Gemeinsame Presseinformation von Infineon, IBM, Chartered und Samsung

IBM, Chartered, Infineon und Samsung kündigen Verfügbarkeit von 45-nm-Prozesstechnologie und von Design-Kits für schnellen Übergang auf 45-nm-Strukturbreiten an

East Fishkill, New York (USA), Singapur, Seoul und München – 29. August 2006 – IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing, Infineon Technologies und Samsung Electronics gaben heute bekannt, dass sie erste komplexe Schaltungen mit einer Strukturbreite von 45 Nanometer realisiert und ein erstes Design-Kit für diese Technologie entwickelt haben. Basis ist dabei eine gemeinsam entwickelte Low-Power-Prozesstechnologie. Die frühe Verfügbarkeit sowohl erster Schaltungen in Silizium als auch der Design-Kits ermöglicht Chip-Designern einen zügigen Einstieg in die 45-nm-CMOS-Prozesstechnologie. Die ersten Design-Kits sind Ergebnis der gemeinsamen Kooperation der vier Partnerunternehmen in der Entwicklungsallianz und stehen Schlüsselkunden zur Verfügung. Die ersten funktionalen Schaltungen in 45-nm-Technologie wurden in der 300-mm-Fertigung von IBM in East Fishkill, New York, hergestellt, wo auch das gemeinsame Entwicklungsteam angesiedelt ist. Zu den erfolgreich verifizierten Schaltungsblöcken gehören Standardzellen und I/O-Elemente von Infineon sowie Embedded-Speicher, die von der Entwicklungsallianz entwickelt wurden. Infineon hat auf den ersten 300-mm-Wafern spezielle Schaltungen beigesteuert, mit denen sich der Prozess besser analysieren lässt und die es erlauben, weitere Rückschlüsse zur Interaktion zwischen Produkt und Architektur zu ziehen.   „Diese Ergebnisse sind ein weiterer wichtiger Meilenstein in unserer erfolgreichen Strategie, so früh wie möglich optimierte Produktlösungen auf Basis modernster Technologie-Plattformen zu entwickeln“, sagte Prof. Dr. Hermann Eul, Mitglied des Vorstands von Infineon und Leiter des Geschäftsbereichs Communication Solutions. „Die ersten Schaltungen mit 45-nm-Strukturbreite stellen unsere derzeit fortschrittlichste Technologie dar, die hohe Geschwindigkeit mit geringer Leistungsaufnahme verbindet. Sie adressiert damit in idealer Weise die Anforderungen der nächsten Generation mobiler Applikationen.“ Um den Übergang auf den neuen Prozess für die Entwickler möglichst komfortabel zu gestalten, ist in die Entwicklung der Design-Kits die umfassende Design-Expertise aller vier Partner eingeflossen. Dabei wurde Wert darauf gelegt, dass ein Produktdesign auf verschiedenen Fertigungslinien der Allianz produziert werden kann, um Design-Effizienz und Flexibilität zu maximieren. Der neue 45-nm-Low-Power-Prozess wird voraussichtlich bis Ende 2007 auf den 300-mm-Fertigungsanlagen von Chartered, IBM und Samsung installiert und qualifiziert sein. „Geschwindigkeit, Innovation und die Art und Weise, wie 45-nm-Technologie und erste Design-Kits den Kunden bereitgestellt wurden, unterstreichen eindrucksvoll die sehr gute Zusammenarbeit der vier Unternehmen. Die ersten Hardware-Ergebnisse zeigen, dass der 45-nm-Technologieknoten gegenüber der 65-nm-Generation auf Transistorebene einen Geschwindigkeitsvorteil von mindestens 30 Prozent erreicht und dabei Produkt-Designern eine hohe Entwicklungssicherheit bietet“, sagte Lisa Su, Vice President für Halbleiter-Forschung und Entwicklung bei IBM und Leiterin der gemeinsamen Entwicklungsallianz. „Mit den globalen F&E- sowie IP-Ressourcen unserer Entwicklungsallianz können wir neue Fertigungstechnologien und die entsprechende Design-Unterstützung gemeinsam wesentlich früher und effektiver auf den Markt bringen als mit einem individuellen Ansatz. Darüber hinaus profitieren die Kunden von der Flexibilität der Technologie, die GDSII*-kompatibel auf verschiedenen Fertigungsanlagen produziert werden kann.“ „Die Kooperation zwischen IBM, Chartered, Infineon und Samsung senkt das Risiko bei der Einführung einer neuen Prozesstechnologie“, sagte Ho-Kyu Kang, Vice President, Technologie-Entwicklung, System LSI Business bei Samsung Electronics. „Unsere Kunden können darauf vertrauen, dass wir unsere gemeinsame Erfahrung auf Systemebene, bei Produktdesign und Produktion für die Entwicklung von Design-Kits und Prozesstechnologien nutzen.“ *GDSII ist ein Binärformat und in der Industrie ein Standard für den Datenaustausch zwischen EDA-Werkzeugen oder zwischen Design-Teams. Über Chartered Chartered Semiconductor Manufacturing ist ein weltweit führendes Halbleiter-Foundry-Unternehmen, das Spitzentechnologien bis hinunter zu Strukturbreiten von 90 nm für heutige System-on-Chip-Designs bietet. Das Unternehmen entspricht darüber hinaus den Bedürfnissen von Kunden durch partnerschaftliche, gemeinsame Entwicklungsanstrengungen für eine Technologie-Roadmap, die sich auf Strukturbreiten von 45 nm erstreckt. Die Strategie von Chartered basiert auf offenen und umfassenden Lösungen zur Umsetzung von Designs, verbesserten Fertigungsmethoden und einer Verpflichtung zu flexibler Versorgung. Das Unternehmen betreibt in Singapur ein 300-mm- und vier 200-mm-Werke. Weitere Informationen zu Chartered: www.charteredsemi.com Über IBM Weitere Informationen zur Halbleiter-Technologie von IBM findet man unter: www.ibm.com/chips. Über Samsung Electronics Samsung Electronics Co. Ltd. mit Sitz in Seoul (Korea) ist mit einem Konzernumsatz von 56,7 Milliarden US-Dollar und einem Nettogewinn von 7,5 Milliarden US-Dollar in 2005 ein weltweit führender Hersteller von Halbleitern, Telekommunikation, digitalen Medien und digitaler Konvergenz-Technologie. Mit über 120 Niederlassungen in 57 Ländern vertreten, beschäftigt das Unternehmen rund 128.000 Mitarbeiter. Samsung Electronics ist in fünf Geschäftsbereiche gegliedert: Digital Appliance Business, Digital Media Business, LCD Business, Semiconductor Business und Telecommunication Network Business. Samsung ist anerkannt als eine der am schnellsten wachsenden Marken weltweit und nimmt eine Führungsrolle in der Produktion von Flachbild-Fernsehern, Speicherchips, Mobiltelefonen und TFT-LC- Displays ein. Weitere Informationen findet man unter: www.samsung.com Pressekontakte: Infineon Technologies AG Monika Sonntag Telefon: +49 89 234-24497 Email: monika.sonntag@infineon.com Chartered Semiconductor Manufacturing Tiffany Sparks Telefon: +1 408-941-1185 Email: tiffanys@charteredsemi.com IBM Rick Bause Telefon: +1.845.892.5463 Email: rbause@us.ibm.com Samsung Semiconductor Inc. Lisa Warren-Plungy Telefon: +1 408-544-5377 Email: lwarrenplungy@ssi.samsung.com

Über Infineon Die Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Automobil-, Industrieelektronik und Multimarket, für Anwendungen in der Kommunikation sowie Speicherprodukte über ihr Tochterunternehmen Qimonda. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten über Landesgesellschaften in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 36.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2005 (Ende September) einen Umsatz von 6,76 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com. Weitere Informationen zu Qimonda unter www.qimonda.com