ROHMs neue EcoGaN™-Leistungsstufen-ICs reduzieren Abmessungen und Verlustleistung

BM3G0xxMUV-LB-Serie reduziert die Größe der Bauelemente um 99 % und senkt die Verlustleistung um 55 % beim Ersetzen von Silizium-MOSFETs

Willich-Münchheide, 31. August 2023 – ROHM bietet mit der BM3G0xxMUV-LB-Serie Leistungsstufen-ICs mit integrierten 650-V-GaN-HEMTs und Gate-Treibern. Die Bauelemente eignen sich ideal für Primärstromversorgungen in Industrie- und Verbraucheranwendungen wie Datenservern und AC-Adaptern. (Bild 1) In den letzten Jahren wurden die Forderungen der Verbraucher und der Industrie nach Energieeinsparungen im Hinblick auf die Verwirklichung einer nachhaltigen Gesellschaft immer lauter. Es wird erwartet, dass GaN-HEMTs zu einer weiteren Miniaturisierung und einer verbesserten Effizienz der Leistungsumwandlung beitragen werden. Allerdings erfordert die im Vergleich zu Silizium-MOSFETs schwierige Handhabung der Gates den Einsatz spezieller Gate-Treiber. ROHM hat daher Leistungsstufen-ICs entwickelt, die GaN-HEMTs und Gate-Treiber in einem Gehäuse integrieren. Dabei werden bewährte Stromversorgungs- und Analogtechnologien verwendet, was die Bestückung erheblich vereinfacht. Die BM3G0xxMUV-LB-Serie (BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB) bietet zusätzlich Funktionen und Peripheriekomponenten zur Maximierung der GaN-HEMT-Leistung in Verbindung mit 650-V-GaN-HEMTs – der nächsten Generation von Leistungsbauelementen. Die Merkmale der ROHM-Produkte wie ein großer Ansteuerungsspannungsbereich (2,5 V bis 30 V) gewährleisten die Kompatibilität mit praktisch allen Controller-ICs in Primärstromversorgungen und erleichtern den Ersatz bestehender Silizium-MOSFETs (Super Junction). Dies ermöglicht eine gleichzeitige Reduzierung der Bauelementabmessungen und der Verlustleistung um ca. 99% bzw. 55% und damit einen höheren Wirkungsgrad bei geringerer Baugröße. Isaac Lin, General Manager, PSADC (Power Semiconductor Applications Development Center), Delta Electronics, Inc. „GaN-Bauelemente finden in der Industrie große Beachtung, da sie wesentlich zur Miniaturisierung und Energieeinsparung von Geräten beitragen. Die neuen Produkte von ROHM ermöglichen eine schnelle und sichere Gate-Ansteuerung unter Verwendung von ROHMs proprietärer Analogtechnologie. Diese Produkte werden den Einsatz von GaN-Leistungsbauelementen weiter fördern, der voraussichtlich zunehmen wird.“ (Bild 2 + 3) Produktspektrum Ein großer Steuerspannungsbereich (2,5 V bis 30 V), eine kurze Laufzeitverzögerung und eine schnelle Anlaufzeit sorgen für Kompatibilität mit praktisch allen Controller-ICs in Primärstromversorgungen. (Bild 4) Anwendungsbeispiele Optimiert für Primärstromversorgungen (AC/DC, PFC-Schaltungen) in einer Vielzahl von Anwendungen. Verbraucher: Haushaltsgeräte, AC-Adapter, PCs, TV-Geräte, Kühlschränke, Klimaanlagen Industriell: Server, Geräte zur Büroautomatisierung Informationen zum Online-Verkauf Distributoren: DigiKey, Mouser und Farnell Die Produkte und Evaluation-Boards werden auch von anderen Online-Distributoren angeboten. Verfügbarkeit: Seit Juni 2023 Produktinformation Bauteilnummern: BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB Bauteilnummern der Evaluation Boards: BM3G007MUV-EVK-002 (PFC 240W), BM3G007MUV-EVK-003, BM3G015MUV-EVK-003 (Bild 5) EcoGaNTM EcoGaNTM bezieht sich auf ROHMs neue Produktreihe von GaN-Bauelementen, die den niedrigen Einschaltwiderstand weiter verringern und die Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik von GaN maximieren. Auf diese Weise tragen sie zur Energieeinsparung und Miniaturisierung bei. Das Ziel: den Stromverbrauch einer Anwendung zu senken, Peripheriekomponenten zu miniaturisieren und den Designaufwand sowie die Anzahl der benötigten Teile zu reduzieren. *EcoGaNTM ist ein Warenzeichen oder eingetragenes Warenzeichen von ROHM Co., Ltd.

Über ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das per 31. März 2023 einen Umsatz von 507,8 Milliarden Yen (3,9 Milliarden US Dollar) erwirtschaftete und über 23.700 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, die von SiC-Dioden und MOSFETs, analogen ICs wie Gate-Treibern und Power-Management-ICs über Leistungstransistoren und Dioden bis hin zu passiven Bauelementen reicht. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Deutschland, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China. ROHM Semiconductor Europe mit seiner Zentrale nahe Düsseldorf betreut die EMEA-Region (Europe, Middle East, Africa). Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.rohm.de