Nuevos diodos de barrera Schottky de SiC de ROHM para sistemas xEV de alta tensión: presentan un diseño de encapsulado exclusivo para una resistencia de aislamiento mejorada

Mejoran aproximadamente 1,3 veces la distancia creepage en comparación con los productos estándar.

Willich-Münchheide, Alemania, 12 de noviembre de 2024 - ROHM ha desarrollado diodos de barrera Schottky (SBD) de SiC para montaje superficial que mejoran la resistencia de aislamiento al aumentar la distancia creepage entre terminales. La gama inicial incluye ocho modelos —SCS2xxxNHR— para aplicaciones de automoción como cargadores de a bordo (OBC), y está previsto desplegar ocho modelos —SCS2xxxN— para equipos industriales como dispositivos de FA e inversores fotovoltaicos en diciembre de 2024. (Fig. 1) La rápida expansión del mercado de los xEV está impulsando la demanda de semiconductores de potencia, entre ellos los SBD de SiC, que proporcionan una baja generación de calor junto con capacidades de conmutación de alta velocidad y alta tensión en aplicaciones como los cargadores de a bordo. Además, los fabricantes confían cada vez más en los dispositivos compactos de montaje superficial (SMD) compatibles con los equipos de montaje automatizado para impulsar la eficacia de la fabricación. Los SMD compactos tienden a presentar distancias de creepage menores, lo que hace que la prevención del seguimiento de alta tensión sea un desafío de diseño fundamental. Como proveedor líder de SiC, ROHM ha estado trabajando para desarrollar SBD de SiC de alto rendimiento que ofrezcan tensiones de ruptura adecuadas para aplicaciones de alta tensión con montaje sencillo. Adoptando una forma de encapsulado optimizada, se consigue una distancia de creepage mínima de 5,1 mm, lo que mejora el rendimiento de aislamiento en comparación con los productos estándar. Los nuevos productos utilizan un diseño original que elimina el pin central situado anteriormente en la parte inferior del encapsulado, ampliando la distancia creepage a un mínimo de 5,1 mm, aproximadamente 1,3 veces más que los productos estándar. Esto minimiza la posibilidad de rastreo (descarga por creepage) entre terminales, eliminando la necesidad de tratar el aislamiento mediante encapsulación de resina cuando se monta el dispositivo en superficie sobre placas de circuitos en aplicaciones de alta tensión.  Además, los dispositivos pueden montarse en el mismo modelo de circuito que los productos de encapsulado TO-263 estándar y convencionales, lo que permite una fácil sustitución en las placas de circuitos existentes. (Fig. 2) Se ofrecen dos tensiones nominales, 650 V y 1200 V, compatibles con los sistemas de 400 V utilizados habitualmente en los xEV, así como con los sistemas de mayor tensión cuya adopción se prevé que crezca en el futuro. El código SCS2xxxNHR de calidad automoción dispone de calificación acorde a la norma AEC-Q101, lo que garantiza el cumplimiento de los altos estándares de fiabilidad que exige este sector de aplicación. En el futuro, ROHM seguirá desarrollando SBD de alta tensión que utilicen SiC, contribuyendo a atender las demandas de bajo consumo energético y alta eficiencia de los equipos industriales y de automoción mediante el suministro de dispositivos de potencia óptimos que satisfagan las necesidades del mercado. Gama de productos (Fig. 3) Ejemplos de aplicación Aplicaciones en automoción: cargadores a bordo (OBC), convertidores CC-CC, etc. Equipamiento industrial: servomotores de CA para robots industriales, inversores fotovoltaicos, acondicionadores de potencia, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI), etc Información de ventas en línea Disponibilidad: Los SCS2xxxNHR para aplicaciones de automoción ya están disponibles. Los SCS2xxxN para equipos industriales están previstos para diciembre de 2024. Distribuidores en línea: DigiKey™, Mouser™ y Farnell™ Los productos serán ofrecidos por otros distribuidores en línea a medida que estén disponibles. Marca EcoSiC™ EcoSiC™ es una marca de dispositivos que utilizan carburo de silicio (SiC) y que está atrayendo la atención en el campo de los dispositivos de potencia por mostrar un rendimiento incluso superior al del silicio (Si). ROHM desarrolla de forma independiente tecnologías esenciales para el avance del SiC, desde la fabricación de obleas y los procesos de producción hasta el embalaje, pasando por los métodos de control de calidad. Al mismo tiempo, hemos implantado un sistema de producción integrado en todo el proceso de fabricación, consolidando nuestra posición como proveedor líder de SiC. (Fig. 4) EcoSiC™ es una marca comercial o una marca registrada de ROHM Co., Ltd. Visite el sitio web de ROHM para obtener más información https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2024-11-12_news_SBD&defaultGroupId=false Conozca los últimos productos y tecnologías a través del boletín de ROHM https://pages.rohm.com/newsletter-subscription-center.html DigiKey™, Mouser™ y Farnell™ son marcas comerciales o marcas registradas de sus empresas correspondientes.

Acerca de ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor es una compañía global de 467,7 billones de yenes (3,2 billones US Dollar) a 31 de marzo de 2024 con más de 23.300 empleados. La empresa desarrolla y fabrica una amplia gama de productos, desde diodos y MOSFET de SiC, circuitos integrados analógicos, como gate drivers y circuitos integrados de gestión de la energía, hasta transistores y diodos de potencia, además de componentes pasivos. La producción de los productos de alto rendimiento de ROHM se lleva a cabo en plantas de fabricación de última generación en Japón, Alemania, Corea, Malasia, Tailandia, Filipinas y China. ROHM Semiconductor Europe tiene su sede central cerca de Düsseldorf y cubre la región EMEA (Europa, Oriente Medio y África). Para más información visite www.rohm.com