Infineon stellt neues ThinPAK 8x8 SMD-Gehäuse für Hochvolt-Leistungs-MOSFETs vor, das Anwendungen mit höherer Leistungsdichte ermöglicht

Neubiberg – 3. Mai 2010 – Infineon Technologies stellt mit dem ThinPAK 8x8 ein neues SMD-Gehäuse ohne Anschluss-Pins („leadless“) für HV-MOSFETs vor. Das neue Gehäuse benötigt nur 64 mm² auf der Leiterplatte und damit signifikant weniger als ein alternatives D2PAK-Gehäuse mit 150 mm². Darüber hinaus ist es extrem flach mit nur 1 mm Höhe, im Vergleich zu 4,4 mm beim D2PAK. Durch das deutlich kleinere Gehäuse, in Kombination mit den sehr geringen parasitären Induktivitäten, eröffnen sich für Entwickler neue und effektive Wege, um die Systemgrößen zu reduzieren. Insbesondere dort, wo die Leistungsdichte ein wichtiges Kriterium ist. Das neue, 1 mm hohe SMD-Gehäuse kann eine Chipgröße wie für das Standard TO220-Gehäuse aufnehmen. Dabei misst es nur 8x8 mm² und verfügt über ein „exposed“ Metall-Pad für eine effiziente Ableitung der intern erzeugten Wärme. Durch die flache Bauweise können Entwickler sehr flache Stromversorgungen für kompakte Produkte mit ansprechenden Designs realisieren. Neben Infineon wird auch ST Microelectronics MOSFETs mit diesem innovativen Gehäuse einführen, das bei Infineon ThinPAK 8x8 und bei ST PowerFLAT™ 8x8 HV heißt. Damit erhalten die Kunden die Sicherheit eines hochwertigen zweiten Lieferanten. „Dieser innovative Gehäusetyp setzt einen neuen Markt-Standard für Leadless SMD-Gehäuse für HV-MOSFETs und wird darüber hinaus gemeinsam mit STMicroelectronics eingeführt”, sagte Jan-Willem Reynaerts, Product Line Manager HVMOS Power Discretes bei Infineon Technologies. „Silizium-Technologien wie CoolMOS ermöglichen mittlerweile ein so effizientes und schnelles Schalten, dass konventionelle Gehäuse für die Durchsteckmontage zum limitierenden Faktor geworden sind, um die Energieeffizienz und Leistungsdichte weiter steigern zu können.“ Das ThinPAK 8x8-Gehäuse ist durch eine sehr geringe Source-Induktivität von nur 2 nH (im Vergleich zu 6 nH beim D2PAK), eine separate Treiber-Source-Verbindung (sauberes Gate-Signal) sowie eine mit dem D2PAK vergleichbare thermische Performance gekennzeichnet. Das neue Gehäuse ermöglicht ein schnelleres und damit effizienteres Schalten von Leistungs-MOSFETs. Darüber hinaus ist es im Hinblick auf das Schaltverhalten und die elektromagnetische Abstrahlung (EMI) einfacher zu handhaben. Infineon wird anfangs drei 600-V-CoolMOS-Bausteine in dem neuen Gehäuse anbieten: 199 mOhm (IPL60R199CP), 299 mOhm (IPL60R299CP) und 385 mOhm (IPL60R385CP). Verfügbarkeit Qualifikationsmuster des ThinPAK 8x8-Gehäuses sind bereits verfügbar. Für Produktionsvolumina gelten die Standardbestellzeiten. Weitere Informationen Infineon präsentiert das neue ThinPAK 8x8-Gehäuse zusammen mit weiteren Innovationen auf seinem Stand (Hall 12, Stand 404) während der PCIM Europe 2010 vom 4. bis 6. Mai in Nürnberg. Weitere Informationen zum ThinPAK 8x8-Gehäuse und MOSFET-Portfolio von Infineon erhält man unter www.infineon.com/thinpak8x8

Über Infineon Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 25.650 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2009 (Ende September) einen Umsatz von 3,03 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol "IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol "IFNNY" notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com