ROHMs neue 600-V-Super-Junction-MOSFETs bieten niedrigsten Einschaltwiderstand und kürzeste Sperrverzögerungszeit auf dem Markt
Für deutlich geringeren Stromverbrauch in Haushaltsgeräten und Industrieanlagen
Willich-Münchheide, 05. Mai 2022 – ROHM hat die 600-V-Super-Junction-MOSFETs seiner PrestoMOS™-Produktreihe um sieben neue Bauelemente-Varianten erweitert: Die R60xxVNx-Serie zeichnet sich durch ihren klassenführenden niedrigen Einschaltwiderstand und die branchenweit kürzeste Sperrverzögerungszeit (trr) aus. Die R60xxVNx-Serie ist für Stromkreise in Industrieanlagen mit hohem Energiebedarf optimiert. Dazu gehören Server, EV-Ladegeräte und Basisstationen sowie Motorantriebe in Haushaltsgeräten, die zunehmend Wechselrichter verwenden, um größere Stromeinsparungen zu realisieren.
(Bild 1)

In den letzten Jahren ist der Stromverbrauch weltweit zusammen mit dem Bedarf an einer effektiveren Energienutzung gestiegen. Als Folge davon sind industrielle Geräte wie Server, EV/Basisstationen, Klimaanlagen und andere Haushaltsgeräte energieeffizienter geworden und verlangen nach Leistungshalbleitern, mit denen die Verlustleistung weiter reduziert werden kann. Als Reaktion darauf hat ROHM sein bestehendes PrestoMOS™-Sortiment um neue Bauelemente erweitert: Diese senken den Stromverbrauch der Anwendungen noch weiter, da sie einen geringeren Einschaltwiderstand als Standardprodukte aufweisen.

Die neue R60xxVNx-Serie nutzt die neuesten proprietären Prozesse, um die branchenweit schnellste Sperrverzögerungszeit zu erreichen und gleichzeitig den Einschaltwiderstand (der in einem Trade-off-Verhältnis steht) im Vergleich zu gleichwertigen Produkten, um bis zu 20 Prozent zu reduzieren.

Im Hinblick auf die Sperrverzögerungszeit übernehmen die neuen Super-Junction-MOSFETs die bahnbrechenden 105 ns, die bereits von den bestehenden ROHM PrestoMOS™-Produkten geboten werden. Dadurch ist es möglich, die Schaltverluste im Vergleich zu anderen Lösungen, um etwa 17 Prozent zu reduzieren. Mit diesen beiden Merkmalen verbessern die neuen Bauelemente die Effizienz in zahlreichen Anwendungen.

Gleichzeitig wurde die R60xxYNx-Serie der Standard-600-V-Super-Junction-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand um zwei Modelle mit noch niedrigerem Einschaltwiderstand ergänzt. Somit können die Nutzer je nach Anwendungsanforderungen das optimale Produkt auswählen.

Darüber hinaus wird ROHM seine Produktpalette um neue Super-Junction-MOSFETs erweitern, die sich durch eine noch geringere Rauschleistung auszeichnen. Auf diese Weise wird ein wichtiger Beitrag zur Lösung gesellschaftlicher Herausforderungen und zum Umweltschutz geleistet, da der Stromverbrauch in einer größeren Bandbreite von Anwendungen reduziert wird.
(Bild 2 + 3)

Produktreihe
R60xxVNx-Serie (PrestoMOS™)
(Bild 4)

R60xxYNx-Serie (Schnell schaltende Super-Junction-MOSFETs)
(Bild 5)

Anwendungsbeispiele
  • EV-Ladestationen, Server, Basisstationen, Solarstrom-Wechselrichter (Power Conditioner), unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS), Schaltnetzteile (SMPS) und mehr
  • Weiße Ware wie Klimaanlagen
  • Motorantriebe, Stromversorgungsschaltungen und dergleichen
Was ist PrestoMOS™
„Presto“ ist ein italienischer Begriff aus der Musik. Er bedeutet „sehr schnell“.
PrestoMOS™ ist ein Leistungs-MOSFET von ROHM, der die ursprüngliche Lebensdauer-Kontrolltechnologie nutzt, um die branchenweit schnellste Sperrverzögerungszeit (trr) zu liefern.
* PrestoMOS ist eine Marke von ROHM

Verfügbarkeit: In Serienproduktion. Diese neuen Produkte sind ab sofort bei den Online-Händlern Digi-Key, Mouser und Farnell erhältlich.
Dedizierte Produktseite: Für weitere Informationen besuchen Sie bitte https://www.rohm.com/support/super-junction-mosfet.

Über ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das per 31.3.2021 einen Umsatz von rund 3,295 Mrd. US-Dollar erwirtschaftete und 22.370 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, die von SiC-Dioden und MOSFETs, analogen ICs wie Gate-Treibern und Power-Management-ICs über Leistungstransistoren und Dioden bis hin zu passiven Bauelementen reicht. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China. LAPIS Technology, SiCrystal GmbH und Kionix gehören ebenfalls der ROHM Semiconductor Group an. ROHM Semiconductor Europe mit seiner Zentrale nahe Düsseldorf betreut die EMEA-Region (Europe, Middle East, Africa). Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.rohm.de
 
 
 
» ROHM Semiconductor
» Presse Informationen
» Presse-Information
Datum: 05.05.2022 14:00
Nummer: PR10/22DE
» Bildmaterial
Bitte klicken Sie auf die Bildvorschau, um die hochauflösende Version zu öffnen. » Weitere Hilfe zu Downloads

 Download der hochauflösenden Version...
ROHMs neue 600-V-Super-Junction-MOSFETs bieten niedrigsten Einschaltwiderstand und kürzeste Sperrverzögerungszeit auf dem Markt

 Download der hochauflösenden Version...
Bild 1

 Download der hochauflösenden Version...
Bild 2

 Download der hochauflösenden Version...
Bild 3

 Download der hochauflösenden Version...
Bild 4

 Download der hochauflösenden Version...
Bild 5
» Kontakt
ROHM Semiconductor GmbH
Public Relations
Katrin Haasis-Schmidt  
Karl-Arnold-Str. 15
D-47877 Willich-Münchheide
Deutschland
Tel: +49 2154 921 0
katrin.haasis-schmidt@de.rohmeurope.com
» Kontakt Agentur
Mexperts AG
Wildmoos 7
D-82266 Inning am Ammersee
Deutschland

Kontakt: Peter Gramenz
Tel.: +49 8143 59744 12
peter.gramenz@mexperts.de
» Weitere Meldungen
12.11.2024 14:00
ROHMs neue SiC-Schottky-Barrier-Dioden für xEV-Hochspannungssysteme: Optimiertes Gehäusedesign verbessert Isolationswiderstand

07.11.2024 14:00
ROHMs neue 1200-V-IGBTs erreichen branchenführend* geringe Verluste mit hoher Kurzschlusstoleranz

10.10.2024 10:00
ROHM auf der electronica 2024: Empowering Growth, Inspiring Innovation

08.10.2024 14:00
ROHMs neue PWM-Controller-ICs mit SOP-Gehäuse für die Stromversorgung in einer Vielzahl von Industrieanwendungen

19.09.2024 14:00
ROHMs neue N-Kanal-MOSFETs bieten hohe Zuverlässigkeit in Automobilanwendungen