Nuevos MOSFET de ROHM: contribuyen a una mayor eficiencia y a un funcionamiento más seguro con una estructura de aislamiento original

Ofrecen una disipación de energía líder en su clase en un encapsulado compacto ideal para dispositivos pequeños y delgados

Willich-Münchheide, Alemania, 19 de diciembre de 2022 – ROHM ha desarrollado recientemente un MOSFET Nch de 20 V compacto y de alta eficiencia, el RA1C030LD, optimizado para la conmutación en dispositivos pequeños y delgados, incluidos teléfonos inteligentes y dispositivos ponibles como auriculares inalámbricos y otros dispositivos audibles. (Fig. 1) En los últimos años, la creciente sofisticación y los requisitos de energía de los dispositivos compactos han exigido la utilización de baterías más grandes que, no obstante, reducen el espacio disponible para el montaje de componentes. Al mismo tiempo, existe un límite para el tamaño de la batería, por lo que para garantizar un uso más eficiente de la energía de la batería es necesario minimizar la pérdida de energía de los componentes montados. Para dar respuesta a esta necesidad, se está convirtiendo en algo común en la industria el desarrollo de MOSFETs en encapsulados del tamaño de un chip a nivel de oblea (WLCSP, por sus siglas en inglés) que contribuyen a una mayor miniaturización pero mantienen a la vez las características necesarias. ROHM aprovecha sus fortalezas como fabricante de circuitos integrados para reducir significativamente la resistencia del cableado (que ha aumentado con los procesos discretos convencionales). El resultado es un MOSFET de potencia compacto que ofrece una baja pérdida de energía. El RA1C030LD se ofrece en el encapsulado DSN1006-3 del tamaño de un chip a nivel de oblea (1,0 mm × 0,6 mm), que aprovecha el proceso del CI patentado por ROHM para lograr una baja disipación de energía junto con una mayor miniaturización. En términos del factor de mérito que expresa la relación entre las pérdidas en conducción y por conmutación (resistencia en conducción × Qgd), se ha alcanzado un valor líder en la industria que es un 20 % inferior al de los productos de encapsulado estándar en el mismo encapsulado (1,0 mm × 0,6 mm o inferior), lo que contribuye a un área de placa significativamente menor junto con una mayor eficiencia en una gran variedad de dispositivos compactos. Al mismo tiempo, la estructura del encapsulado única de ROHM proporciona protección aislante para las paredes laterales (a diferencia de los productos estándar en el mismo encapsulado sin protección). Esto reduce el riesgo de cortocircuitos por contacto entre componentes en dispositivos compactos que deben recurrir a montajes de alta densidad por limitaciones de espacio, lo que contribuye a un funcionamiento más seguro. En el futuro, ROHM seguirá desarrollando productos con una resistencia en conducción aún menor en encapsulados de menor tamaño que contribuyan a resolver problemas sociales como la protección del medio ambiente al mejorar la eficiencia en una amplia variedad de dispositivos compactos. (Fig. 2 + 3) Especificaciones (Fig. 4) Ejemplos de aplicación Dispositivos audibles (p. ej. auriculares inalámbricos) Dispositivos ponibles como relojes inteligentes, gafas inteligentes y cámaras de acción Teléfonos inteligentes También son adecuados para la conmutación en una amplia gama de dispositivos delgados y compactos. Información de ventas en línea Fecha de inicio de venta: Diciembre de 2022 Distribuidores en línea: Digi-Key, Mouser y Farnell Está previsto que también salgan a la venta en otros distribuidores en línea. *Estudio de ROHM del 19 de diciembre de 2022

Acerca de ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor es una compañía global de 452.1 billones de yenes (3.3 billones de euros) a 31 de marzo de 2022 con más de 23.000 empleados. La empresa desarrolla y fabrica una amplia gama de productos, desde diodos y MOSFET de SiC, circuitos integrados analógicos, como gate drivers y circuitos integrados de gestión de la energía, hasta transistores y diodos de potencia, además de componentes pasivos. La producción de nuestros productos de alto rendimiento se lleva a cabo en plantas de fabricación de última generación en Japón, Alemania, Corea, Malasia, Tailandia, Filipinas y China. ROHM Semiconductor Europe tiene su sede central cerca de Düsseldorf y cubre la región EMEA (Europa, Oriente Medio y África). Para más información visite www.rohm.com