Geringere Verluste und hohe Zyklenfestigkeit auch bei 150 °C: Die Leistungsmodule der neuen IHM/IHV B-Serie von Infineon sind für Traktionsantriebe optimiert

München und Nürnberg - 30. Mai 2006 - Anlässlich der Nürnberger Kongressmesse PCIM stellt die Infineon Technologies AG die ersten IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)-Module ihrer IHM/IHV B-Serie vor. Die neuen Module ermöglichen effiziente Umrichter-Designs in Anwendungen mit hohen Last- bzw. Temperaturschwankungen in rauen Umgebungen, wie sie in Lokomotiven, Zügen und Straßenbahnen vorkommen. Sie erweitern die Leistungs- und Funktionsmerkmale ihrer Vorgängerbaureihe mit verbessertem thermischem Verhalten, erweitertem Betriebstemperaturbereich bis 150°C und höherer Lastwechselfähigkeit.   Mit den neuen Hochleistungsmodulen können Umrichter bei gleicher Baugröße bis zu 50 Prozent leistungsstärker werden. Die neuen IHM/IHV B-Module sind mechanisch kompatibel zur bewährten Baureihe IHM-A und können diese problemlos ersetzen. Von IHM-A Modulen hat Infineon weltweit über eine Million Stück ausgeliefert und hält weltweit einen Marktanteil von etwa 30 Prozent. Die thermischen Eigenschaften der neuen Module ermöglichen bei typischen Betriebsbedingungen einen bis zu 50 Prozent höheren Ausgangstrom im Umrichter. Der Nennstrom der 3300V-Module wurde um 25 Prozent von 1200 A auf 1500 A erhöht. Die maximale Betriebstemperatur der Module beträgt +150 °C (bisher +125°C). Die untere Grenze ihrer Lagertemperatur ist von -40°C auf -55°C gesenkt. „Mit dem IHM-A Gehäusekonzept haben wir einen Standard bei Hochleistungsmodulen gesetzt“, sagte Martin Hierholzer, Leiter Industrial Power bei Infineon Technologies. „Die jetzt vorgestellten Leistungsmodule der IHM/IHV B-Serie setzen erneut Maßstäbe in Bezug auf erhöhte Stromtragfähigkeit, Zyklusfestigkeit und Zuverlässigkeit. Darüber hinaus profitieren unsere Kunden von der mechanischen Kompatibilität zur bisherigen IHM-A Familie.“ Neben dem ausgezeichneten thermischen Verhalten bieten die neuen Module eine hohe Robustheit und Zuverlässigkeit gegenüber den Belastungen in der Applikation. Hierzu zählen insbesondere die starken Temperaturschwankungen, wie sie z. B. in Zügen und Bahnen bei Fahrtaufnahme und -unterbrechung im Modul auftreten. Diesen besonderen Anforderungen der Traktion an das Modul trägt Infineon unter anderem durch den Einsatz einer Bodenplatte aus Aluminium-Siliziumkarbid (ALSiC) Rechnung. In Kombination mit der jeweils passenden Isolationskeramik steigert die AlSiC-Bodenplatte die thermische Lastwechselfähigkeit um annähernd den Faktor 10. Für andere Anwendungen wie industrielle Antriebsumrichter, Windkraftanlagen und Aufzüge, die hinsichtlich der Temperaturschwankungen geringere Anforderungen an die Module stellen, bietet Infineon die IHM/IHV B-Serie in verschiedenen Varianten mit Kupferbodenplatte an. Die Module entsprechen den RoHS-Vorgaben und erfüllen die Brandschutzvorschriften gemäß NFF16-101 und 16-102. Die Module werden in Warstein gefertigt, IGBT- und Dioden-Chips in Villach. Verfügbarkeit Die IHM/IHV B-Modulfamilie deckt den Spannungsbereich von 1200 V, 1700 V und 3300 V ab und ist für Ströme bis über 3600 A ausgelegt. Als Muster verfügbar sind heute zwei 3300-V-Module der IHM/IHV B-Serie mit einem Nennstrom von 1500 A: der FZ1500R33HL3 (mit Soft-IGBT der IGBT3-Familie) und der FZ1500R33HE3 (Fast-IGBT3). Die Serienfertigung soll im 3. Quartal 2006 beginnen. Die eingesetzten 3,3-kV-IGBT3-Chips basieren auf dem TrenchStop®-/Field Stop-Konzept und bieten gegenüber ihrer Vorgängergeneration beträchtlich weniger Durchlassspannungen: z. B. beim Modul FZ1500R33HL3 bis zu 40 Prozent mit heute 2,5 V anstatt der 4,3 V des Moduls KF2C. Neben den 3,3-kV-IGBT3-Chips sind auch die neue 1200 V IGBT4-Technologie sowie die 1700-V IGBT3-Technologie in den IHM/IHV B-Modulen geplant. Informationen zu IHM-B Modulen finden Sie unter http://www.infineon.com/power

Über Infineon Die Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Automobil-, Industrieelektronik und Multimarket, für Anwendungen in der Kommunikation sowie Speicherprodukte über ihr Tochterunternehmen Qimonda. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten über Landesgesellschaften in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 36.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2005 (Ende September) einen Umsatz von 6,76 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter http://www.infineon.com Weitere Informationen zu Qimonda unter http://www.qimonda.com