| 07.02.2023 14:00 |
ROHMs kompakte intelligente Low-Side-Schalter: Geringere Verlustleistung und sicherer Betrieb durch proprietäre TDACC™ Schaltungs- und Bauteiltechnologie |
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Willich-Münchheide, 07. Februar 2023 – ROHM kündigt eine neue Generation von intelligenten 40-V-Low-Side-Schaltern (Ein-Kanal- und Zwei-Kanal-Konfigurationen) an. Die beiden Produktfamilien, BV1LExxxEFJ-C und BM2LExxxFJ-C, eignen sich ideal für Automobil- und Industrieanwendungen. Sie sind gemäß AEC-Q100 qualifiziert und die optimale Lösung für Systeme wie Karosserie-, Motor- und Getriebesteuerungen, LED-Beleuchtungsmodule oder industrielle SPS (Speicherprogrammierbare Steuerungen). |
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| 25.01.2023 14:00 |
ROHMs isolierte DC/DC-Wandler für xEV: reduzieren Anwendungsgröße und Entwicklungsaufwand für Rauschunterdrückungsmaßnahmen |
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Willich-Münchheide, 25. Januar 2023 – ROHM bietet mit der BD7Fx05EFJ-C-Serie (BD7F105EFJ-C, BD7F205EFJ-C) isolierte DC/DC-Sperrwandler, die für Gate-Treiber-Stromversorgungen in xEV-Anwendungen wie elektrischen Kompressoren und PTC-Heizungen optimiert sind. |
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| 12.01.2023 14:00 |
ROHM ernennt Aly Mashaly zum neuen Direktor des Application and Technical Solution Centers in Europa |
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Willich-Münchheide, 12. Januar 2023 – Aly Mashaly hat zum 1. Januar 2023 die Nachfolge von Günter Richard als Direktor des European Application and Technical Solution Centers (ATSC) von ROHM angetreten. Günter Richard ist nach 32 Jahren Tätigkeit für ROHM in den Ruhestand getreten. |
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| 10.01.2023 14:00 |
Hitachi Astemo verwendet ROHMs SiC-MOSFETs der 4. Generation in Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge |
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Willich-Münchheide, 10. Januar 2023 – Hitachi Astemo, Ltd., ein führender japanischer Hersteller von Automobilkomponenten, wird die neuen SiC-MOSFETs der 4. Generation und Gate-Treiber-ICs von ROHM in Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge einsetzen. |
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| 19.12.2022 14:00 |
ROHMs neue MOSFETs gewährleisten Dank einzigartigem Isolationsschutz höheren Wirkungsgrad und sichereren Betrieb |
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Willich-Münchheide, 19. Dezember 2022 – ROHM bietet mit dem RA1C030LD einen kompakten, hocheffizienten 20-V-N-Kanal-MOSFET, der optimiert ist für das Schalten in Anwendungen mit geringsten Abmessungen in Smartphones und Wearables wie kabellosen Ohrhörern und anderen Hörsystemen. |
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| 08.12.2022 14:00 |
ROHMs neue Shunt-Widerstände in Baugröße 0508 mit branchenweit höchster Nennleistung ermöglichen stärkere Miniaturisierung |
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Willich-Münchheide, 08. Dezember 2022 – ROHM bietet mit der LTR10L-Serie optimierte Shunt-Widerstände mit breitem Anschlussgehäuse für eine Vielzahl von Anwendungen im Automobil-, Industrie- und Konsumgüterbereich. Zudem verstärkt das Unternehmen seine umfangreiche Produktpalette um zwei weiterentwickelte universelle Shunt-Widerstände der MCR-Serie (MCR10L und MCR18L). |
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