Presse-Informationen 1 bis 6 von 194
12.11.2024 14:00 ROHMs neue SiC-Schottky-Barrier-Dioden für xEV-Hochspannungssysteme: Optimiertes Gehäusedesign verbessert Isolationswiderstand
Willich-Münchheide, 12. November 2024 – ROHM hat oberflächenmontierbare SiC-Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) entwickelt, die den Isolationswiderstand durch eine Vergrößerung der Kriechstrecke zwischen den Anschlüssen verbessern. Die anfängliche Produktreihe umfasst acht Modelle – SCS2xxxNHR – für Automobilanwendungen wie Onboard-Ladegeräte. Für Dezember 2024 ist die Markteinführung von weiteren acht Modellen – SCS2xxxN – für industrielle Anwendungen wie FA-Geräte und PV-Wechselrichter – geplant.
07.11.2024 14:00 ROHMs neue 1200-V-IGBTs erreichen branchenführend* geringe Verluste mit hoher Kurzschlusstoleranz
Willich-Münchheide, 07. November 2024 – ROHM hat AEC-Q101-qualifizierte 1200-V-IGBTs der vierten Generation für die Automobilindustrie entwickelt. Die neuen Bauelemente kombinieren branchenführend* geringe Verluste mit hoher Kurzschlussfestigkeit. Sie eignen sich ideal für elektrische Fahrzeugkompressoren und Hochspannungs-heizungen sowie für industrielle Wechselrichter. Die aktuelle Produktpalette umfasst vier Modelle – RGA80TRX2HR / RGA80TRX2EHR / RGA80TSX2HR / RGA80TSX2EHR – in zwei diskreten Gehäusetypen (TO-247-4L und TO-247N) sowie elf Bare-Chip-Varianten – SG84xxWN – und soll in Zukunft erweitert werden.
10.10.2024 10:00 ROHM auf der electronica 2024: Empowering Growth, Inspiring Innovation
Willich/München, 10. Oktober 2024 – ROHM Semiconductor Europe freut sich auf die electronica 2024 – die weltweit führende Fachmesse und Konferenz für elektronische Komponenten, Systeme, Anwendungen und Lösungen. Die Veranstaltung findet vom 12. bis 15. November in München statt.
08.10.2024 14:00 ROHMs neue PWM-Controller-ICs mit SOP-Gehäuse für die Stromversorgung in einer Vielzahl von Industrieanwendungen
Willich-Münchheide, 08. Oktober 2024 – ROHM hat externe FET-Controller-ICs mit PWM-Stromregelung entwickelt, die für die AC/DC-Stromversorgung in verschiedenen industriellen Anwendungen optimiert sind. Die Massenproduktion wurde bereits für vier Varianten zur Ansteuerung einer breiten Palette von Leistungshalbleitern gestartet: BD28C55FJ-LB für Niederspannungs-MOSFETs, BD28C54FJ-LB für Mittel- bis Hochspannungs-MOSFETs, BD28C57LFJ-LB für IGBTs und BD28C57HFJ-LB für SiC-MOSFETs.
19.09.2024 14:00 ROHMs neue N-Kanal-MOSFETs bieten hohe Zuverlässigkeit in Automobilanwendungen
Willich-Münchheide, 19. September 2024 – ROHM liefert N-Kanal-MOSFETs – RF9x120BKFRA / RQ3xxx0BxFRA / RD3x0xxBKHRB – mit niedrigem Einschaltwiderstand. Die AEC-Q101-qualifizierten Bauelemente eignen sich ideal für eine Vielzahl von Automobilanwendungen, darunter Stellmotoren für Türen und Sitzpositionierung sowie LED-Scheinwerfer. Der Verkauf hat mit zehn Modellen in drei Gehäusetypen begonnen. Für die Zukunft ist eine Erweiterung der Produktpalette geplant.
05.09.2024 14:00 ROHM und UAES unterzeichnen langfristige Liefervereinbarung für SiC-Leistungsbauelemente
Willich-Münchheide, 05. September 2024 – ROHM und United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. (UAES), ein führender Tier-1-Automobilzulieferer in China, haben einen langfristigen Liefervertrag für SiC-Leistungsbauelemente abgeschlossen.
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