ROHM und TSMC: Strategische Zusammenarbeit im Bereich Galliumnitrid-Technologie für die Automobilindustrie

Willich-Münchheide, 10. Dezember2024 – ROHM Co., Ltd. (ROHM) und TSMC sind eine strategische Partnerschaft zur Entwicklung und Serienproduktion von Galliumnitrid (GaN)-Leistungsbauelementen für den Einsatz in Elektrofahrzeugen eingegangen. Die Partnerschaft wird ROHMs Technologie zur Entwicklung von Bauelementen mit der branchenführenden GaN-auf-Silizium-Prozesstechnologie von TSMC kombinieren. Damit soll die wachsende Nachfrage nach herausragenden Hochspannungs- und Hochfrequenzeigenschaften für siliziumbasierte Leistungsbauelemente erfüllt werden. GaN-Leistungsbauelemente werden derzeit in Verbraucher- und Industrieanwendungen wie Netzteilen und Serverstromversorgungen eingesetzt. TSMC, ein führendes Unternehmen in den Bereichen Nachhaltigkeit und umweltfreundliche Fertigung, unterstützt die GaN-Technologie aufgrund ihrer potenziellen Umweltvorteile in Automobilanwendungen wie On-Board-Ladegeräten und Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge (EVs). Die Partnerschaft baut auf der Zusammenarbeit von ROHM und TSMC bei GaN-Leistungsbauelementen auf. Im Jahr 2023 führte ROHM die 650-V-GaN-HEMT- (High-Electron Mobility Transistors) Technologie von TSMC ein. Diese kommt als Teil von ROHMs EcoGaN™-Serie zunehmend in Bauelementen für Verbraucher- und Industrieanwendungen zum Einsatz. Dazu gehört auch der 45-W-Wechselstromadapter (Schnellladegerät) „C4 Duo“ von Innergie, einer Marke von Delta Electronics, Inc. „GaN-Bauelemente, die für den Hochfrequenzbetrieb geeignet sind, werden mit Spannung erwartet, da sie zur Miniaturisierung und Energieeinsparung beitragen und so umweltfreundliche Prozesse fördern. Für die Umsetzung dieser Innovationen in der Gesellschaft sind zuverlässige Partner unerlässlich. Wir freuen uns über die Zusammenarbeit mit TSMC, einem Unternehmen, das über eine weltweit führende fortschrittliche Fertigungstechnologie verfügt“, so Katsumi Azuma, Mitglied des Vorstands und Senior Managing Executive Officer bei ROHM. „Zusätzlich zu dieser Partnerschaft möchten wir die Einführung von GaN in der Automobilindustrie fördern, indem wir benutzerfreundliche Lösungen mit Steuer-ICs zur Maximierung der GaN-Leistung bereitstellen.“ „Während wir die nächsten Generationen unserer GaN-Prozesstechnologie weiterentwickeln, erweitern TSMC und ROHM ihre Partnerschaft auf die Entwicklung und Produktion von GaN-Leistungsbauelementen für Automobilanwendungen“, so Chien-Hsin Lee, Senior Director of Specialty Technology Business Development bei TSMC. „Durch die Kombination von TSMCs Expertise in der Halbleiterfertigung mit ROHMs Kompetenz im Design von Leistungsbauelementen wollen wir die Grenzen der GaN-Technologie und ihrer Implementierung für EVs erweitern.“

Über TSMC TSMC leistete bei seiner Gründung im Jahr 1987 Pionierarbeit für das Pure-Play-Foundry-Geschäftsmodell und ist seitdem die weltweit führende reine Halbleiter-Foundry. Das Unternehmen unterstützt ein florierendes Ökosystem von globalen Kunden und Partnern mit branchenführenden Prozesstechnologien und einem Portfolio von Design-Enablement-Lösungen, um Innovationen für die globale Halbleiterindustrie zu ermöglichen. Mit globalen Niederlassungen in Asien, Europa und Nordamerika ist TSMC ein engagiertes Unternehmen, das sich weltweit für die Gesellschaft einsetzt. Im Jahr 2023 setzte TSMC 288 verschiedene Prozesstechnologien ein und fertigte 11.895 Produkte für 528 Kunden, indem es ein breites Spektrum an fortschrittlichen, spezialisierten Advanced-Packaging-Technologie-Dienstleistungen anbot. Der Hauptsitz des Unternehmens befindet sich in Hsinchu, Taiwan. Für weitere Informationen besuchen Sie bitte https://www.tsmc.com. Über ROHM ROHM wurde 1958 gegründet und bietet über sein globales Entwicklungs- und Vertriebsnetzwerk integrierte Schaltkreise und diskrete Halbleiter von herausragender Qualität und Zuverlässigkeit für eine Vielzahl von Märkten, darunter die Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte. Im Bereich der Leistungs- und Analogtechnik bietet ROHM für jede Anwendung die passende Lösung mit Leistungsbauelementen wie SiC, Treiber-ICs zur Leistungsmaximierung und Peripheriekomponenten wie Transistoren, Dioden und Widerständen. Weitere Informationen zu ROHM finden Sie unter https://www.rohm.com