News Release by the Project Partners of the “NEULAND” German Research Project: AIXTRON, AZZURRO Semiconductors, MicroGaN, Infineon Technologies, SiCrystal, SMA Solar Technology

Halving Energy Losses with New Semiconductor Materials for the Benefit of Renewables, Telecommunications and Lighting Systems

Neubiberg, Germany – December 14, 2010 – Given the rising global energy demand, more efficient use of energy is an important lever for reducing CO2 emissions and safeguarding the availability of affordable energy. Six partners from the semiconductor and solar industries are joining forces in the NEULAND project funded by the Federal Ministry of Education and Research (BMBF) to explore new avenues for the efficient use of electricity from renewable sources. NEULAND stands for innovative power devices with high energy efficiency and cost effectiveness based on wide bandgap compound semiconductors. The project aims to reduce the losses in feeding electricity into the grid, e.g. in photovoltaic inverters, by as much as 50 percent – without significantly increasing system costs. This is to be achieved using innovative semiconductor devices based on silicon carbide (SiC) and gallium nitride on silicon (GaN-on-Si). The new semiconductor devices are also to be used in future in switched-mode power supplies for desktop and laptop PCs, for flat-screen TVs, servers and telecommunication systems with a view to likewise reducing energy losses in these applications by about half.   The NEULAND project will run until mid-2013 and is headed by Infineon. The project will receive funding at 52.6 percent to the tune of approximately Euro 4.7 million from the BMBF under the Federal Government’s High-Tech Strategy (“Information and Communications Technology 2020”, ICT 2020 program) as part of the call for proposals on “Power Electronics for Energy Efficiency Enhancement”. Background Today SiC material is already used in Schottky diodes. On the market for about ten years now, SiC Schottky diodes secure significantly reduced losses in current and voltage conversion in switched-mode power supplies. They are used primarily in switched-mode power supplies for PCs or TVs, in solar inverters and motor drives. At present GaN material is used mainly in white light emitting diodes. Studies into the suitability of this material for power applications began in 2006. The NEULAND research will reveal the applications for which GaN devices live up to or outperform present SiC devices in terms of reliability, ease of use and cost. This will pave the way for introducing the energy efficiency benefits of reduced losses throughout the consumer electronics spectrum.   The project consortium brings together outstanding expertise in SiC and GaN across a very wide area of the value chain. AIXTRON is represented as a provider of equipment for the semiconductor industry, and the SiCrystal and AZZURRO companies as wafer manufacturers. The semiconductor device know-how will be supplied by MicroGaN and Infineon, and the experience in systems engineering for photovoltaic applications will come from SMA Solar Technology. About AIXTRON AIXTRON AG is a leading provider of deposition equipment to the semiconductor industry. The Company's technology solutions are used by a diverse range of customers worldwide to build advanced components for electronic and opto-electronic applications based on compound, silicon, or organic semiconductor materials and more recently carbon nanostructures. Such components are used in display technology, signal and lighting technology, fiber communication networks, wireless and cell telephony applications, optical and electronic data storage, computer technology as well as a wide range of other high-tech applications. AIXTRON AG's securities are listed on the Frankfurt Stock Exchange and, in form of American Depositary Shares (ADS), on the Global Market of the NASDAQ Stock Market. Founded in 1983, the Company is headquartered in Herzogenrath, Germany. About AZZURRO AZZURRO is a strongly growing semiconductor company. Having pioneered the growth of gallium nitride on silicon substrates using metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) AZZURRO is providing its customers worldwide with epiwafers for LED and high-voltage applications. AZZURRO’s unique capability to grow very thick highest-quality gallium nitride on large area silicon substrates (currently 150 mm) enables cost breakthroughs for high-brightness LEDs and other GaN-based devices. For additional product und company information please refer to the company’s website: www.azzurro-semiconductors.com About MicroGaN MicroGaN is developing ultra fast power semiconductor devices as key for energy efficient circuits. These devices are applicable to general purpose power supplies as well as solar/wind energy production systems to enhance performance and reduce cost. Since its formation in 2002 as a Start-Up of Ulm University the company pioneered the adequate design and processing of high power semiconductor devices based on the novel material system Gallium Nitride (GaN). MicroGaN developed first 600V class devices fulfilling specifications close to competing state-of-the-art technologies but with significant advantage in terms of power efficiency. MicroGaN processes 4 inch and 6 inch GaN-on-Silicon wafers applying a proprietary extreme wafer-area efficient 3D-GaN technology. The resulting advantage for manufacturing is the fact that large wafer size including a progressive fabrication technology allows a market launch at competitive cost. About SiCrystal SiCrystals, founded in 1996, is a stock-company located in Erlangen in the northern part of Bavaria, Germany. SiCrystal produces and supplies high-quality single crystalline silicon carbide (SiC) wafers for customers worldwide. Because of its outstanding material properties SiC-based electronics and devices can work in very hostile environment, where operation of conventional silicon-based electronics is not possible anymore. Typical areas that already take or will take profit from SiC-devices are Electronics and Optoelectronics, Sensor Technology, High-Power Applications and High-Frequency Applications. SiCrystals expertise includes the whole process of manufacturing SiC-wafers such as numerical simulation, crystal growth, wafering, characterization and quality control. About SMA Solar Technology The SMA Group generated sales of EUR 934 million in 2009 and is the worldwide market leader for photovoltaic inverters, a key component of all solar power plants. It is headquartered in Niestetal, near Kassel, Germany, and is represented on four continents by 15 foreign subsidiaries. The Group employs a staff of over 5,500 (incl. temporary workers). SMA’s product portfolio includes the most comprehensive range of inverters on the market, offering a compatible inverter for every type of photovoltaic module and for all plant sizes. The product range covers both inverters for photovoltaic plants connected to the grid as well as inverters for off-grid systems. Since 2008, the Group’s parent company SMA Solar Technology AG has been listed on the Prime Standard of the Frankfurt Stock Exchange (S92) and also in the TecDAX index. In recent years, SMA has received numerous awards for its excellence as an employer. Media contacts: und zur Sicherung der Verfügbarkeit bezahlbarer Energie. Sechs Partner aus der Halbleiter- und Solarindustrie wollen mit dem vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) geförderten Projekt NEULAND gemeinsam neue Wege bei der effizienten Nutzung von Strom aus erneuerbaren Energien gehen. NEULAND steht für „Neuartige Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz und Wirtschaftlichkeit auf der Basis von Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke“. Ziel des Projekts ist es, mit neuartigen Halbleiterbauelementen auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid auf Silizium (GaN-on-Si) die Verluste etwa in Photovoltaik-Wechselrichtern bei der Einspeisung ins Stromnetz um bis zu 50 Prozent zu senken – und das, ohne die Kosten der Anlagen signifikant zu erhöhen. Die neuen Bauelemente sollen in Zukunft auch in Schaltnetzteilen für Desktop- und Laptop-PCs, für Flachbildfernseher, Server und Telekommunikationsanlagen zum Einsatz kommen und hier ebenfalls die Verluste um etwa die Hälfte senken helfen. Das Projekt NEULAND läuft bis Mitte 2013, die Projektleitung liegt bei Infineon. Es wird vom BMBF auf Grundlage der Hightech-Strategie der Bundesregierung  (Programm „Informations- und Kommunikationstechnologie 2020“ (IKT 2020)) im Rahmen der Förderbekanntmachung „Leistungselektronik zur Energieeffizienzsteigerung (LES)“  mit einem Beitrag von etwa 4,7 Millionen Euro bei einer Förderquote von 52,6 Prozent gefördert. Hintergrund Heute wird das Material SiC bereits in Schottky-Dioden verwendet. Solche SiC-Dioden, die seit etwa zehn Jahren auf dem Markt sind, sorgen dafür, dass bei der Strom- und Spannungswandlung in Schaltnetzteilen deutlich weniger Verluste entstehen. Sie kommen vor allem in Schaltnetzteilen für PCs oder Fernseher, in Solar-Wechselrichtern und Motorantrieben zum Einsatz. Das Material GaN wird derzeit hauptsächlich in weißen Leuchtdioden verwendet. Untersuchungen, inwiefern sich dieses Material für Leistungsanwendungen eignet, begannen im Jahr 2006. Die NEULAND-Forschungsarbeiten werden zeigen, für welche Anwendungen GaN-Bauelemente an die Zuverlässigkeit, Einsetzbarkeit und den Kostenrahmen heutiger SiC-Bauelemente heranreichen oder diese übertreffen, um die Energieeffizienz-Vorteile einer geringeren Verlustleistung über die gesamte Palette der Verbraucherelektronik einzuführen. Das Projektkonsortium umfasst ausgeprägte Expertise zu SiC und GaN über einen sehr großen Bereich der Wertschöpfungskette. Als Anlagenhersteller für die Halbleiterfertigung ist AIXTRON vertreten und als Waferhersteller die Unternehmen SiCrystal und AZZURRO. Das Bauelemente-Know-how kommt von MicroGaN und Infineon und die Erfahrung zur Systemtechnik im Solarbereich vom Unternehmen SMA Solar Technology. Über AIXTRON AIXTRON AG ist ein führender Anbieter von Depositions-Anlagen für die Halbleiterindustrie. Die Produkte der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und opto-elektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungs-, Silizium- und organischen Halbleitermaterialien sowie Kohlenstoff-Nanostrukturen genutzt. Diese Bauelemente werden in der Displaytechnik, der Signal- und Lichttechnik, Glasfaser-Kommunikationsnetzen, drahtlosen und mobilen Telefonie-Anwendungen, der optischen und elektronischen Datenspeicherung, der Computer-Technik sowie einer Reihe anderer High-Tech-Anwendungen eingesetzt. Die Aktien des 1983 gegründeten Unternehmens mit Sitz in Herzogenrath sind im Prime Standard der Frankfurter Wertpapierbörse und in Form von American Depositary Shares (ADS) am Global Market der NASDAQ notiert. Über AZZURRO Die AZZURRO Seminconductors AG besteht seit sieben Jahren und hat sich auf das epitaktische MOVPE-Wachstum (Metalorganic Vapour Phase Epitaxy) spezialisiert. Der Fokus liegt auf dem Abscheiden von Galliumnitrid-Schichten auf Silizium-Substraten bis zu einem derzeitigen Wafer-Durchmesser von 150 mm. Adressiert werden die zwei hochvolumigen Anwendungsbereiche von LED- und Hochvoltanwendungen. Weitere Informationen über die Produkte und die Firma sind unter www.azzurro-semiconductors.com zu finden. Über MicroGaN MicroGaN entwickelt extrem schnelle Leistungs-Halbleiterbauelemente, die Schlüsselkomponenten für energieeffiziente Schaltungen und Anwendungen darstellen. Diese Bauelemente sind prädestiniert sowohl für alle Arten von Netzteilen als auch für solare bzw. Windkraft-Energieerzeugung, um die Systemleistung entscheidend zu verbessern bei gleichzeitiger Kostenreduktion. Seit der Gründung in 2002 als Ausgründung der Universität Ulm hat MicroGaN wesentliche Pionierarbeit geleistet, um Hochleistungsbauelemente basierend auf dem neuen Materialsystem Galliumnitrid (GaN) zu entwerfen und zu fertigen. MicroGaN hat erfolgreich erste Bauelemente in der 600V-Klasse entwickelt, die mit ihren Spezifikationen bereits vergleichbar sind zu den besten der konkurrierenden Technologien, jedoch bezüglich Steigerung der Leistungseffizienz enorme Vorteile bieten. MicroGaN fertigt auf 4- und 6-Zoll Substraten mit einer eigens entwickelten, hoch flächeneffizienten 3D-GaN Technologie. Diese Fertigungsvorteile ermöglichen bereits mit Produktstart konkurrenzfähige Markteintrittspreise. Über SiCrystal SiCrystal, gegründet im Jahr 1996, ist eine Aktiengesellschaft mit Geschäftssitz in Erlangen. SiCrystal produziert und liefert weltweit hochwertige einkristalline Siliziumkarbid-Substrate. Typische Anwendungsbereiche, die bereits heute von SiC-Bauelementen profitieren, sind unter anderem Optoelektronik, Sensorik, Leistungselektronik, Hochfrequenzelektronik. SiCrystal beherrscht den kompletten Fertigungsprozess der Herstellung von Siliziumkarbid-Substraten, angefangen bei der numerischen Simulation, über Kristallzüchtung, Scheibenbearbeitung, Charakterisierung bis hin zur Qualitätskontrolle. Unser Know-how ist durch zahlreiche Patente geschützt. Über die SMA Solar Technology AG Die SMA Gruppe ist mit einem Umsatz von 934 Mio. Euro im Jahr 2009 Weltmarktführer bei Photovoltaik-Wechselrichtern, einer zentralen Komponente jeder Solarstromanlage. Sie hat ihren Hauptsitz in Niestetal bei Kassel sowie 15 Auslandsgesellschaften auf vier Kontinenten. Die Unternehmensgruppe beschäftigt mehr als 5.500 Mitarbeiter (inkl. Zeitarbeitskräfte). SMA produziert ein breites Spektrum von Wechselrichtertypen, das geeignete Wechselrichter für jeden eingesetzten Photovoltaik-Modultyp und alle Leistungsgrößen von Photovoltaikanlagen bietet. Das Produktspektrum beinhaltet sowohl Wechselrichter für netzgekoppelte Photovoltaikanlagen als auch für Inselsysteme. Seit 2008 ist die Muttergesellschaft SMA Solar Technology AG im Prime Standard der Frankfurter Wertpapierbörse (S92) notiert und im TecDAX gelistet. SMA wurde in den vergangenen Jahren mehrfach für ihre herausragenden Leistungen als Arbeitgeber ausgezeichnet. Pressekontakte: AIXTRON AG Prof. Dr. Michael Heuken Vice President Corporate Research and Development Telefon: +49 241 8909 154 Email: m.heuken@aixtron.com Weblink: www.aixtron.com AZZURRO Semiconductors AG Alexander Lösing Executive Vice President Sales Telefon: +49 391 50688-102 Email: a.loesing@azzurro-semiconductors.com Weblink: www.azzurro-semiconductors.com MicroGaN GmbH Dr. Ertugrul Sönmez Business Development Telefon: +49 731 175886-14 Email: ertugrul.soenmez@microgan.com Weblink: www.microgan.com Infineon Technologies AG Monika Sonntag Media Relations Telefon: +49 89 234-24497 Email: monika.sonntag@infineon.com Weblink: www.infineon.com SiCrystal AG Sabine Storm Forschung und Entwicklung Telefon: +49 9131 40000-601 Email: sabine.storm@sicrystal.de Weblink: www.sicrystal.de

About Infineon Infineon Technologies AG, Neubiberg, Germany, offers semiconductor and system solutions addressing three central challenges to modern society: energy efficiency, mobility, and security. In the 2010 fiscal year (ending September 30), the company reported sales of Euro 3.295 billion with approximately 26,650 employees worldwide. With a global presence, Infineon operates through its subsidiaries in the U.S. from Milpitas, CA, in the Asia-Pacific region from Singapore, and in Japan from Tokyo. Infineon is listed on the Frankfurt Stock Exchange (ticker symbol: IFX) and in the USA on the over-the-counter market OTCQX International Premier (ticker symbol: IFNNY). Further information is available at www.infineon.com.