30.09.2021 14:00 |
ROHM überarbeitet Ziele zur Reduzierung der Treibhausgasemissionen bis 2030 für eine kohlenstofffreie Gesellschaft |
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Willich-Münchheide, 30. September 2021 – ROHM hat seine mittelfristigen Umweltziele bis 2030 überarbeitet – das Ziel ist eine kohlenstofffreie Gesellschaft. Gleichzeitig erklärt sich das Unternehmen bereit, die Empfehlungen der „Task Force on Climate-related Financial Disclosures (TCFD)“ zu unterstützen und an der den Empfehlungen entsprechenden Offenlegung von Informationen zu arbeiten. |
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07.09.2021 14:00 |
ROHM und Geely Automobile Group schließen eine strategische Partnerschaft: Fokus auf SiC-Leistungshalbleiter |
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Willich-Münchheide, 07. September 2021 – Der globale Halbleiterhersteller ROHM und die Geely Automobile Group Co. Ltd, ein führender chinesischer Automobilhersteller, sind eine strategische Partnerschaft eingegangen. Das gemeinsame Ziel: Fortschrittliche Technologien im Automobilbereich entwickeln. |
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26.08.2021 11:45 |
ROHM feiert 50-jähriges Jubiläum in Europa: Fokus auf Power- und Analog-Lösungen |
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Willich, 26. August 2021 – Seit 1971 hat ROHM acht Standorte in Europa aufgebaut, um seine Kunden mit maßgeschneiderten Halbleiterlösungen lokal zu unterstützen. Mit einer speziellen Website zum 50-jährigen Jubiläum würdigt das Unternehmen die Meilensteine seiner europäischen Aktivitäten. |
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16.08.2021 14:00 |
ROHM bietet neue Operationsverstärker der EMARMOUR™-Serie |
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Willich, 16. August 2021 – ROHM kündigt mit der BD8758xY-Serie (BD87581YG-C, BD87582YFVM-C) ein- und zweikanalige Hochgeschwindigkeits-CMOS-Operationsverstärker mit Rail-to-Rail-Technologie an. Die Bauelemente zeichnen sich durch eine verbesserte Störfestigkeit gegenüber elektromagnetischen Interferenzen (EMI) sowie einen Versorgungsspannungsbereich von 4,0 V bis 14,0 V aus. Der Eingangsspannungsbereich liegt zwischen VSS und VDD, der Ausgangsspannungsbereich zwischen VSS + 0,03 V und VDD - 0,05 V. Die Ausgangsspannung schwankt über das gesamte Rauschfrequenzband um ±10 mV und damit um ein Dreißigstel weniger als bei herkömmlichen Operationsverstärkern. Die Anstiegsrate ist mit 3,5 V/µs spezifiziert. Der Ruhestrom beträgt 0,001 nA. Als Gehäuseversionen stehen SSOP5 (BD87581YG-C) und MSOP8 (BD87582YFVM-C) zur Verfügung. Die BD8758xY-Serie eignet sich für Automobil- und Industrieanwendungen, in denen eine Hochgeschwindigkeits-Sensorik in Umgebung mit hohen Störungen zum Einsatz kommt. Beispiele hierfür sind Motorsteuergeräte für Fahrzeuge und Anomalie-Erkennungssysteme für Fabrikautomatisierungsanlagen. |
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19.07.2021 14:00 |
ROHM bietet neue Hybrid-IGBTs mit integrierter SiC-Diode |
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Willich-Münchheide, 19. Juli 2021 – ROHM kündigt mit seiner RGWxx65C Serie (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR) Hybrid-IGBTs mit einer integrierten 650-V-SiC-Schottky-Barrierediode an. Die Bauelemente im TO-247N-Gehäuse sind für Nennströme von 30 A, 40 A und 50 A ausgelegt und gemäß dem Automotive-Zuverlässigkeitsstandard AEC-Q101 qualifiziert. Sie eignen sich ideal für Automobil- und Industrieanwendungen, die große Leistungen verarbeiten. Dazu gehören Photovoltaik-Leistungsregler, Onboard-Ladegeräte und DC/DC-Wandler in elektrischen und elektrifizierten Fahrzeugen (xEV). |
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30.06.2021 14:00 |
ROHM bietet neue Stromversorgungs-ICs mit 80 V Spannungsfestigkeit und 5 A Ausgang |
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Willich-Münchheide, 30. Juni 2021 – ROHM kündigt unter der Bezeichnung BD9G500EFJ-LA und BD9F500QUZ nicht-isolierte DC/DC-Abwärtswandler-ICs mit integrierten Leistungs-MOSFETs an. Die neuen Bauelemente unterstützen hohe Spannungen und Ströme und verbessern dadurch die Zuverlässigkeit und Funktionalität in zahlreichen Anwendungen der Fabrikautomatisierung. Dazu gehören speicherprogrammierbare Steuerungen/Umrichter, batteriebetriebene Industrie-Anwendungen sowie 5G-Basisstationen, die hohe Leistungen verarbeiten. |
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