ein- oder ausgeschaltet wird, verursachen parasitäre Induktivitäten ein Ground Shift. Dies kann zu unkontrollierten Schaltvorgängen von Gate-Treiber-ICs führen. Im Extremfal...
München – 6. September 2018 – Die Infineon Technologies AG stellt den IRS2007S 200 V Halbbrückentreiber-IC in einem SOIC-8-(DSO-8)-Gehäuse vor. Er gehört zur Treiberfamilie EiceDRIVER™ 200 V Level-Shift. Mit Unterspannungsabschaltung (UVLO) für VCC und VBS sorgt der neue Gate-Treiber für eine höhere Zuverlässigkeit im Anfahrbetrieb als frühere Produktgenerationen. ...
Infineon Technologies AG und Zylia, ein in Polen ansässiger Entwickler von Aufnahmetechnologien, haben das erste tragbare Tonstudio der Welt entwickelt.
München – 22. August 2018 – Hoch performante Low-Power-Schaltnetzteile benötigen immer mehr Hochvolt-MOSFETs. Infineon Technologies AG führt für diese Anwendungen ein neues Mitglied aus seiner CoolMOS™ P7-Familie, die 950-V-CoolMOS P7 Superjunction-MOSFETs, ein. Die neuen Leistungsschalter erfüllen ...
München, 21.08.2018 – Der weltweite Energiebedarf nimmt beständig zu. Treiber sind die Elektrifizierung in der Industrie, in der Mobilität und im privaten Verbrauch sowie die steigende Anzahl der Verbraucher. Dies erhöht den Bedarf an effizienten Leistungshalbleitern. Diese werden überall dort einge...
