LTE-LNAs und LNA-Bänke von Infineon steigern die Datenrate von Smart-phones um bis zu 96 Prozent und verbessern Kundenzufriedenheit

Neubiberg – 27. Januar 2014 – Infineon Technologies stellte heute eine neue Serie von LNAs (Low Noise Amplifiers) und Vierfach-LNA-Bänken für den LTE-Standard vor. Mit den neuen Verstärker-ICs kann die Datenrate in Smartphones deutlich erhöht werden. LTE (auch 4G) ist der neueste Standard für die drahtlose Mobilfunk-Kommunikation und ermöglicht Datenraten von bis zu 300 Mbit/s – im Vergleich zu den 56 Mbit/s der Vorgänger-Generation (UMTS, 3G). Das führt in mobilen Internet-Verbindungen zu extrem schnellen Ladezeiten und verbessert den Komfort und die Kundenzufriedenheit für Smartphone-Nutzer deutlich. Allerdings stellt die Erfüllung der Kundenerwartungen in Bezug auf die hohen Datenraten von LTE eine Herausforderung in modernen mobilen Geräten dar. So führt die steigende Komplexität des HF-Frontends zu mehr HF-Komponenten (insbesondere Switches, Diplexer und Divider). Dies wiederum resultiert in höheren Verlusten für das Gesamtsystem und einer Verschlechterung des Signal-Rausch-Verhältnisses (SNR, Signal-Noise-Ratio). Außerdem bedingt der Abstand zwischen den Antennen und dem HF-Transceiver zusätzliche Leitungsverluste, die die SNR und damit auch die Datenrate negativ beeinflussen. Die LNA-Familien BGA7x1N6 und BGM7xxxx4L12 von Infineon bieten eine geringe Rauschzahl, präzise Verstärkung und hohe Linearität. Damit können Smartphone-Entwickler die genannten Herausforderungen meistern. Die neuen Produkte basieren auf der firmeneigenen SiGe (Silizium-Germanium)-Chip-Technologie mit integriertem ESD-Schutz. Die neuen LNAs und LNA-Bänke befinden sich sowohl in der Diversity- als auch Haupt-Antenne des Telefons, um die Empfangsempfindlichkeit des Systems und damit den Kundenutzen zu optimieren. Damit sind Datenraten möglich, die um bis zu 96 Prozent höher sind als mit Lösungen ohne LNAs. So kann das LTE-Potenzial voll ausgeschöpft werden. Die hohe Linearität der neuen Bausteine ermöglicht einen optimalen Empfang auch unter schwierigen Bedingungen, wie schlecht isolierten Antennen oder Leitungsverlusten zwischen Antenne und Transceiver. So wird eine Verbesserung der Empfindlichkeit von typisch 3,4 dB im Vergleich zu Systemen ohne LNAs erreicht – und das mit Chip-Gehäusen, die um 70 Prozent (1,1 mm x 0,7 mm) kleiner sind als bei bisher verfügbaren LNAs bzw. um 61 Prozent (1,9 mm x 1,1 mm) kleiner als bei bisher verfügbaren LNA-Bänken. Verfügbarkeit und Gehäuse Infineon bietet insgesamt drei LNAs und sieben Quad-LNA-Bänke für LTE an, um die Frequenzband-Konfigurationen in unterschiedlichen Regionen zu adressieren. Die Buchstaben in der Bauteil-Bezeichnung stehen für die verschiedenen Frequenzbänder (L für Low mit 0,7 bis 1,0 GHz, M für Mid mit 1,7 bis 2,2 GHz und H für High mit 2,3 bis 2,7 GHz): BGA7L1N6 BGA7M1N6 BGA7H1N6 BGM7LLHM4L12 BGM7LLMM4L12 BGM7MLLH4L12 BGM7MLLM4L12 BGM7LMHM4L12 BGM7HHMH4L12 BGM7MHLL4L12 Die Bausteine werden in ROHS-kompatiblen Kunststoffgehäusen (TSNP 6-2 oder TSLP 12-4) geliefert. Zusätzliche technische Informationen zu den BGA7x1N6 LTE LNAs und BGM7xxxx4L12 Quad-LNA-Bänken sind verfügbar unter: www.infineon.com/rfmmic

Über Infineon Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.700 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2013 (Ende September) einen Umsatz von 3,84 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com