Führende Mobiltelefonhersteller entscheiden sich für Infineons Single-Chip EDGE/UMTS RF-Transceiver SMARTi UE+
Neubiberg, Barcelona, Spanien, 11. Februar 2008 – Die Infineon Technologies AG hat heute bekannt gegeben, dass ein weiterer großer Mobiltelefonhersteller Infineons Transceiver-IC SMARTi™UE+, den weltweit ersten Receive-Diversity-Transceiver-Chip mit digitaler Transceiver- Basisbandschnittstelle nach DigRF 3.09 Standard, für seine HSxPA/EDGE-Modelle einsetzen wird. Der Single-Chip Transceiver optimiert die Signalqualität zwischen Basisstation und Mobilgerät, verbessert den effektiven Datendurchsatz und erfordert geringere Netzwerkressourcen. Im Vergleich zu konventionellen Single-Receiver Produkten kompensiert Infineons Dual-Receiver Lösung (Rx-Diversity MIMO) verschiedene qualitätsmindernde Effekte (zum Beispiel Fading, Reflexionen) im realen Netzwerkbetrieb, insbesondere in den höheren HSxPA-Kategorien. Im Betrieb führt dies zu höheren Downlink-Datenraten, besserer Netzwerkabdeckung und weniger Unterbrechungen bei Voice over IP- und Video-Applikationen, sodass Netzwerkbetreiber sowohl die Qualität der angebotenen Dienste als auch ihre Netzwerkkapazität steigern können. Darüber hinaus ermöglicht die Architektur des SMARTi UE+ den Herstellern von Mobilgeräten, die Testzyklen im Produktionsprozess um den Faktor 10 zu reduzieren.

„Zwei der führenden Mobiltelefonhersteller haben sich bereits für unsere innovative Diversity-RF-Lösung SMARTi UE+ entschieden und wir verzeichnen weiterhin eine steigende Nachfrage nach unseren 3G RF-Lösungen“, kommentiert Stefan Wolff, Vice President der Communication Solutions Business Group bei Infineon und Leiter der Business Unit RF-Engine. „Receive Diversity wird zunehmend zu einem wichtigen Feature für UMTS Mobilgeräte und höhere Datenraten bei HSxPA und LTE machen dieses Feature unverzichtbar.“

Das Marktforschungsunternehmen Strategy Analytics geht davon aus, dass im Jahr 2010 über 400 Millionen UMTS-Telefone ausgeliefert werden. Die meisten davon werden HSPA-fähig sein. Der Grund dafür ist der Umstieg vieler Betreiber auf effiziente 3G+-Netze, um auf die Nachfrage nach schnelleren und kostengünstigeren Datenverbindungen zu reagieren, die zunehmend für Social Networking, Multimedia-Messages, ortsgebundene Dienste und andere neue Serviceangebote erforderlich sind.

Über den SMARTI™UE/ UE+

Der SMARTi UE+ wurde im vergangenen Jahr auf dem 3GSM Kongress in Barcelona vorgestellt und ist der weltweit erste Single-Chip Rx-Diversity-Transceiver mit einer digitalen Transceiver- Basisbandschnittstelle nach dem DigRF 3.09 Standard auf Basis des vielfach eingesetzten SMARTi UE mit einem Empfänger. Beide Produkte bieten eine einfach skalierbare RF-Lösung für den Einsatz in weltweiten HSxPA/EDGE-Netzen und unterstützen HSDPA (14,4 Mbit/s) und HSUPA (5,76 Mbit/s). Der SMARTi UE+ vereint ein vollständiges RF-System für Quadband-EDGE und Tripleband-UMTS auf nur 360 mm². Eine kostengünstigere Variante für Singleband-UMTS und Quadband-EDGE belegt eine Fläche von weniger als 250 mm2. Das Referenzdesign nutzt nur 4 der 8 Lagen einer herkömmlichen Leiterplatte in einer einzigen RF-Schirmkammer. Die innovative Funkarchitektur reduziert die Kalibrierungszeit eines Tripleband-UMTS-Telefons von über 30 Sekunden auf weniger als 3 Sekunden.

Verfügbarkeit

Der SMARTi UE+ wird im hochvolumigen 130 nm-CMOS-Prozess gefertigt und in einem 6 x 7 mm kleinen BGA-Gehäuse geliefert. Muster wurden bereits an ausgewählte Kunden geliefert. Der Start der Volumenproduktion  ist für die zweite Jahreshälfte 2008 geplant.
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 43.000 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen (davon etwa 13.500 bei Qimonda) erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2007 (Ende September) einen Umsatz von 7,7 Milliarden Euro (davon 3,6 Milliarden Euro von Qimonda). Das Unternehmen ist in Frankfurt und New York unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter http://www.infineon.com
 
 
 
» Infineon Technologies
» Presse Informationen
» Presse-Information
Datum: 11.02.2008 10:00
Nummer: INFCOM200802.040
» Bildmaterial
Bitte klicken Sie auf die Bildvorschau, um die hochauflösende Version zu öffnen. » Weitere Hilfe zu Downloads

 Download der hochauflösenden Version...
Der SMARTi(tm)UE+ optimiert die Signalqualität zwischen Basisstation und Mobilgerät, verbessert den effektiven Datendurchsatz und erfordert geringere Netzwerkressourcen.
» Kontakt
Infineon Technologies AG

Media Relations
Tel: +49-89-234-28480
Fax: +49-89-234-9554521
media.relations@infineon.com

Investor Relations:
Tel: +49 89 234-26655
Fax: +49 89 234-9552987
investor.relations@infineon.com
» Weitere Meldungen
21.11.2024 10:15
AURIX™ TC3x von Infineon unterstützt FreeRTOS

20.11.2024 10:15
Zuverlässige Stromversorgung mit eFuses: Infineon präsentiert PROFET™ Wire Guard mit integriertem I²t-Kabelschutz

19.11.2024 12:00
Infineon und Quantinuum schließen strategische Partnerschaft mit dem Ziel, Quantencomputing für reale Anwendungen fit zu machen

18.11.2024 14:15
Infineon präsentiert branchenweit ersten strahlungsfesten, QML-qualifizierten 512-Mb-NOR-Flash-Speicher für die Raumfahrt

13.11.2024 14:15
OptiMOS™ Linear FET 2 MOSFET enables optimal hot-swap and battery protection