Infineon fertigt ersten TRENCHSTOP 1200 V IGBT6 auf 300-mm-Wafer
München – 30. Juli 2018 – Die Infineon Technologies AG bringt eine neue 1200 V IGBT-Generation auf den Markt, den TRENCHSTOP™ IGBT6. Er erfüllt die steigenden Anforderungen bei Leistungsschaltern nach höchster Effizienz und Leistungsdichte. Als erster diskreter IGBT auf dem Markt wird das Bauteil mit Diode auf einem 300-mm-Wafer produziert. Die neue Produktfamilie wurde optimiert für den Einsatz in hart schaltenden und resonanten Topologien mit Schaltfrequenzen von 15 kHz bis 40 kHz. Typische Anwendungen für den IGBT6 sind unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Solarwechselrichter, Batterieladegeräte und Energiespeicher.

Der neue TRENCHSTOP IGBT6 ist in zwei Bauserien erhältlich. Die Serie S6 kennzeichnet eine niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) von 1,85 V. Die Serie H6 ist ausgelegt für geringe Schaltverluste. Wie in mehreren Anwendungstests bestätigt, führt der direkte Austausch des Vorgängerproduktes Highspeed3 durch den neuen TRENCHSTOP IGBT6 S6 zu einer Effizienzsteigerung von 0,2 Prozent. Der positive Temperaturkoeffizient des Bauteils ermöglicht eine einfache und zuverlässige Parallelisierung. Zusätzlich erlaubt die sehr gute Rg-Regelbarkeit eine Anpassung der Schaltgeschwindigkeit des IGBTs an die Anforderungen der jeweiligen Anwendung.

Verfügbarkeit

Die neuen 1200 V TRENCHSTOP IGBT6-Familien sind im Hochvolumen erhältlich. Das Produktportfolio umfasst Produkte mit 15 A und 40 A im TO-247-3-Gehäuse, wahlweise mit Halb- oder Vollfreilaufdiode. Eine branchenführende Stromdichte für einen diskreten IGBT liefert die Variante in 75 A mit einer vollwertigen Freilaufdiode in den Gehäusen TO-247PLUS 3pin oder 4pin. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/igbt6-1200v.
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen, die das Leben einfacher, sicherer und umweltfreundlicher machen. Mikroelektronik von Infineon ist der Schlüssel für eine lebenswerte Zukunft. Mit weltweit etwa 37.500 Beschäftigten erzielte das Unternehmen im Geschäftsjahr 2017 (Ende September) einen Umsatz von rund 7,1 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

Follow us: TwitterFacebook - LinkedIn
 
 
 
» Infineon Technologies
» Presse Informationen
» Presse-Information
Datum: 30.07.2018 10:15
Nummer: INFIPC201807-069d
» Bildmaterial
Bitte klicken Sie auf die Bildvorschau, um die hochauflösende Version zu öffnen. » Weitere Hilfe zu Downloads

 Download der hochauflösenden Version...


 Download der hochauflösenden Version...


 Download der hochauflösenden Version...
Die neue IGBT6-Technologie erfüllt die steigenden Anforderungen bei Leistungsschaltern nach höchster Effizienz und Leistungsdichte. Wie in mehreren Anwendungstests bestätigt, führt der direkte Austausch des Vorgängerproduktes Highspeed3 durch den neuen TRENCHSTOP IGBT6 S6 zu einer Effizienzsteigerung von 0,2 Prozent.
» Kontakt
Infineon Technologies AG

Media Relations
Tel: +49 (0)89 234-23888
media.relations@infineon.com

Investor Relations:
Tel: +49 89 234-26655
Fax: +49 89 234-9552987
investor.relations@infineon.com
» Weitere Meldungen
26.11.2024 10:15
Neue EiceDRIVER™ Power-Familie ermöglicht kompakte und kostengünstige Stromversorgungen für Gate-Treiber

21.11.2024 10:15
AURIX™ TC3x von Infineon unterstützt FreeRTOS

20.11.2024 10:15
Zuverlässige Stromversorgung mit eFuses: Infineon präsentiert PROFET™ Wire Guard mit integriertem I²t-Kabelschutz

19.11.2024 12:00
Infineon und Quantinuum schließen strategische Partnerschaft mit dem Ziel, Quantencomputing für reale Anwendungen fit zu machen

18.11.2024 14:15
Infineon präsentiert branchenweit ersten strahlungsfesten, QML-qualifizierten 512-Mb-NOR-Flash-Speicher für die Raumfahrt