Los nuevos IGBT de 1200 V de ROHM consiguen unas características de baja pérdida líderes* en la industria con una alta tolerancia al cortocircuito

Contribuyen a aumentar la eficiencia de los compresores eléctricos en automoción y los inversores para equipos industriales

Willich-Münchheide, Alemania, 07 de noviembre de 2024 – ROHM ha desarrollado nuevos IGBT de 4.ª generación de 1200 V con calificación AEC-Q101 de calidad automotriz que combinan características de baja pérdida líderes en su categoría* con una alta resistencia al cortocircuito. Esto hace que los dispositivos sean ideales para compresores eléctricos de vehículos y calentadores de alta tensión, así como para inversores industriales. La gama actual incluye cuatro modelos —RGA80TRX2HR / RGA80TRX2EHR / RGA80TSX2HR / RGA80TSX2EHR— en dos tipos de encapsulado discreto (TO-247-4L and TO-247N), junto con 11 variantes de bare chip —SG84xxWN— con planes de ampliar la gama en el futuro. (Fig. 1) El uso cada vez más extendido de tensiones más altas en sistemas de automoción y equipos industriales ha provocado un aumento de la demanda de dispositivos de potencia capaces de manejar altas tensiones en aplicaciones como pueden ser los compresores eléctricos de vehículos, los calentadores de alta tensión y los inversores para equipos industriales. Al mismo tiempo, existe una fuerte tendencia al uso de dispositivos de alimentación de alta eficiencia para mejorar la conservación de la energía, mecanismos de refrigeración simplificados y factores de forma más pequeños para una sociedad descarbonizada. Los componentes eléctricos en automoción también deben cumplir las normas de fiabilidad para automoción, mientras que los dispositivos de alimentación para circuitos inversores y calentadores deben proporcionar capacidad de interrupción de corriente durante cortocircuitos, lo que requiere una alta tolerancia a los cortocircuitos. En respuesta a ello, ROHM rediseñó la estructura del dispositivo y adoptó un encapsulado adecuado para desarrollar nuevos IGBT de 4.ª generación aptos para alta tensión, al ofrecer características industriales de baja pérdida con una tolerancia superior a los cortocircuitos. Estos dispositivos consiguen un tiempo de resistencia al cortocircuito líder* en la industria de 10 µs (Tj=25°C) junto con bajas pérdidas por conmutación y conducción, manteniendo una alta tensión de resistencia de 1200 V y cumpliendo las normas de automoción mediante la revisión de la estructura del dispositivo, incluido el diseño periférico. Al mismo tiempo, los nuevos productos de encapsulado TO-247-4L, que incorporan 4 terminales, pueden soportar una tensión efectiva de 1100 V en un «grado de contaminación 2» garantizando una línea de fuga adecuada entre pines. Esto permite la compatibilidad de aplicaciones de mayor tensión que los productos convencionales. La aplicación de medidas de línea de fuga en el lado del dispositivo alivia la carga de diseño para los fabricantes. Además, el encapsulado TO-247-4L permite la conmutación de alta velocidad al incluir un terminal de emisor Kelvin, lo que reduce aún más las pérdidas. De hecho, al comparar la eficiencia de los nuevos encapsulados TO-247-4L con productos convencionales y estándar en un inversor trifásico, las pérdidas se reducen en torno a un 24 % en comparación con los productos estándar y a un 35 % con respecto a los productos convencionales, lo que contribuye a una mayor eficiencia en aplicaciones de accionamiento. (Fig. 2) ROHM seguirá ampliando su gama de IGBT de alto rendimiento que contribuyen a una mayor miniaturización y a un accionamiento de alta eficiencia en aplicaciones de automoción y equipos industriales. Gama de productos Discretos (Fig. 3) Bare Chips (Fig. 4) Ejemplos de aplicación Compresores eléctricos para automoción Calentadores de alta potencia para automoción (PTC/calentadores de refrigerante) Inversores para equipos industriales Información de ventas en línea Fecha de inicio de venta: disponible Distribuidores en línea: DigiKey™, Mouser™ y Farnell™ Los productos serán ofrecidos por otros distribuidores en línea a medida que estén disponibles. N.º de pieza aplicable: RGA80TRX2HR, RGA80TRX2EHR, RGA80TSX2HR, RGA80TSX2EHR Información de soporte Desde el sitio web oficial de ROHM, los usuarios pueden descargar diversos materiales necesarios para el diseño de circuitos, incluidos modelos SPICE que reproducen fielmente las características eléctricas de los productos mediante simulación. https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt#parametricSearch Módulos semiconductores de potencia de Semikron Danfoss equipados con la serie RGA La serie RGA de IGBT de 1200 V de ROHM ha sido adoptada en la serie MiniSKiiP® de Semikron Danfoss de módulos semiconductores de potencia con corrientes nominales de 10 A a 150 A. Haga clic aquí para obtener más información. https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2023-04-25_news_semikron&defaultGroupId=false *MiniSKiiP® es una marca comercial o una marca registrada de Semikron Danfoss. Marca EcoIGBT™ EcoIGBT™ es la marca de IGBT de ROHM que consta tanto de dispositivos como de módulos diseñados para satisfacer las necesidades de las aplicaciones de alta tensión en el campo de los dispositivos de potencia. ROHM desarrolla de forma independiente tecnologías esenciales para la evolución los dispositivos de potencia, desde la fabricación de obleas y los procesos de producción hasta el embalaje, pasando por los métodos de control de calidad. Al mismo tiempo, hemos implantado un sistema de producción integrado en todo el proceso de fabricación, consolidando nuestra posición como proveedor líder de dispositivos de potencia. EcoIGBT™ es una marca comercial o una marca registrada de ROHM Co., Ltd. (Fig. 5) DigiKey™, Mouser™ y Farnell™ son marcas comerciales o marcas registradas de sus empresas correspondientes. *Estudio de ROHM del 7 de noviembre de 2024

Acerca de ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor es una compañía global de 467,7 billones de yenes (3,2 billones US Dollar) a 31 de marzo de 2024 con más de 23.300 empleados. La empresa desarrolla y fabrica una amplia gama de productos, desde diodos y MOSFET de SiC, circuitos integrados analógicos, como gate drivers y circuitos integrados de gestión de la energía, hasta transistores y diodos de potencia, además de componentes pasivos. La producción de los productos de alto rendimiento de ROHM se lleva a cabo en plantas de fabricación de última generación en Japón, Alemania, Corea, Malasia, Tailandia, Filipinas y China. ROHM Semiconductor Europe tiene su sede central cerca de Düsseldorf y cubre la región EMEA (Europa, Oriente Medio y África). Para más información visite www.rohm.com