MOSFETs von Infineon senken Leistungsverluste um bis zu 30 Prozent in Konsumelektronik sowie Industrie- und Telekommunikationsanwendungen

Neubiberg und Austin, Texas, 25. Februar 2008 – Anlässlich der Konferenzmesse „Applied Power Electronics Conference“ (APEC) hat Infineon Technologies drei neue Leistungshalbleiter-Familien des umfangreichen Portfolios von OptiMOS™ 3 N-Kanal MOSFETs vorgestellt. Beim Durchlasswiderstand schneiden die neuen OptiMOS 3-Familien mit 40 V, 60 V und 80 V im Vergleich zu entsprechenden Leistungselektronik-Bauteilen sehr viel besser ab, denn der lässt die Leistungsverluste selbst im Standard-TO (Transistor Outline)-Gehäuse um bis zu 30 Prozent sinken. Die geringen Schaltverluste und der niedrige Durchlasswiderstand der neuen OptiMOS 3-Familien erhöhen die Leistungsdichte um bis zu 30 Prozent. Zudem sind in Netzteilen mit OptiMOS 3-Bausteinen um mehr als ein Viertel weniger Bauteile erforderlich als mit Wettbewerbslösungen. Die neuen MOSFETs sind für vielfältige Anwendungen im Bereich Leistungswandlung und -management ausgelegt. Dazu zählen Schaltnetzteile (SMPS), DC/DC-Wandler und Gleichstrom-Antriebe in Computern, Haushaltsgeräten, elektrischen Kleinfahrzeugen (wie Kehrmaschinen), industrielle Automatisierungssysteme, Telekommunikationseinrichtungen und elektrische Werkzeuge, Rasenmäher und Lüfter. Die neuen OptiMOS 3-Familien bieten den in ihrer Klasse jeweils geringsten Durchlasswiderstand DS(on) : beispielsweise nur 1,6 mΩ für die 40-V-Produkte in SuperSO8™-Gehäusen, nur 3,5 mΩ für die 60-V-Produkte in D-PAK-Gehäusen und 2,5 mΩ für die 80-V-Produkte in D²-PAK-Gehäusen. Die FOM (Figure Of Merit, das Produkt aus Durchlasswiderstand und Gate-Ladung) dieser Bausteine ist um mehr als 25 Prozent besser als die des nächst besseren Wettbewerberprodukts. Das erlaubt ein schnelles Schalten und ermöglicht hohe Leistungsdichten. Außerdem wird beim Treiben der Transistoren weniger Wärme erzeugt, was zu einer verbesserten Systemzuverlässigkeit führt. Letztendlich ermöglicht der geringe RDS(on) -Wert auch kleinere Gehäuse, z. B. S3O8 (Shrink SuperSO8) mit Abmessungen von nur 3 x 3 mm. „Als Marktführer bei Leistungshalbleitern will Infineon mit seinen OptiMOS MOSFET-Familien in Low-Power-Spannungswandlern oder Strommanagement für optimale Performance und Effizienz sorgen“, sagte Gerhard Wolf, Director, Power Management and Drives bei Infineon Technologies. „Unsere führende Stellung in Halbleiter-Fertigung und Gehäuse-Technologien trägt dazu bei, Stromversorgungen effizienter, kosteneffektiver und kleiner zu machen. Die neuen OptiMOS 3-Familien bieten in ihren jeweiligen Klassen die höchste Effizienz und das beste Schaltverhalten. Entwickler von Stromversorgungen oder Motoren können mit den OptiMOS 3-Familien kommende Energieeffizienz-Anforderungen erfüllen – und das ohne Einschränkungen bei der Performance.“ Produkt-Details zu den OptiMOS 3-Familien 40 V, 60 V und 80 V Die OptiMOS 3 40-V-Familie erfüllt die Anforderungen von schnellen Schaltnetzteilen und DC/DC-Wandlern in vielfältigen Anwendungen wie Druckern, nicht isolierten Industrieumsetzern sowie isolierten DC&DC-Wandlern, wo 30-V-MOSFETs keine ausreichende Durchbruchspannung mehr liefern können. Im SuperSO8-Gehäuse bietet sie einen Durchlasswiderstand RDS(on) von nur 1,6 mΩ. Das ist um mehr als die Hälfte geringer als der des nächsten Wettbewerbers. In Kombination mit einem thermischen Widerstand von 1° K/W und einem kontinuierlichen Strom von 100 A setzen diese niederohmigen MOSFETs einen neuen Standard in der 40-V-Klasse. Zu der Familie gehört auch der weltweit erste 40-V-MOSFET im S3O8-Gehäuse, das 60 Prozent weniger Platz als SO8- oder SuperSO8-Gehäuse benötigt. Die OptiMOS 3-Familien mit 60 V und 80 V wurden hauptsächlich für den Einsatz in Gleichrichtern auf der Sekundärseite in Schaltnetzteilen und für Steuerungen von Gleichstrommotoren entwickelt. Die 80-V-Produkte sind außerdem ideal für Telekommunikationsanwendungen. Die neuen MOSFETs bieten wiederum die besten RDS(on)-Werte in ihrer Klasse. Der OptiMOS 3 mit 80 V erreicht 2,8 mΩ in einem TO-220-Gehäuse, während der nächste Wettbewerber mit 3,3 mΩ spezifiziert wird. Zu diesem geringen Durchlasswiderstand kommt eine thermischer Widerstand von nur 0,5° K/W und eine unerreichte kontinuierliche Stromstärke von 100 A, was die neuen MOSFETs von Infineon zu klaren Siegern in den 60- und 80-V-Klassen macht. Sie sind in D-PAK-Gehäusen verfügbar. Im Vergleich zu konventionellen D²-PAK-Gehäusen benötigen D-PAKs weniger als die Hälfte deren Boardfläche. Auch ihre Gehäusehöhe ist um 40 Prozent geringer, was für SMPS-Designs besonders vorteilhaft ist. Verfügbarkeit und Preise von OptiMOS 3 mit 40 V, 60 V und 80 V Die neuen OptiMOS 3 Leistungs-MOSFETs mit 40 V, 60 V und 80 V gibt es in allen gängigen TO-Gehäusen sowie in SuperSO8- und S3O8-Gehäusen mit unterschiedlichen RDS(on)-Werten. Die Produktion für einige Mitglieder der 60-V-Familie ist bereits angelaufen, während die 40-, 80- und anderen 60-V-MOSFETs derzeit bemustert werden. Bei der Abnahme von 10.000 Stück liegt der Preis für einen OptiMOS 3 40 V mit einem RDS(on) von 1,6 mΩ und im SSO8-Gehäuse bei weniger als 0,68 Euro, der des OptiMOS 3 60 V mit 3,5 mΩ im D-PAK-Gehäuse bei 0,68 Euro und der des OptiMOS 3 80 V mit 2,8 mΩ im TO-220-Gehäuse bei 1,37 Euro. Infineon präsentiert die neuen Familien der OptiMOS 3-Leistungshalbleiter und weitere Neuheiten auf der „Applied Power Electronics Conference“ (APEC) vom 24. bis 28. Februar in Austin, Texas (Stand 611). Weitere Informationen stehen unter http://www.infineon.com/powermosfets oder http://www.infineon.com/optimos zur Verfügung.

Über Infineon Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 43.000 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen (davon etwa 13.500 bei Qimonda) erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2007 (Ende September) einen Umsatz von 7,7 Milliarden Euro (davon 3,6 Milliarden Euro von Qimonda). Das Unternehmen ist in Frankfurt und New York unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.