Infineon gelingt Produktion von Chips auf 300-Millimeter-Dünnwafer-Technologie für Leistungshalbleiter
Neubiberg, 10. Oktober 2011 – Die Infineon Technologies AG hat am Standort Villach in Österreich die ersten Chips („first silicon“) auf einem 300-Millimeter-Dünnwafer für Leistungshalbleiter gefertigt. Infineon ist damit das weltweit erste Unternehmen, dem dieser Schritt gelungen ist. Die jetzt auf einem 300-Millimeter-Dünnwafer produzierten Chips weisen dasselbe Verhalten auf, wie die auf 200-Millimeter Wafern erstellten Leistungshalbleiter. Das haben erfolgreiche Anwendungstests mit sogenannten Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt-Transistoren (MOSFETs) für Anwendungen mit hohen Spannungen bewiesen.

„Damit ist unseren Ingenieuren ein Quantensprung in der Fertigungs-Technologie gelungen“, sagt Dr. Reinhard Ploss, Vorstand für Operations, Forschung und Entwicklung sowie Arbeitsdirektor der Infineon Technologies AG. „Innovation ist die Grundlage für profitables Wachstum. Innovation sichert unseren Vorsprung vor dem Wettbewerb.“

Infineon hatte im Oktober 2010 mit dem Aufbau einer Leistungshalbleiter-Pilotlinie für 300-mm-Wafer und Dünnwafer-Technologie im österreichischen Villach begonnen. Das Team umfasst heute 50 Ingenieure aus den Bereichen Forschung und Entwicklung, Fertigungstechnologie und Marketing.

Mit dem ersten Silizium auf 300-Millimeter-Basis stellt Infineon unter anderem auch die Weichen, um die Erfolgsgeschichte mit Leistungshalbleitern für energieeffiziente Anwendungen fortzuschreiben. Im  August bescheinigte IMS Research*, dass Infineon auch 2010 – im achten Jahr in Folge –, der weltweit führende Anbieter von Leistungshalbleitern war.

55 Jahre nach der Erfindung des Transistors hatte Infineon im Jahre 2002 den Innovationspreis der Deutschen Wirtschaft für seine revolutionäre CoolMOS™-Transistor-Technologie erhalten. Die Hochvolt-Leistungstransistoren erhöhen die Energieeffizienz in vielen unterschiedlichen Anwendungen wie PC-Netzteilen, Servern, Solar-Wechselrichtern, Beleuchtungssystemen und Telekommunikations-Anlagen. Aber auch aus Geräten der Unterhaltungselektronik wie Flachbild-Fernsehern und Spielekonsolen sind diese Energiesparchips nicht mehr wegzudenken. Energieeffizienz und Energieeinsparung entwickeln sich zu den wichtigsten Anforderungen für alle Anwendungen in Industrie und Haushalt, die elektrische Energie verbrauchen. Mit den energieeffizienten Halbleiterlösungen von Infineon können bis zu 25 Prozent des weltweiten Stromverbrauchs eingespart werden.

Im Rahmen der Investitionsplanungen hatte Infineon Ende Juli angekündigt, Dresden als Hochvolumens-Standort für die Produktion der 300-Millimeter Leistungshalbleiter  aufzubauen. Infineon investiert dafür zunächst bis zum Jahr 2014 rund 250 Millionen Euro und schafft circa 250 Arbeitsplätze in Dresden.

*Quelle: Studie von IMS Research „The World Market for Power Semiconductor Discretes & Modules 2011“, September 2011. Weitere Informationen unter www.imsresearch.com
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.650¹ Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2010 (Geschäftsjahresende September) einen Umsatz von 3,295 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol "IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol "IFNNY" notiert.

¹ Die Mitarbeiterzahl beinhaltet noch rund 3.075 Mitarbeiterinnen und Mitarbeiter des Mobilfunkgeschäfts (Wireless Solutions), das an die Intel Corporation verkauft wurde.
 
 
 
» Infineon Technologies
» Presse Informationen
» Presse-Information
Datum: 10.10.2011 09:25
Nummer: INFXX201110.002
» Bildmaterial
Bitte klicken Sie auf die Bildvorschau, um die hochauflösende Version zu öffnen. » Weitere Hilfe zu Downloads

 Download der hochauflösenden Version...
Infineon gelingt Produktion von Chips auf 300-Millimeter-Dünnwafer-Technologie für Leistungshalbleiter

 Download der hochauflösenden Version...
Infineon gelingt Produktion von Chips auf 300-Millimeter-Dünnwafer-Technologie für Leistungshalbleiter
» Kontakt
Infineon Technologies AG

Media Relations
Tel: +49-89-234-28480
Fax: +49-89-234-9554521
media.relations@infineon.com

Investor Relations:
Tel: +49 89 234-26655
Fax: +49 89 234-9552987
investor.relations@infineon.com
» Weitere Meldungen
21.11.2024 10:15
AURIX™ TC3x von Infineon unterstützt FreeRTOS

20.11.2024 10:15
Zuverlässige Stromversorgung mit eFuses: Infineon präsentiert PROFET™ Wire Guard mit integriertem I²t-Kabelschutz

19.11.2024 12:00
Infineon und Quantinuum schließen strategische Partnerschaft mit dem Ziel, Quantencomputing für reale Anwendungen fit zu machen

18.11.2024 14:15
Infineon präsentiert branchenweit ersten strahlungsfesten, QML-qualifizierten 512-Mb-NOR-Flash-Speicher für die Raumfahrt

13.11.2024 14:15
OptiMOS™ Linear FET 2 MOSFET enables optimal hot-swap and battery protection