Neue energieeffiziente RF-Transistoren von Infineon bieten zuverlässigen Schutz vor elektrostatischer Entladung

Neubiberg, 8. Juli 2010 – Infineon Technologies hat RF-Transistoren mit dem derzeit leistungsfähigsten Schutz vor elektrostatischer Entladung (Electrostatic Discharge – ESD) eingeführt. Elektrostatische Entladung kann Fehlfunktionen in elektrischen Geräten verursachen. Die neuen RF-Transistoren von Infineon sind äußerst energieeffizient und kostengünstig und eignen sich besonders gut für den Einsatz in Geräten und Anwendungen für drahtlose Kommunikationssysteme wie Mobiltelefone, WLAN Router, WiMAX- oder GPS-Module, Set Top Boxen, aktive Antennen oder WiFi-Datenkarten. Dank ihrer Fähigkeit, hohe Eingangsleistungen verarbeiten zu können, sind sie besonders robust und zuverlässig. Aufgrund der sehr geringen Rauschzahl (Noise Figure – NF), hohen Verstärkung und Intermodulationsfestigkeit, erhöhen sie signifikant die System-Sensitivität. Infineon bietet die neuen RF-Transistoren in der gleichen Gehäusevariante wie die bisherigen Modelle an, um einen einfachen Austausch zu ermöglichen. Darüber hinaus bietet Infineon eine kleine Gehäusevariante an, die bei neuen Designs deutlich weniger Fläche auf dem Board benötigt. Die neue Variante ermöglicht einen effektiven Schutz von bis zu 2kV HBM (Human Body Model). Dies entspricht dem  zehnfachen Wert der bisherigen Schutzleistung. Die maximal mögliche Eingangsleistung ist von 10 dBm auf bis zu 20 dBm erhöht worden, die Rauschzahl NFmin beträgt optimale 0,6 dB bei 2,4 GHz. „Mit den neuen ESD-geschützten RF-Transistoren bieten wir unseren Kunden im Bereich Mobilkommunikation den höchstmöglichen Schutz, den es derzeit auf dem Markt gibt“, sagte Michael Mauer, Senior Marketing Director für RF und Protection Devices bei Infineon Technologies. „Dank des großen Produktportfolios von Infineon kann der Kunde immer die für seine Anwendung optimale Kombination aus Rauschzahl, Linearität und Verstärkung wählen.“ Verfügbarkeit und Preise Der Produktionsbeginn für die ESD-geschützte Transistorenfamilie BFP640ESD, BFP720ESD und BFP740ESD in SOT343- und TSFP-4-Gehäusen ist für Juli 2010 geplant. Die Transistoren sind in Volumenstückzahlen verfügbar. Für die Bemusterung liegen die Stückpreise zwischen 0,40 und 0,50 US-Dollar. Zusätzliche Informationen über die ESD geschützten Transistoren von Infineon unter www.infineon.com/ESDTransistors

Über Infineon Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 25.650 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2009 (Ende September) einen Umsatz von 3,03 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol "IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol "IFNNY" notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.