Gemeinsame Pressemitteilung von Fairchild Semiconductor und Infineon Technologies
Fairchild Semiconductor und Infineon Technologies schließen Lizenzabkommen über innovative MOSFET-Gehäusetechnologie H-PSOF TO-Leadless für den Einsatz in der Automobilelektronik; höhere Liefersicherheit
Neubiberg und San Jose, Kalifornien, USA, 3. April 2012 – Die Infineon Technologies AG und Fairchild Semiconductor Corp. haben eine Lizenzvereinbarung über die Verwendung von Infineons MOSFET-Gehäusetechnologie H-PSOF (Heatsink Plastic Small Outline Flat Lead) geschlossen, einem TO-Leadless-Gehäuse gemäß dem JEDEC-Standard (MO-299).

Das Gehäuse eignet sich für Hochstrom-Anwendungen in der Automobilelektronik, beispielsweise das Batterie-Management für Hybrid-Fahrzeuge, die elektrische Servolenkung oder die aktive Lichtmaschine sowie andere Anwendungen mit hoher Last. Das TO-Leadless-Gehäuse ist das erste, das für Ströme bis zu 300 A eingesetzt werden kann. Darüber hinaus sind seine Abmessungen im Vergleich zu heutigen D²PAK-Gehäusen etwa 20 Prozent geringer und seine Gehäusehöhe beträgt etwa nur die Hälfte.

Automobilelektronikhersteller entwickeln heute neue Start-/Stopp-Systeme, elektrische Servolenkungen, Lösungen für Batterie-Management und aktive Lichtmaschinen, die den Wirkungsgrad des Fahrzeugs verbessern. Dafür benötigen sie innovative Komponenten, die sie von verschiedenen Zulieferern beziehen möchten, um das Risiko von Engpässen zu minimieren; die Lizenzvereinbarung von Fairchild und Infineon über die innovativen MOSFET TO-Leadless-Gehäuse trägt dazu bei.

Fairchild wird die TO-Leadless-Gehäusetechnologie für seine neuesten MOSFET-Lösungen einsetzen. Erste Muster sollen in der zweiten Jahreshälfte 2012 verfügbar sein und die Volumenproduktion soll voraussichtlich ab Mitte 2013 beginnen.

„Fairchild Semiconductor ist seit vielen Jahren ein verlässlicher Zulieferer für innovative Leistungshalbleiter in der Automobilindustrie“, sagte Marion Limmer, Vice President der Automotive Division von Fairchild. „Mit den TO-Leadless-Gehäusen bieten wir Entwicklern die Möglichkeit, die neueste niederohmige MOSFET-Technologie zu nutzen und stärken damit unsere Präsenz im Markt für Automobilelektronik.“

„Die Automobilbranche profitiert von dieser Vereinbarung durch eine breitere Zuliefererbasis für Komponenten der Hochstrom-Leistungselektronik, deren Abmessungen, Effizienz und Leistung optimiert sind“, sagte Jochen Hanebeck, President der Automotive Division bei Infineon Technologies AG. „Infineon ist Technologieführer bei Leistungshalbleitern fürs Fahrzeug. Unser hohes technisches Know-how schafft MOSFETs, mit denen Systemlieferanten der Automobilindustrie die Effizienz und Leistungsfähigkeit ihrer Lösungen optimieren können und nicht nur auf einen Lieferanten angewiesen sind.“

Fairchild Semiconductor arbeitet mit weltweit führenden Automobilherstellern und Systemlieferanten zusammen. Das Unternehmen entwickelt Halbleiterlösungen für zahlreiche automobile Anwendungen. Dazu gehört neben der Optimierung des Energie-Managements in modernen Fahrzeugen auch die Senkung von Energieverbrauch und Schadstoffausstoß.

Weitere Informationen zum JEDEC-Standard des H-PSOF TO-Leadless-Gehäuses findet man unter http://www.jedec.org im Dokument MO-299A.pdf.

Über Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) – weltweite Präsenz, lokale Unterstützung, clevere Ideen. Fairchild liefert energieeffiziente, einfach einsetzbare Halbleiter-Lösungen für Leistungselektronik und mobile Designs. Mit unserer Erfahrung in den Bereichen Leistungselektronik und Signalpfad unterstützen wir unsere Kunden bei der Differenzierung ihrer Produkte und der Lösung schwieriger technischer Herausforderungen. Weitere Informationen zum Unternehmen erhalten Sie unter www.fairchildsemi.com.
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.000 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2011 (Ende September) einen Umsatz von 4 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol "IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol "IFNNY" notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com
 
 
 
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Datum: 03.04.2012 12:30
Nummer: INFATV201204.033
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