Infineon bringt neue High-Power-Plattform auf den Markt – Angebot an die Industrie zur lizenzfreien Übernahme des Gehäusedesigns

München, 10. Dezember 2014 – Die Infineon Technologies AG gibt heute die Markteinführung von zwei neuen Leistungsmodul-Plattformen bekannt. Diese sind für Hochvolt-IGBTs in den Voltklassen von 1200 V bis zu 6,5 kV vorgesehen. Um die Vorteile der neuen Module einem möglichst breiten Nutzerkreis zu eröffnen, bietet Infineon allen Herstellern von IGBT-Leistungsmodulen die lizenzfreie Übernahme des Gehäusedesigns an. Das Plattform-Konzept wird Infineon als erstes mit Produkten in den Spannungsklassen 3,3 kV (450 A), 4,5 kV (400 A) und 6,5 kV (275 A) umsetzen. Die neu entwickelten Module haben die folgenden Maße: 100 mm x 140 mm x 40 mm. Sie werden erstmalig im Rahmen der PCIM vom 19. bis zum 21. Mai 2015 in Nürnberg vorgestellt. Neben der Gehäusebauform für Hochvolt-IGBTs ist eine zweite Gehäusevariante für Spannungsklassen kleiner 3,3 kV in Vorbereitung. Verlässliche und leistungsstarke IGBT-Module sind die Grundlage für das elektri-sche Schalten von Antrieben für die Industrie und Schienenfahrzeuge, für Wind- und Solarsysteme und für die Stromübertragung über lange Strecken. Die dafür erforderliche Chiptechnologie wird seit mehr als zwanzig Jahren genutzt. Aufgrund von Weiterentwicklungen konnten die Forderungen nach höherer Energieeffizienz und höherer Betriebstemperatur genauso erfüllt werden wie nach Miniaturisierung, höherer Verlässlichkeit und Kostenreduktion. Dabei wurden nur geringfüge Veränderungen an der weitestgehend standardisierten Gehäusetechnologie vorgenommen. Bei Anwendungen, die immer herausfordernderen und raueren Umgebungsbedingungen ausgesetzt sind, stößt die bisherige Herangehensweise an Grenzen. Um die kontinuierliche Leistungssteigerung von IGBTs auch weiter zu gewährleisten, muss jetzt auch die Gehäusetechnologie von Hochleistungsmodulen angepasst werden. Die von Infineon neu entwickelte Modul-Plattform erfüllt immer anspruchsvoller werdende Systemanforderungen mit Blick auf Leistungsdichte, Energieeffizienz, Lebensdauer und Robustheit. Das flexible Konzept erlaubt die Parallelschaltung gleicher Teile und ermöglicht damit eine vereinfachte Schaltstruktur für Kondensator und Zwischenkreis. Die Anschlussklemmen für den Wechselstrom können mit nur einer Sammelschiene parallel verbunden werden. Der dadurch ermöglichte flexible Einsatz und die Skalierbarkeit der neuen Module werden das Systemdesign erheblich vereinfachen und damit die Entwickler bei einer schnelleren Markteinführung unterstützen. Ausgestattet mit der neuesten Gehäusetechnologie wird das neue High-Power-Modul darüber hinaus auch dabei helfen, die Gesamtkosten des Systems zu reduzieren und dieses zukunftssicher zu machen. “Vor dem Hintergrund der ständig wachsenden Herausforderungen für die IGBT-Technologie sind wir sehr erfreut, einen neuen Gehäusetypus präsentieren zu können. Denn dieser wird nicht nur den gegenwärtigen, sondern auch den absehbar zukünftigen Bedürfnisse unserer Industrie gerecht. Wir sind sehr zuversichtlich, dass alle anspruchsvollen und leistungsstarken Anwendungen von unserem neuen Modulgehäuse profitieren werden,“ sagt Markus Hermwille, Director des High Power Segments im Geschäftsbereichs Industrial Power Control der Infineon Technologies AG. „Mit unserem Angebot an die Industrie, unser Gehäusedesign zu nutzen, wollen wir eine breite und verlässliche Lieferbasis für die neue High-Power-Plattform sicherstellen.“ Weitere Informationen zur neuen High-Power-Plattform sind erhältlich unter www.infineon.com/theanswer

Über Infineon Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 29.800 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2014 (Ende September) einen Umsatz von 4,3 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol "IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol "IFNNY" notiert.