Nueva gama de 5 nuevos modelos de MOSFET duales de 100 V de baja resistencia de conducción de ROHM
Menor consumo de energía y menor tamaño de los motores de ventiladores utilizados en estaciones base de comunicaciones y equipos industriales con tamaños de 5,0 mm × 6,0 mm y 3,3 mm × 3,3 mm
Willich-Münchheide, Alemania, 18 de octubre de 2023 – ROHM ha desarrollado MOSFET duales que integran dos chips de 100 V en un solo encapsulado, ideales para el accionamiento de motores de ventiladores utilizados en estaciones base de comunicaciones y equipos industriales. Se han añadido cinco modelos nuevos como parte de las series HP8KEx/HT8KEx (Nch+Nch) y HP8MEx (Nch+Pch).
(Fig. 1)

En los últimos años hemos asistido a una transición a tensiones más altas desde los sistemas convencionales de 12 V/24 V a los de 48 V en estaciones base de comunicaciones y equipos industriales, con el objetivo de lograr una mayor eficiencia mediante la reducción de los valores de corriente. En estas situaciones, los MOSFET de conmutación requieren una tensión no disruptiva de 100 V para tener en cuenta las fluctuaciones de tensión, ya que las fuentes de alimentación de 48 V también se utilizan en los motores de los ventiladores para refrigerar estas aplicaciones. Sin embargo, el aumento de la tensión de ruptura incrementa la resistencia de conducción (RDS(on)) (que mantiene una relación de compensación), lo que conduce a una disminución de la eficiencia y hace que sea difícil lograr tanto una menor RDS(on) como una mayor tensión de ruptura. Además, a diferencia de los MOSFET de accionamiento individual múltiples que se utilizan normalmente en los motores de ventiladores, cada vez se adoptan con más frecuencia los MOSFET duales que integran dos chips en un solo encapsulado con el objetivo de ahorrar espacio.

En respuesta a ello, ROHM ha desarrollado dos nuevas series, la HP8KEx/HT8KEx (Nch+Nch) y la HP8MEx (Nch+Pch), que combinan chips MOSFET Nch y Pch utilizando los procesos más modernos. Ambas series logran la RDS(on) más baja de la industria gracias a la adopción de nuevos encapsulados de disipación de calor posterior con excelentes características de disipación térmica. Como resultado, la RDS(on) se reduce hasta un 56 % en comparación con los MOSFET duales estándar (19,6 mΩ para el HSOP8 y 57,0 mΩ para el HSMT8 Nch+Nch), lo que contribuye a reducir significativamente el consumo de energía. Al mismo tiempo, la combinación de dos chips en un solo encapsulado permite ahorrar más espacio al reducirse considerablemente la superficie. Por ejemplo, la sustitución de dos MOSFET TO-252 de un solo chip por un HSOP8 reduce la necesidad de espacio en un 77 %.

Próximamente, ROHM seguirá ampliando su gama de MOSFET duales para soportar las tensiones necesarias para equipos industriales, al tiempo que desarrolla variantes de bajo ruido. Con ello se espera contribuir a la resolución de problemas sociales como la protección del medio ambiente al ahorrar espacio y reducir el consumo de energía en diversas aplicaciones.
(Fig. 2 + 3)

Gama de productos
MOSFET duales Nch+Nch
(Fig. 4)

MOSFET duales Nch+Pch
(Fig. 5)
*Se añadirán a la gama nuevos productos de 40 V, 60 V, 80 V y 150 V

Ejemplos de aplicación
- Motores de ventiladores para estaciones base de comunicaciones
- Motores de ventiladores para automatización de fábricas y otros equipos industriales
- Motores de ventiladores para servidores de centros de datos, etc.
(Fig. 6 + 7)

Combinación con un circuito integrado de precontrolador para lograr la solución óptima de accionamiento del motor
La combinación de estos productos con los circuitos integrados de precontrolador de ROHM para motores monofásicos y trifásicos sin escobillas, de eficacia probada en el mercado, permite considerar motores aún más pequeños que presenten menor consumo y un accionamiento más silencioso. Al proporcionar un soporte total para el diseño de circuitos periféricos que combine las series de MOSFET duales con circuitos integrados de precontrolador, ROHM es capaz de ofrecer las mejores soluciones de accionamiento de motores para atender todas las necesidades de los clientes.

Ejemplos de soluciones con MOSFET duales de 100 V
- HT8KE5 (MOSFET dual Nch+Nch) + BM64070MUV (CI de precontrolador de motor trifásico sin escobillas)
- HT8KE6 (MOSFET dual Nch+Nch) + BM64300MUV (CI de precontrolador de motor trifásico sin escobillas) y otros modelos

Información de ventas en línea
Fecha de inicio de venta: agosto de 2023
Distribuidores en línea: Farnell, DigiKey y Mouser
Los productos serán ofrecidos por otros distribuidores en línea a medida que estén disponibles.

Descargar especificaciones de nuevos productos para motores
Las especificaciones de nuestros MOSFET de baja/media/alta tensión, incluidos los nuevos productos, pueden descargarse desde el sitio web de ROHM.
https://www.rohm.com/new-product/middle-power

Visite el sitio web de ROHM para obtener más información
https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2023-10-18_news_mosfet&defaultGroupId=false

Acerca de ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor es una compañía global de 507,8 billones de yenes (3,9 billones US Dollar) a 31 de marzo de 2023 con más de 23.700 empleados. La empresa desarrolla y fabrica una amplia gama de productos, desde diodos y MOSFET de SiC, circuitos integrados analógicos, como gate drivers y circuitos integrados de gestión de la energía, hasta transistores y diodos de potencia, además de componentes pasivos. La producción de los productos de alto rendimiento de ROHM se lleva a cabo en plantas de fabricación de última generación en Japón, Alemania, Corea, Malasia, Tailandia, Filipinas y China. ROHM Semiconductor Europe tiene su sede central cerca de Düsseldorf y cubre la región EMEA (Europa, Oriente Medio y África).
Para más información visite www.rohm.com
 
 
 
» ROHM Semiconductor
» Press Releases
» Press Release
Date: 18.10.2023 14:00
Number: PR31/23ES
» Press Photos

 Download der hochauflösenden Version...
Nueva gama de 5 nuevos modelos de MOSFET duales de 100 V de baja resistencia de conducción de ROHM

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 1

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 2

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 3

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 4

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 5

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 6

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 7
» Contacts
ROHM Semiconductor GmbH
Public Relations
Katrin Haasis-Schmidt  
Karl-Arnold-Str. 15
D-47877 Willich-Münchheide
Germany
Phone: +49 2154 921 0
katrin.haasis-schmidt@de.rohmeurope.com
» Contact Agency
Mexperts AG
Peter Gramenz
Wildmoos 7
D-82266 Inning am Ammersee
Germany
Phone: +49 8143 59744 12
peter.gramenz@mexperts.de
» More Press Releases
12.11.2024 14:00
Nuevos diodos de barrera Schottky de SiC de ROHM para sistemas xEV de alta tensión: presentan un diseño de encapsulado exclusivo para una resistencia de aislamiento mejorada

07.11.2024 14:00
Los nuevos IGBT de 1200 V de ROHM consiguen unas características de baja pérdida líderes* en la industria con una alta tolerancia al cortocircuito

10.10.2024 10:00
ROHM en electronica 2024: Potenciando el crecimiento e inspirando la innovación

08.10.2024 14:00
Nuevos CI de controlador de PWM de ROHM con encapsulado SOP para la alimentación eléctrica de una amplia variedad de aplicaciones industriales

19.09.2024 14:00
Los nuevos MOSFET de canal N de ROHM ofrecen una alta fiabilidad de montaje en aplicaciones para automoción