Infineon präsentiert neue LDMOS RF-Leistungstransistoren mit der branchenweit höchsten Spitzenausgangsleistung für den Einsatz in drahtlosen Breitbandapplikationen (WiMAX) mit 2,5 bis 2,7 GHz

Neubiberg – 1. April 2008 – Infineon Technologies, ein führender Anbieter von Kommunikations-ICs und –Lösungen, hat zwei neue LDMOS RF-Leistungstransistoren vorgestellt, die für den Einsatz in drahtlosen Infrastrukturapplikationen wie WiMAX mit einem Frequenzband von 2,5 bis 2,7 GHz konzipiert wurden. Die neuen Transistoren erreichen Spitzenleistungen von bis zu 170 Watt und erweitern Infineons Portfolio von RF-Leistungstransistoren für WiMAX-Applikationen, zu denen aktuell 10-Watt-, 45-Watt- und 130-Watt-Systeme gehören. Dank der hohen Leistung der neuen Transistoren können Entwickler das Design ihrer RF-Leistungsverstärker erheblich vereinfachen. „Infineon hat sein umfangreiches Produktportfolio nun mit dem branchenweit leistungsfähigsten RF-Leistungstransistor ausgebaut“, kommentiert Helmut Vogler, Vice President und General Manager für RF Power bei Infineon. „Durch die zunehmende Verbreitung von WiMAX und anderen neuen Technologien für drahtlose Infrastrukturen werden Produkte wie die LDMOS RF-Leistungstransistoren von Infineon mit ihrem erweiterten Funktionsumfang zu einem entscheidenden Element für jeden Entwickler. Dank der höheren Spitzenleistung können die Entwickler das Design ihrer Lösungen vereinfachen und die Materialkosten insgesamt senken.“ Der PTFA260851E/F 85W FET von Infineon erreicht eine Verstärkung von 14 dB (typisch) sowie eine Effizienz (PAE) von 22 Prozent (typisch) bei einer durchschnittlichen Ausgangsleistung von 16 Watt unter WiMAX-Signalbedingungen. Der PTFA261702E 170W FET erreicht eine Verstärkung von 15 dB (typisch) sowie eine Effizienz (PAE) von 20 Prozent (typisch) bei einer durchschnittlichen Ausgangsleistung von 32 Watt unter WiMAX-Signalbedingungen. Er ist für 170 Watt (P-1 dB) ausgelegt, die branchenweit höchste Spitzenausgangsleistung im Frequenzbereich 2,5 bis 2,7 GHz. Der Transistor verfügt über elektrisch voneinander isolierte Hälften, die den Einsatz in Doherty Leistungsverstärkern vereinfachen. Er kann darüber hinaus in einer Push-Pull-Konfiguration für eine höhere Bandbreiten-Performance genutzt werden. Beide Produkte sind in bleifreien, RoHS-konformen Keramik-Gehäusen erhältlich. Die Transistoren werden mit einer Spannung von 28 Volt betrieben. Sie bieten eine breitbandige interne Anpassung, unterstützen ein Stehwellenverhältnis von 10:1 (VSWR – Voltage Standing Wave Ratio) im CW-Modus (CW – continuous wave) bei einer Versorgungsspannung von 28 Volt. Verfügbarkeit Der PTFA260851E/F und der PTFA261702E befinden sich bereits in Produktion. Preise sowie weitere Informationen erhalten Sie per E-Mail unter highpowerRF@infineon.com oder per Telefon unter +1-877-465-3667 (GO LDMOS).

Über Infineon Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 43.000 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen (davon etwa 13.500 bei Qimonda) erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2007 (Ende September) einen Umsatz von 7,7 Milliarden Euro (davon 3,6 Milliarden Euro von Qimonda). Das Unternehmen ist in Frankfurt und New York unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.