München, 4. Mai 2016 – Anlässlich der PCIM in Nürnberg stellt die Infineon Technologies AG eine revolutionäre Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET-Technologie vor. Damit sind eine bisher unerreichbare Leistungsdichte und Performance für Leistungswandler möglich. Die neuen CoolSiC MOSFETs von Infineon bieten...
Neubiberg, 3. Mai 2016 – Die Infineon Technologies AG gibt heute das Ergebnis für das am 31. März 2016 abgelaufene zweite Quartal des Geschäftsjahres 2016 bekannt. ...
München – 28. April 2016 – Die Infineon Technologies AG bietet ab sofort die neuen TRENCHSTOP™ Performance IGBTs mit 600 V Sperrspannung. Die diskreten IGBTs liefern einen hohen Wirkungsgrad für Anwendungen wie Klimaanlagen, Wechselrichter für Photovoltaikanlagen, Antriebe und Unterbrechungsfreie...
München und Tokio, Japan – 28. April 2016 – Der japanische Automobilhersteller Toyota hat die Infineon Technologies AG mit seinem ‚Excellent Quality Award‘ ausgezeichnet. Der Qualitätspreis wird für außergewöhnlich gute Produktqualität verliehen. „Produkte in Null-Fehler-Qualität sind eine wichtig...
München, 26. März 2016 – Die Infineon Technologies AG bringt das neue TO-220 FullPAK Wide Creepage-Gehäuse auf den Markt. In Kombination mit dem 600 V CoolMOS™ CE entsteht damit eine optimale Lösung für eine große Bandbreite an Low-Power-Anwendungen im Consumer-Bereich. Das neue Gehäuse ist gekennze...
München, 26. März 2016 – Mit dem CDM10V liefert die Infineon Technologies AG einen kompakten und hochintegrierten Baustein als LED-Beleuchtungsschnittstelle. Entwickler können damit viele Einzelkomponenten ersetzen, die üblicherweise für das Dimmen notwendig sind. Die Anzahl der Komponenten und der ...
