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19.02.2025 14:00 ROHMs neue TVS-Dioden unterstützen CAN-FD-Hochgeschwindigkeitskommunikation für autonome Fahrzeuge
Willich-Münchheide, 19. Februar 2025 – Für die Hochgeschwindigkeits-kommunikation in Fahrzeugen hat ROHM bidirektionale TVS-Dioden (ESD-Schutz) entwickelt, die CAN-FD-kompatibel (CAN mit flexibler Datenrate) sind. Die Nachfrage nach solchen Protokollen steigt mit der fortschreitenden Entwicklung des autonomen Fahrens und fortschrittlicher Fahrerassistenzsysteme (ADAS). CAN FD ist eine zentrale Kommunikationstechnologie für die sichere Echtzeit-Datenübertragung zwischen Kfz-Steuergeräten (ECUs). Die neuen Produkte sorgen für eine hochwertige Übertragung in Fahrzeugen, indem sie elektronische Komponenten wie Steuergeräte vor Überspannungen und elektrostatischen Entladungen (ESD) schützen. Gleichzeitig bewahren sie die Signalintegrität in Hochgeschwindigkeits-Kommunikationssystemen wie CAN FD.
12.02.2025 14:00 ROHMs neue Universal-Chipwiderstände ermöglichen weitere Miniaturisierung
Willich-Münchheide, 12. Februar 2025 – ROHM hat sein Portfolio an universellen Chipwiderständen um die MCRx-Familie erweitert. Diese wurde entwickelt, um eine weitere Miniaturisierung und Leistungssteigerung in einer Vielzahl von Anwendungen zu ermöglichen. Die neue Produktreihe umfasst die Hochleistungsserie MCRS sowie die niederohmige Hochleistungsserie MCRL.
15.01.2025 14:00 ROHM bietet die branchenweit kleinsten* Terahertz-Oszillatoren und -Detektoren
Willich-Münchheide, 15. Januar 2025 – ROHM bietet Muster der branchenweit kleinsten* Terahertz (THz)-Oszillatoren und -Detektoren an, die auf Halbleiterelementen, so genannten Resonanz-Tunnel-Dioden (RTDs), basieren. Terahertz-Wellen werden in der zerstörungsfreien Prüfung, der Bildgebung und der Sensorik in der Medizin und im Gesundheitswesen sowie möglicherweise in künftigen ultraschnellen Kommunikations-technologien eingesetzt. Die Verfügbarkeit dieser Bauelemente trägt zur Weiterentwicklung von Anwendungen im Terahertz-Bereich bei.
10.12.2024 14:00 ROHM und TSMC: Strategische Zusammenarbeit im Bereich Galliumnitrid-Technologie für die Automobilindustrie
Willich-Münchheide, 10. Dezember2024 – ROHM Co., Ltd. (ROHM) und TSMC sind eine strategische Partnerschaft zur Entwicklung und Serienproduktion von Galliumnitrid (GaN)-Leistungsbauelementen für den Einsatz in Elektrofahrzeugen eingegangen.
26.11.2024 09:30 Valeo & ROHM Semiconductor entwickeln gemeinsam die nächste Generation der Leistungselektronik
Paris/Düsseldorf, 26. November 2024 – Valeo, ein führendes Unternehmen der Automobiltechnologie, und ROHM Semiconductor, ein führender Hersteller von Halbleitern und elektronischen Komponenten, bündeln ihre Kompetenzen im Bereich der Leistungselektronik und arbeiten gemeinsam an der Optimierung und Entwicklung der nächsten Generation von Leistungsmodulen für Elektromotor-Wechselrichter. In einem ersten Schritt wird ROHM sein 2-in-1-Siliziumkarbid (SiC)-Modul TRCDRIVE pack für zukünftige Antriebsstranglösungen an Valeo liefern.
12.11.2024 14:00 ROHMs neue SiC-Schottky-Barrier-Dioden für xEV-Hochspannungssysteme: Optimiertes Gehäusedesign verbessert Isolationswiderstand
Willich-Münchheide, 12. November 2024 – ROHM hat oberflächenmontierbare SiC-Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) entwickelt, die den Isolationswiderstand durch eine Vergrößerung der Kriechstrecke zwischen den Anschlüssen verbessern. Die anfängliche Produktreihe umfasst acht Modelle – SCS2xxxNHR – für Automobilanwendungen wie Onboard-Ladegeräte. Für Dezember 2024 ist die Markteinführung von weiteren acht Modellen – SCS2xxxN – für industrielle Anwendungen wie FA-Geräte und PV-Wechselrichter – geplant.
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