ROHM bietet P-Kanal-MOSFETs der fünften Generation mit branchenweit niedrigstem Einschaltwiderstand

Breite Palette von 24 Modellen mit Spannungsfestigkeiten von –40 V/–60 V

Willich-Münchheide, 10. Februar 2021 – ROHM erweitert seine P-Kanal-MOSFET-Serie um 24 Modelle mit einer Spannungsfestigkeit von –40 V/–60 V. Die neuen Versionen sind sowohl in Einzel- (RQxxxxxAT/RDxxxxxAT/RSxxxxxAT/RFxxxxxAT) als auch in Doppelkonfigurationen (UTxxx5/QHxxx5/SHxxx5) erhältlich. Sie sind die ideale Lösung für Industrie- und Endverbraucheranwendungen wie Fabrikautomation, Robotik und Klimaanlagen. (Bild 1) Die steigende Nachfrage nach mehr Effizienz und Leistungsdichte erfordert von Industrie- und Endverbraucheranwendungen höhere Eingangsspannungen. MOSFETs müssen deshalb sowohl einen niedrigeren Durchlasswiderstand als auch eine hohe Spannungsfestigkeit aufweisen. Es gibt zwei Arten von MOSFETs: N-Kanal und P-Kanal. N-Kanal-Versionen weisen beim Einsatz als High-Side-Schalter im Allgemeinen einen höheren Wirkungsgrad auf. Diese Konfiguration erfordert nicht nur eine Gate-Spannung, die höher als die Eingangsspannung ist, sondern erschwert auch die Schaltungskonfiguration. P-Kanal-MOSFETs können dagegen mit einer Gate-Spannung unterhalb der Eingangsspannung betrieben werden. Das vereinfacht die Konfiguration einer Schaltung erheblich und reduziert den Designaufwand. Vor diesem Hintergrund entwickelte ROHM die neuen P-Kanal-MOSFETs. Basierend auf ROHMs bewährter P-Kanal-MOSFET-Struktur nutzen die neuen Produkte eine verfeinerte Prozesstechnologie der fünften Generation. Sie erreichen auf diese Weise den niedrigsten Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit in ihrer Klasse. Das entspricht bei den neuen –40-V-Produkten einem um 62 % niedrigeren Einschaltwiderstand gegenüber herkömmlichen Produkten und 52 % bei den –60-V-Produkten. Durch Optimierung der Bauelementstruktur und einem neuen Design, das die Konzentration des elektrischen Feldes abschwächt, hat ROHM die Qualität der MOSFETs weiter verbessert. Dadurch konnten sowohl eine hohe Zuverlässigkeit als auch ein geringerer Einschaltwiderstand erreicht werden. Die neuen Lösungen unterstützten einen stabilen Langzeitbetrieb in Industrieanlagen mit höchsten Qualitätsanforderungen. ROHM entwickelt weiterhin eine Vielzahl von Gehäusen für unterschiedlichste Anwendungen, darunter für den Automobilbereich optimierte Produkte. Zusätzlich zu den P-Kanal-MOSFETs der fünften Generation entwickelt das Unternehmen N-Kanal-MOSFETs mit höherem Wirkungsgrad. ROHM stärkt sein Angebot für 5G-Basisstationen und Rechenzentrumsserver, bei denen die Nachfrage steigt. Diese Produkte helfen, den Designaufwand für die Anwendung zu reduzieren und erhöhen die Effizienz und Zuverlässigkeit. (Bild 2) Produktspektrum (Bild 3 und 4) Verfügbarkeit: Die P-Kanal-MOSFETs befinden sich in der Serienfertigung. Anwendungsbeispiele Power-Management-Schalter und -Lüftermotoren für Industrie- und Endverbraucheranwendungen wie Fabrikautomation, Robotik und Klimaanlagen. (Bild 5)

Über ROHM ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das per 31.3.2020 einen Umsatz von rund 3,326 Mrd. US-Dollar erwirtschaftete und 22.191 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, zu der integrierte Schaltungen, SiC-Dioden, SiC-MOSFETs, SiC-Module, Transistoren, LEDs und weitere elektronische Bauelemente, aber auch Widerstände, Tantal-Kondensatoren und Druckköpfe gehören. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China. Lapis Semiconductor, SiCrystal GmbH und Kionix gehören ebenfalls der ROHM Semiconductor Group an. ROHM Semiconductor Europe mit seiner Zentrale nahe Düsseldorf betreut die EMEA-Region (Europe, Middle East, Africa). Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.rohm.de