Mit nächster Generation von Energie sparenden MOSFETs erhöht Infineon den Wirkungsgrad von Stromversorgungen weiter

München / Long Beach, Kalifornien, 24. Oktober 2006 – Die Energieeffizienz von Netzteilen in Computern, Telekommunikationsgeräten und Konsumelektronik lässt sich dank der neuen Leistungshalbleiter-Familie OptiMOS® 3 von Infineon Technologies erneut steigern. In typischen DC/DC-Anwendungen bieten diese 30-V-N-Kanal-MOSFETs höhere Zuverlässigkeit und industrieweit beste Leistungsmerkmale beim Einschaltwiderstand, der Leistungsdichte oder der Gate-Ladung. Infineon stellte die ersten Produkte der Familie OptiMOS 3 heute auf der Messe Power Systems World 2006 im kalifornischen Long Beach vor. Viele Anwendungen wie zum Beispiel Server, Notebooks, Plasma- oder LCD-Fernsehgeräte und Spielkonsolen erfordern immer effizientere Stromversorgungen. Dabei geht es nicht nur darum, Energie zu sparen, sondern die elektrischen Verluste der Geräte im aktiven wie auch Standby-Betrieb zu senken. Ein großer Teil des gesamten elektrischen Energieverbrauchs entfällt dabei auf Stromversorgungen, die in einem Elektrogerät die typische Netzspannung auf die jeweils erforderliche Gleichspannung umsetzen. In den USA, beispielsweise, verbrauchen Stromversorgungen durchschnittlich etwa sechs Prozent der elektrischen Energie. Allein 10 bis 20 Prozent dieser Energie werden als Abwärme verschwendet. Laut der aktuellen Studie des Marktforschers IMS Research vom September 2006 ist Infineon bei Leistungshalbleitern mit einem Marktanteil von 9,4 Prozent weltweit die Nummer eins. Infineon hat die Familie OptiMOS 3 speziell darauf ausgelegt, geringere Spannungen optimal zu schalten. Verglichen mit ihrer Vorgängergeneration sind die mit großem technischem Aufwand realisierten OptiMOS 3-Leistungshalbleiter typischerweise um 1 bis 1,3 Prozent effizienter. Auf den ersten Blick scheint das eine geringe Verbesserung zu sein. Doch bedeutet beispielsweise eine einprozentige Effizienz-Steigerung aller 1.200-Watt-Stromversorgungen in Computerservern weltweit eine Einsparung von jährlich rund 360 Megawatt. Hierdurch könnte ein konventionelles Kraftwerk vom Netz genommen werden. „Mit der OptiMOS 3-Familie können Entwickler von Stromversorgungen die Leistungsanforderungen neuer Systeme erfüllen und gleichzeitig Energie einsparen“, sagte Andreas Urschitz, Senior Director und Leiter des Geschäftsfelds Power Management & Supply bei Infineon Technologies. „Verbessertes Schaltverhalten, höhere Leistungsdichten und Zuverlässigkeit führen zu leistungsfähigeren, effizienteren und kosteneffektiven Stromversorgungen.“ Mit der OptiMOS 3-Technologie lassen sich DC/DC-Stromversorgungen bei gleicher Ausgangsleistung mit bis zu einem Drittel weniger MOSFET-Komponenten realisieren. Infineon bietet für die OptiMOS 3-Bausteine ein neues S3O8 (Shrink SuperSO8)-Gehäuse an, das mit Abmessungen von nur 3 mm x 3 mm in einem Spannungswandler-Design bis zu 60 Prozent Boardfläche für die MOSFETs einspart. Mit OptiMOS 3-Bausteinen lassen sich einerseits kleinere DC/DC-Stromversorgungen entwickeln, andererseits lässt sich bei gleicher Baugröße mehr Ausgangsleistung liefern. Durch die gesteigerte Energie-Effizienz kann mit OptiMOS 3 zum Beispiel die Batterielebensdauer in Notebooks erhöht werden. Die N-Kanal OptiMOS 3-Prozesstechnologie ermöglicht Bauelemente mit dem industrieweit geringsten Durchlasswiderstand (RDS(on)) bezogen auf die Siliziumfläche und außerordentlich geringer Gate-Ladung. Der leistungsfähigste OptiMOS 3 in einem SuperSO8-Gehäuse bietet z. B. einen maximalen Durchlasswiderstand (RDS(on)) von 1,6 Milliohm, was um fast 30 Prozent niedriger als der des nächstbesten Wettbewerbers ist. Dieser sehr geringe Durchlasswiderstand führt zu geringeren Leitungsverlusten bzw. reduzierter Leistungsaufnahme beim Einschalten. Damit werden höhere Leistungsdichten möglich. Durch die geringe Gate-Ladung lassen sich die OptiMOS 3-Bausteine einfacher treiben, so dass kostengünstigere Treiberbausteine eingesetzt werden können. Darüber hinaus führt die verbesserte FOM (Figure Of Merit) zu einer Reduzierung der Treiberlast um 30 Prozent. Verglichen mit dem nächstbesten Wettbewerbsprodukt wird damit die Betriebstemperatur des Treibers bei 400 kHz Schaltfrequenz um fast 10 °C gesenkt, was weniger Verlustwärme bedeutet. Im Vergleich zu OptiMOS 2 bietet OptiMOS 3 wesentliche Verbesserungen: der Durchlasswiderstand wurde um 30 Prozent gesenkt, die FOM ist um 30 Prozent besser und sein kleinstes Gehäuse ist um zwei Drittel kleiner als das von OptiMOS 2. Verfügbarkeit und Preise Die 30-V-Leistungs-MOSFETs der OptiMOS 3-Familie sind in acht verschiedenen Gehäusen erhältlich. Zur Auswahl stehen mehr als 80 Bauelemente, die sich unter anderem in ihren RDS(on)-Werten unterscheiden. Die OptiMOS 3-Bauelemente sind in Volumenstückzahlen verfügbar. Die leistungsfähigste Variante, der BSC016N03LSG mit einem RDS(on)-Wert von 1,6 Milliohm im SuperSO8-Gehäuse, ist zu einem Stückpreis von weniger als 0,70 Euro (bei 10.000 Einheiten) erhältlich. Im S3O8-Gehäuse und mit 3,5 Milliohm liegt der Stückpreis bei weniger als 0,50 Euro. Infineon präsentiert seine neuen Leistungshalbleiter und das neue S3O8-Gehäuse auf der Fachmesse Power Systems World 2006 (Stand 508), die vom 24. bis 26. Oktober 2006 in Long Beach, Kalifornien, stattfindet. Weitere Informationen findet man unter: http://www.infineon.com/powermosfets

Über Infineon Die Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Automobil-, Industrieelektronik und Multimarket, für Anwendungen in der Kommunikation sowie Speicherprodukte über ihr Tochterunternehmen Qimonda. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten über Landesgesellschaften in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 36.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2005 (Ende September) einen Umsatz von 6,76 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter http://www.infineon.com Weitere Informationen zu Qimonda unter http://www.qimonda.com