ROHMs neue Shunt-Widerstände im kompakten 5,0 mm x 2,5 mm Gehäuse bieten hohe Nennleistung von 4 W

GMR50 Serie verbessert durch neuartige Konstruktion mit hoher Wärmeableitung die Zuverlässigkeit und sorgt für mehr Platzersparnis in Automobil- und Industrieanwendungen

Willich-Münchheide, 18. Februar 2020 – ROHM kündigt mit der GMR50 Serie kompakte Shunt-Widerstände im 5,0 mm x 2,5 mm großen Gehäuse (2010-Gehäustetyp) an. Die neuen Bauelemente zeichnen sich durch eine hohe Nennleistung von 4 W (bei einer Elektroden-Temperatur von TK = 90 °C) und einen Widerstandsbereich von 5 mΩ bis 220 mΩ aus. Ihre Widerstandstoleranz ist mit F (±1 %) spezifiziert. Der Betriebstemperaturbereich liegt zwischen –55 °C und +170 °C. Die Shunt-Widerstände eignen sich ideal für die Strommessung in Motoren und Stromversorgungsschaltungen in Automobilsystemen und Industrieanlangen. Die GMR50 Serie kombiniert eine überarbeitete Elektrodenkonstruktion mit optimiertem Produktdesign und verbessert somit die Wärmeableitung zur Leiterplatte. Das Ergebnis ist eine um 39 % kleinere Montagefläche im Vergleich zu herkömmlichen Produkten mit 4 W Nennleistung. Zudem sind die neuen Shunt-Widerstände wesentlich beständiger gegen Überstromlasten und sie gewährleisten bei der Strommessung eine hohe Genaugigkeit. Dies ist auch dann der Fall, wenn Lasten angelegt werden, die über die Nennleistung hinausgehen. Shunt-Widerstände werden in Automobilanwendungen und Industrieanlagen zur Strommessung eingesetzt. Insbesondere im Automobilbereich erhöht die steigende Funktionalität die Anzahl der Motoren und Steuergeräte. Gleichzeitig ist aber der Einbauraum für Anwendungen begrenzt. Infolgedessen steigt die Montagedichte, was wiederum die Nachfrage nach Komponenten wie kompakten Power-Shunt-Widerständen erhöht. Aufgrund dieser Entwicklung hat ROHM 2017 die GMR100 Serie in den Markt eingeführt. Dabei handelt es sich um kompakte Power-Shunt-Widerstände mit Abmessungen von 6,4 mm x 3,2 mm (2512-Gehäusetyp). Diese werden in Automobil- und Industrieanwendungen mit hohen Temperaturanforderungen gut angenommen. Die neu vorgestellte GMR50 Serie erfüllt die Anforderungen nach weiterer Miniaturisierung und höherer Leistung im Vergleich zu herkömmlichen Produkten. (Bild 2) Wesentliche Merkmale 1. Spezielle Konstruktion zur Wärmeableitung erzielt hohe Nennleistung bei längerer Lebensdauer unter Überstromlast Um die Nennleistung zu erhöhen und gleichzeitig die Abmessungen zu reduzieren, muss langfristig Sicherheit gegen Eigenerwärmung gewährleistet sein. ROHM hat daher die Wärmeableitung durch eine überarbeitete Elektrodenkonstruktion und ein optimiertes Produktdesign verbessert. Zum Beispiel gelang es ROHM, bei einem 5-mΩ-Produkt mit 2 W den Anstieg der Oberflächentemperatur im Vergleich zu herkömmlichen Widerständen mit 5025-Gehäuse um 57% zu reduzieren. 1) Hohe Nennleistung sorgt für Platzersparnis Die GMR50 Serie bietet eine hervorragende Wärmeableitung. Untergebracht in einem 5,0 mm x 2,5 mm großen Gehäuse (2010-Gehäusetyp) garantiert sie bei einer Elektroden-Temperatur TK = 90 °C eine hohe Nennleistung von 4 W bzw. 3 W bei TK = 100°C. Durch die verbesserte Nennleistung können Shunt-Widerstände verwendet werden, die in der 4-W-Klasse um eine Baugrröße kleiner sind. Dadurch wird die Montagefläche um 39% reduziert und eine größere Platzersparnis erzielt. 2) Hervorragende Lebensdauer ermöglicht eine stabile Strommessung Shunt-Widerstände kommen in Strommessungsschaltungen zum Einsatz. Eine stabile Strommessung ist aber auch dann erforderlich,  wenn durch den Widerstand ein großer Strom fließt, weil zum Beispiel das Detektionsziel fehlerhaft ist oder Erd-/Kurzschlüsse nicht erkannt werden. Die neue GMR50 Serie ist gegen Überstromlasten wesentlich beständiger als herkömmliche Produkte. Das Resultat sind minimale Widerstandsänderungen, die selbst bei einem Überstorm oberhalb der Nennleistung eine hohe Genauigkeit bei der Strommessung gewährleisten. 3) ROHM bietet einzigartiges Lösungsportfolio Zusätzlich zu den Shunt-Widerständen bietet ROHM ein breites Portfolio, das von ICs bis hin zu Leistungsbauelementen reicht, sowie technische Unterstützung wie thermische Simulation. Wird beispielsweise ein Shunt-Widerstand der neu entwickelten GMR50 Serie auf einer Leiterplatte montiert, lässt sich der Anstieg der Oberflächentemperatur im Vergleich zu ROHMs konventionellen Produkten simulieren. Das Simulationsergebnis zeigt, dass der Shunt-Widerstand den Temperaturanstieg von Schaltungen mit zwei parallel geschalteten konventionellen Widerständen mit 5025-Gehäuse verhindern kann. Dies ist auch dann der Fall, wenn nur ein Widerstand montiert ist. (Bild 3) 2. Hervorragender Temperaturkoeffizient des Widerstandes, selbst im niederohmigen Bereich Die GMR50 Serie verwendet eine Hochleistungsmetalllegierung als Widerstandselement. Dadurch erreicht sie selbst im niederohmigen Bereich einen hohen Temperaturkoeffizienten (TCR), zum Beispiel 0 bis +25 ppm/°C für einen 5-mΩ-Widerstand. Dies gestattet eine hochgenaue Strommessung, die unempfindich gegenüber Schwankungen der Umgebungstemperatur ist und so die Zuverlässigkeit der Anwendung erhöht. (Bild 4) Verfügbarkeit: Die Shunt-Widerstände der GMR50 Serie sind ab sofort erhältlich. Produktspektrum Neben den Shunt-Widerständen der GMR100 Serie im 2512-Gehäuse mit Abmessungen von 6,4 mm x 3,2 mm bietet ROHM nun auch die GMR50 Serie im 5,0 mm x 2,5 mm großen 2010-Gehäuse. (Tabelle) Auswahltabelle für die Widerstände von ROHM (Bild 5)

Über ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das per 31.3.2019 einen Umsatz von rund 3,652 Mrd. US-Dollar erwirtschaftete und 22.899 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, zu der integrierte Schaltungen, SiC-Dioden, SiC-MOSFETs, SiC-Module, Transistoren, LEDs und weitere elektronische Bauelemente, aber auch Widerstände, Tantal-Kondensatoren und Druckköpfe gehören. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China. Lapis Semiconductor, SiCrystal GmbH und Kionix gehören ebenfalls der ROHM Semiconductor Group an. ROHM Semiconductor Europe mit seiner Zentrale nahe Düsseldorf betreut die EMEA-Region (Europe, Middle East, Africa). Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.rohm.de