| 29.05.2018 10:15 |
Höchste Leistungsdichte für 650 V IGBT in D2PAK für Oberflächenmontage |
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München – 29. Mai 2018 – Die Infineon Technologies AG erweitert das Produktportfolio mit der Dünnwafer-Technologie TRENCHSTOP™ 5 IGBT. Die neue 650-V-Familie bietet bis zu 40 A mit einer vollwertigen 40-A-Diode im Gehäuse TO-263-3, auch bekannt als D2PAK. Der neue TRENCHSTOP 5 IGBT im D2PAK-Gehäuse... |
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| 25.05.2018 10:15 |
Starke IT-Sicherheit für das Auto der Zukunft – Forschungsverbund entwickelt neue Ansätze |
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München, 25. Mai 2018 - Je mehr die Elektronik Autos lenkt, beschleunigt und bremst, desto wichtiger wird der Schutz vor Cyber-Angriffen. Deshalb erarbeiten 15 Partner aus Industrie und Wissenschaft in den kommenden drei Jahren neue Ansätze für die IT-Sicherheit im selbstfahrenden Auto. ... |
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| 24.05.2018 10:15 |
Die CIPOS™ Mini-IPMs von Infineon sorgen für höhere Effizienz bei Antrieben für Kleinmotoren |
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München - 24. Mai 2018 - Aufgrund weltweiter Standards für Energieeffizienz dürfen Hersteller oft keine Produkte importieren oder verkaufen, deren Wirkungsgrad gering ist. Um diese Anforderungen zu erfüllen, müssen Energieverluste deshalb durch neueste Technologie reduziert werden. Die Infineon Technologies AG bietet hierfür ab sofort die Baureihen IM512 und IM513 der CIPOS Mini-Familie an. |
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| 18.05.2018 12:45 |
Infineon bereitet sich auf lang anhaltendes Wachstum vor und investiert 1,6 Milliarden Euro in neue 300 Millimeter-Chipfabrik in Österreich |
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München, Deutschland, und Wien, Österreich, 18. Mai 2018 – Die Infineon Technologies AG wird eine neue Fabrik für Leistungshalbleiter errichten. Damit schafft der Markt- und Technologieführer in diesem Bereich die Grundlage für langfristiges, profitables Wachstum. Am Standort Villach in Österreich ... |
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| 14.05.2018 14:00 |
UL 1577-Zertifikat für die robuste und schnell schaltende Gate-Treiberfamilie 1EDC Compact |
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München – 14. Mai 2018 – Die Infineon Technologies AG bietet ab sofort die EiceDRIVER™-Familie 1EDC Compact 300 mil an. Die Einkanal-Gate-Treiber-ICs sind galvanisch getrennt. Sie weisen eine Isolationsprüfspannung von VISO = 2500 V(rms) für 60 sec auf und erfüllen die Kriterien der Isolationsnorm ... |
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| 11.05.2018 10:15 |
Infineon startet in Dresden neues Entwicklungszentrum für Automobilelektronik und Künstliche Intelligenz |
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München und Dresden - 11. Mai 2018 - Infineon richtet am Standort Dresden ein neues Entwicklungszentrum ein. In einer ersten Phase plant das Unternehmen, etwa 100 zusätzliche neue Arbeitsplätze zu schaffen. Mittelfristig soll das neue Entwicklungszentrum insgesamt rund 250 Mitarbeiter beschäftigen. ... |
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