Neue Module im 62-mm-Gehäuse für höhere Leistungsdichte

München, 10. März 2017 – Die Infineon Technologies AG erweitert das Produktportfolio der IGBT-Module im 62-mm-Gehäuse. Die neuen Leistungsmodule bedienen die steigende Nachfrage nach höherer Leistungsdichte bei gleicher Baugröße. Ermöglicht wird dies durch eine größere Chipfläche und ein angepasstes DCB-Substrat im bewährten Gehäuse. Typische Anwendungen für Module mit 1200 V Sperrspannung sind Antriebe, Solar-Wechselrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) sowie Mittelspannungsantriebe für Module mit 1700 V Sperrspannung. Bei einer Sperrspannung von 1200 V erreicht das 62-mm-Modul einen maximalen Nennstrom von 600 A. Mit 1700 V Sperrspannung liegt der maximale Nennstrom bei 500 A, Infineon ist mit dieser Stromstärke im Markt führend. Das Gehäuse ist mit Bodenplatte ausgestattet und entspricht bei der Bemaßung dem Industriestandard. Es kann daher leicht in bestehende Designs eingebaut werden und ermöglicht beispielsweise 20 Prozent mehr Ausgangsleistung beim Einsatz für Antriebe. Das Portfolio nutzt den IGBT4 – eine bewährte Technologie, die hohe Robustheit und Zuverlässigkeit bietet. Zwei Varianten der neuen Leistungsmodule stehen auch in der Ausführung „Common Emitter“ zur Verfügung, mit der eine 3-Level-Topologie (NPC2) aufgebaut werden kann. Diese ermöglicht einen effizienten Einsatz für große Leistungen im Anwendungsbereich Solar und USV. Verfügbarkeit Die neuen 62-mm-Leistungsmodule sind in Volumenproduktion und auch mit thermischem Interface Material (TIM) lieferbar. Passend zu den neuen 62-mm-Modulen bietet Infineon für den Eingangsgleichrichter auch neue Thyristoren-/ Dioden-Module in 34-mm- und 50-mm-Gehäusen mit Löt-Bond-Technologie. Weitere Informationen sind erhältlich unter http://www.infineon.com/new62mm.

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