Presse-Informationen 991 bis 996 von 1666
19.01.2015 18:00 Infineon zum fünften Mal in Folge eines der nachhaltigsten Unternehmen weltweit
München, 19. Januar 2015 – Die Infineon Technologies AG ist zum fünften Mal in Folge in das Sustainability Yearbook des Schweizer Investmentunternehmens RobecoSAM aufgenommen worden. Damit gehört der Halbleiterhersteller weiterhin zu den 15 Prozent der nachhaltigsten Unternehmen der Welt...
13.01.2015 17:25 Infineon Technologies AG schließt Akquisition von International Rectifier erfolgreich ab
München und El Segundo, Kalifornien, 13. Januar 2015 – Die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) hat die Akquisition von International Rectifier erfolgreich abgeschlossen. Ab heute ist das Unternehmen mit Sitz in El Segundo (USA) Teil von Infineon, nachdem auch die jeweiligen Kartellbeh...
19.12.2014 10:15 Infineon-Aufsichtsrat stellt sich zur Wiederwahl auf der Hauptversammlung 2015
München, 19. Dezember 2014 – Die derzeit amtierenden Mitglieder der Kapitalseite im Aufsichtsrat der Infineon Technologies AG stellen sich auf der Hauptversammlung am 12. Februar 2015 in München zur Wiederwahl. Wolfgang Mayrhuber, Vorsitzender des Aufsichtsrats, erklärt: „Wir möchten die ...
15.12.2014 11:30 Infineon und UMC schließen Fertigungsvertrag für Automobilanwendungen
München und Hsinchu, Taiwan – 15.Dezember 2014 – Die Infineon Technologies AG und United Microelectronics Corporation (UMC), einer der weltweit führenden Halbleiter-Auftragsfertiger, erweitern ihre bestehende Fertigungspartnerschaft um Leistungshalbleiter für Automobilanwendungen. UMC fertigt bereit...
10.12.2014 11:30 Sicher einloggen mit FIDO: Sicherheitsprodukte von Infineon schützen Zugriff auf Online-Konten
München, 10. Dezember 2014 – Für Email-Konten, soziale Netzwerke oder Online-Dienste müssen sich Internetnutzer bislang eine Fülle komplexer Passwörter merken. Um Online-Authentifizierung zu vereinfachen, unterstützt die Infineon Technologies AG die FIDO Alliance und deren neuen FIDO 1.0-Standard...
10.12.2014 10:00 Infineon bringt neue High-Power-Plattform auf den Markt – Angebot an die Industrie zur lizenzfreien Übernahme des Gehäusedesigns
München, 10. Dezember 2014 – Die Infineon Technologies AG gibt heute die Markteinführung von zwei neuen Leistungsmodul-Plattformen bekannt. Diese sind für Hochvolt-IGBTs in den Voltklassen von 1200 V bis zu 6,5 kV vorgesehen. Um die Vorteile der neuen Module einem möglichst breiten Nutzerkreis...
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