La nueva serie PrestoMOS™ de MOSFETs Super Junction de 600V de ROHM permite ahorros de energía mejorados para inversores en sistemas A/C.

La gama ampliada de 30 modelos ofrece el tiempo de recuperación inversa más rápido de la industria y una flexibilidad de diseño mejorada.

Willich-Münchheide, 18 de abril de 2019 – ROHM ha anunciado recientemente una nueva gama de su serie PrestoMOSTM de MOSFET Super Junction de 600V, que incluye 30 nuevos modelos. Esta serie aumenta la flexibilidad de diseño al mismo tiempo que mantiene el tiempo de recuperación inversa (trr) más rápido de la industria, optimizado para estaciones de carga de vehículos eléctricos y motores en electrodomésticos como frigoríficos y acondicionadores de aire (ACs). (fig. 1) Los informes muestran que cerca del 50% de la demanda total de energía en todo el mundo es utilizada para motores de accionamiento, y con la continua expansión de los aparatos eléctricos en los países emergentes y en desarrollo, se espera que este porcentaje aumente aún más. Los IGBT o transistores bipolares de puerta aislada se utilizan habitualmente como elementos de conmutación en los inversores que accionan los motores de los electrodomésticos, como los frigoríficos y los ACs. Las tendencias actuales, que tienen como objetivo el ahorro de energía, han impulsado la demanda en toda una variedad de aplicaciones de MOSFETs con un consumo de energía reducido durante el funcionamiento en estado continuo. Para satisfacer esta demanda, ROHM lanzó la serie PrestoMOSTM de MOSFETs de potencia en 2012. Esta serie presenta las características de recuperación inversa más rápidas de la industria, que permiten lograr un menor consumo de energía. Al igual que con nuestros productos convencionales, esta nueva serie aprovecha nuestra tecnología patentada de control de por vida para lograr un trr ultrarrápido, lo que permite una reducción de la pérdida de potencia de alrededor del 58% en cargas ligeras en comparación con las implementaciones de IGBT. Por otro lado, el aumento de la tensión de referencia necesaria para encender el MOSFET evita el encendido automático, que es una de las principales causas de pérdida de potencia. Además, la optimización de las características del diodo incorporado nos ha permitido mejorar el índice de recuperación suave específico para los MOSFET Super Junction, lo que reduce el ruido que puede dar lugar a fallos de funcionamiento. La eliminación de estas barreras para la optimización de circuitos proporciona a los clientes una mayor flexibilidad de diseño. (fig. 2) ¿Qué es PrestoMOSTM? «Presto» es un término musical italiano que significa «muy rápido». Los MOSFET proporcionan ventajas tales como alta velocidad de conmutación y baja pérdida de conducción en condiciones de corriente relativamente bajas. Por ejemplo, en el caso de los acondicionadores de aire, son más eficaces que los IGBT para reducir el consumo de energía durante el funcionamiento en estado continuo. (fig. 3) PrestoMOSTM es el MOSFET de potencia de ROHM cuyo diodo integrado se caracteriza por el tiempo de recuperación inversa (trr) más rápido de la industria que contribuye a un menor consumo de energía     en aplicaciones de inversor. * PrestoMOS es una marca registrada de ROHM Claves para mejorar la flexibilidad del diseño El aumento de la velocidad de conmutación, el encendido automático y la generación de ruido son fenómenos conflictivos, que hacen necesario que los clientes optimicen los circuitos ajustando la resistencia de compuerta y otros factores durante el diseño del circuito. A diferencia de los MOSFET de uso general, la serie R60xxJNx de ROHM toma medidas contra el ruido y el encendido automático, proporcionando a los clientes un elevado grado de libertad de diseño. 1. La implementación de contramedidas de encendido automático minimiza las pérdidas La optimización de la capacitancia parásita inherente a la estructura MOSFET nos ha permitido reducir la no intencionada tensión de puerta durante la commutación en un 20%. Además, el diseño especializado dificulta el encendido automático al aumentar la tensión umbral (Vth) necesaria para encender el MOSFET en 1,5 veces. Esto amplía el rango de ajuste de pérdidas debido a la resistencia de la puerta y a otros factores implementados por el cliente. (fig. 4) 2. La mejora de las características de recuperación reduce el ruido Generalmente, las características de recuperación del diodo interno del MOSFET Super Junction muestran una fuerte recuperación. Sin embargo, al optimizar la estructura interna, la serie R60xxJNx de ROHM es capaz de mejorar el índice de recuperación suave en un 30% con respecto a los productos convencionales y logra reducir el ruido mientras mantiene el tiempo de recuperación inversa (trr) más rápido de la industria. Esto facilita a los clientes el ajuste del ruido (ejemplo: debido a la resistencia de puerta). (fig. 5) Gama (fig. 6)

Acerca de ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor es una compañía global con una facturación de 397.106 millones de yenes (3.65 Billion de dólares) a 31 de marzo de 2018 y con 23.120 empleados. ROHM Semiconductor desarrolla y fabrica una gama muy amplia de productos, desde microcontroladores de consumo ultra-bajo, gestión de alimentación, CI estándar, diodos, MOSFET y módulos de SiC, transistores y diodos de potencia hasta LED y componentes pasivos como resistencias, condensadores de tantalio y visualizadores LED, así como cabezales de impresión térmica. El grupo cuenta con plantas de fabricación avanzadas en Japón, Corea, Malasia, Tailandia, Filipinas, China y Europa. LAPIS Semiconductor (antes OKI Semiconductor), SiCrystal AG y Kionix son compañías del ROHM Semiconductor Group. ROHM Semiconductor Europe tiene su sede central cerca de Dusseldorf y cubre la región EMEA (Europa, Oriente Medio y África). Para más información visite www.rohm.com/eu