ROHM entwickelt branchenführende* MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und hoher Leistung für Unternehmens- und KI-Server

Willich-Münchheide, 10. April 2025 – ROHM hat N-Kanal-Leistungs-MOSFETs entwickelt, die sich durch einen branchenführend* niedrigen Einschaltwiderstand und einen großen sicheren Betriebsbereich (Safe Operating Area, SOA) auszeichnen. Die neuen Produkte sind für Stromversorgungen in leistungsstarken Unternehmens- und KI-Servern konzipiert. (Bild 1) Die Weiterentwicklung von High-Level-Datenverarbeitungstechnologien und die Beschleunigung der digitalen Transformation haben die Nachfrage nach Servern für Rechenzentren erhöht. Gleichzeitig steigt die Anzahl der Server mit fortschrittlichen Rechenfunktionen für die Verarbeitung künstlicher Intelligenz und wird voraussichtlich weiter zunehmen. Diese Server sind 24 Stunden am Tag, sieben Tage die Woche im Einsatz und gewährleisten einen kontinuierlichen Betrieb. Leitungsverluste, die durch den Einschaltwiderstand mehrerer MOSFETs im Leistungsblock verursacht werden, beeinflussen die Systemleistung und die Energieeffizienz erheblich. Besonders deutlich wird dies bei AC-DC-Wandlerschaltungen, bei denen Leitungsverluste einen wesentlichen Anteil an der Gesamtverlustleistung haben. Dadurch steigt der Bedarf an MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand. Server mit einer standardmäßigen Hot-Swap-Funktion ermöglichen den Austausch und die Wartung interner Platinen und Speichergeräte im eingeschalteten Zustand. Beim Austausch der Komponenten kommt es jedoch zu einem hohen Einschaltstrom. Um Serverkomponenten und MOSFETs vor Schäden zu schützen, ist daher eine große Toleranz im sicheren Betriebsbereich erforderlich. Zur Bewältigung dieser Herausforderungen hat ROHM das neue DFN5060-8S-Gehäuse entwickelt, das im Vergleich zu herkömmlichen Designs die Unterbringung eines größeren Chips ermöglicht. Das Ergebnis ist eine Reihe von Leistungs-MOSFETs, die einen branchenführenden* niedrigen Einschaltwiderstand zusammen mit einer hohen SOA-Fähigkeit erreichen. Die neuen Produkte verbessern erheblich die Effizienz und Zuverlässigkeit von Leistungsschaltungen in Servern. Die neue Produktreihe umfasst drei Produkte. Der RS7E200BG (30 V) ist sowohl für sekundärseitige AC-DC-Wandlerschaltungen als auch für Hot-Swap-Controller-Schaltungen (HSC) in 12-V-Netzteilen für Hochleistungs-Unternehmensserver optimiert. Der RS7N200BH (80 V) und der RS7N160BH (80 V) sind ideal für sekundäre AC-DC-Wandlerschaltungen in 48-V-KI-Servernetzteilen. Alle drei Modelle verfügen über das neu entwickelte DFN5060-8S-Gehäuse (5,0 mm × 6,0 mm). Dieses vergrößert die interne Chipfläche um etwa 65 % im Vergleich zum herkömmlichen HSOP8-Gehäuse (5,0 mm × 6,0 mm). Infolgedessen erreichen der RS7E200BG (30 V) und der RS7N200BH (80 V) Einschaltwiderstände von 0,53 mΩ bzw. 1,7 mΩ (bei VGS = 10 V). Beide gehören in der 5060-Klasse zu den Besten der Branche und steigern die Effizienz in Server-Leistungsschaltungen erheblich. Um die Wärmeableitung zu verbessern, hat ROHM das interne Clip-Design optimiert. Dadurch wird die SOA-Toleranz weiter erhöht und die Zuverlässigkeit der Anwendung gewährleistet. Der RS7E200BG (30 V) erreicht eine SOA-Toleranz von über 70 A bei einer Pulsbreite von 1 ms und VDS = 12 V. Das ist doppelt so viel wie bei herkömmlichen MOSFETs im HSOP8-Gehäuse unter den gleichen Bedingungen und gewährleistet eine branchenführende SOA-Leistung bei einer Grundfläche von 5,0 mm × 6,0 mm. ROHM plant, im Jahr 2025 schrittweise mit der Massenproduktion von Leistungs-MOSFETs zu beginnen, die mit Hot-Swap-Controller-Schaltungen für KI-Server kompatibel sind. Damit erweitert ROHM seine Produktpalette, die zu mehr Effizienz und Zuverlässigkeit bei einer Vielzahl von Anwendungen beiträgt. Produktspektrum (Bild 2) Die Marke EcoMOS™ EcoMOS™ ist ROHMs Marke für Silizium-Leistungs-MOSFETs, die für energieeffiziente Anwendungen im Bereich der Leistungselektronik entwickelt wurden. EcoMOS™ wird häufig in Anwendungen wie Haushaltsgeräten, Industrieanlagen und Automobilsystemen eingesetzt. Die Marke bietet eine vielfältige Produktpalette, die eine Produktauswahl auf der Grundlage von Schlüssel-parametern wie Rauschverhalten und Schalteigenschaften ermöglicht, um spezifische Anforderungen zu erfüllen. EcoMOS™ ist eine Marke oder eingetragene Marke von ROHM Co., Ltd. Anwendungsbeispiele AC-DC-Wandler und HSC-Schaltungen für 12-V-Hochleistungsnetzteile für Unternehmensserver AC-DC-Wandlerschaltungen für 48-V-KI-Server-Stromversorgungen 48-V-Stromversorgungen für Industrieanlagen (z. B. Lüftermotoren) Informationen zum Online-Verkauf Verfügbarkeit: Ab sofort Online-Distributoren: DigiKey™, Mouser™ und Farnell™ Die Produkte werden auch bei anderen Online-Händlern angeboten, sobald sie verfügbar sind. Bauteilnummern: RS7E200BG, RS7N200BH, RS7N160BH Hinweis: DigiKey™, Mouser™ und Farnell™ sind Marken oder eingetragene Marken der jeweiligen Unternehmen. *ROHM-Studie über Leistungs-MOSFETs der Größe 5060 (10. April 2025)

Über ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das per 31. März 2024 einen Umsatz von 467,7 Milliarden Yen (3,2 Milliarden US Dollar) erwirtschaftete und über 23.300 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, die von SiC-Dioden und MOSFETs, analogen ICs wie Gate-Treibern und Power-Management-ICs über Leistungstransistoren und Dioden bis hin zu passiven Bauelementen reicht. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Deutschland, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China. ROHM Semiconductor Europe mit seiner Zentrale nahe Düsseldorf betreut die EMEA-Region (Europe, Middle East, Africa). Weitere Informationen zu ROHM finden Sie unter: www.rohm.de