Die neuen 600-V-Super-Junction-MOSFETs von ROHM kombinieren erstklassige Rauschcharakteristiken mit der branchenweit schnellsten* Sperrverzögerungszeit

R60xxRNx-Serie verringert die Verlustleistung, den Arbeitsaufwand und die Anzahl der zur Rauschunterdrückung erforderlichen externen Bauteile zur Ansteuerung kleiner Motoren

Willich-Münchheide, 13. Juli 2023 – ROHM hat die 600-V-Super-Junction-MOSFETs seiner PrestoMOS™-Produktreihe um drei neue Modelle erweitert: Die R60xxRNx-Serie ist für die Ansteuerung kleiner Motoren in Kühlschränken, Ventilatoren und anderen Anwendungen optimiert, die eine Rauschunterdrückung erfordern. (Bild 1) Die Verknappung der weltweiten Energieversorgung hat in den letzten Jahren zu Forderungen nach höherer Energieeffizienz von Geräten geführt. Allein die Ansteuerung von Motoren verbraucht bis zu 50 % des weltweiten Gesamtstrombedarfs. Aus diesem Grund kommen in Wechselrichterschaltungen zunehmend hocheffiziente MOSFETs zum Einsatz, die den Strom für die Motoransteuerung umwandeln. Gegenmaßnahmen gegen das durch den MOSFET-Betrieb erzeugte Rauschen erfordern im Allgemeinen zusätzliche Komponenten und/oder eine Änderung des Schaltungsdesigns, so dass sowohl der Aufwand als auch die Kosten gesenkt werden müssen. Die Reduzierung der Verlustleistung und des Rauschens stehen jedoch in der Regel in einem Kompromiss zueinander. Es ist schwierig, beides zu erreichen. Um diesem Bedarf gerecht zu werden, begann ROHM 2012 mit der Serienfertigung von Super-Junction-MOSFETs der PrestoMOS™-Produktreihe. Diese zeichnet sich durch die branchenweit kürzeste Sperrverzögerungszeit (trr) und eine geringe Stromaufnahme aus. Die Produktreihe wurde um drei neue Modelle mit erstklassigen Rauscheigenschaften erweitert, die durch eine optimierte Struktur ebenfalls eine kurze Sperrverzögerungszeit aufweisen. Die neue R60xxRNx-Serie bietet die Hochgeschwindigkeits-trr-Charakteristik von PrestoMOS™ bei minimiertem Rauschen. Die Sperrverzögerungszeit von 40 ns wird durch eine Optimierung der herkömmlichen Lebensdauer-Kontrolltechnologie erreicht. Dies reduziert die Schaltverluste im Vergleich zu herkömmlichen Produkten um ca. 30 %, was sich in einer geringeren Verlustleistung der Anwendung niederschlägt. Die neu entwickelte Super-Junction-Struktur verbessert die Rauscheigenschaften (die umgekehrt proportional zur schnelleren Sperrverzögerungszeit sind) um etwa 15 dB im Vergleich zu Standardprodukten (unter ROHM-Messbedingungen bei 40 MHz). Diese hervorragenden Eigenschaften reduzieren sowohl den Arbeitsaufwand als auch die Anzahl der Bauteile für Rauschunterdrückungsmaßnahmen. ROHM wird sein Angebot an Hochspannungs-MOSFETs mit verschiedenen Gehäusen und noch niedrigeren Einschaltwiderständen weiter ausbauen. Diese Bauelemente werden zum Umweltschutz beitragen, indem sie den Stromverbrauch in einer Vielzahl von Anwendungen senken. (Bild 2 + 3) Was ist PrestoMOS™ „Presto“ ist ein italienischer Begriff aus der Musik. Er bedeutet „sehr schnell“. PrestoMOS™ ist ein Leistungs-MOSFET von ROHM, der die hohe Spannungsfestigkeit und den niedrigen Einschaltwiderstand von Super-Junction-MOSFETs aufweist und gleichzeitig die Sperrverzögerungszeit (trr) der integrierten Diode beschleunigt. Durch die Verringerung der Schaltverluste eignet er sich ideal für ein breiteres Spektrum von Anwendungen mit Wechselrichterschaltungen wie Klimaanlagen und Kühlschränke. *PrestoMOS™ ist eine Marke oder eingetragene Marke von ROHM Co., Ltd. (Bild 4) Produktspektrum der R60xxRNx-Serie (Bild 5) Anwendungsbeispiele Kühlschränke Ventilatoren Lüftermotoren Die R60xxRNx-Serie eignet sich auch für eine Vielzahl von Geräten, die mit kleinen Motoren ausgestattet sind. *ROHM Studie vom 13. Juli 2023

Über ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das per 31. März 2023 einen Umsatz von 507,8 Milliarden Yen (3,9 Milliarden US Dollar) erwirtschaftete und über 23.700 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, die von SiC-Dioden und MOSFETs, analogen ICs wie Gate-Treibern und Power-Management-ICs über Leistungstransistoren und Dioden bis hin zu passiven Bauelementen reicht. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Deutschland, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China. ROHM Semiconductor Europe mit seiner Zentrale nahe Düsseldorf betreut die EMEA-Region (Europe, Middle East, Africa). Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.rohm.de